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    用于静电放电保护的装置
    1.
    发明公开
    用于静电放电保护的装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN118299376A

    公开(公告)日：2024-07-05

    申请号：CN202410002697.X

    申请日：2024-01-02

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 都擎逸 ,  郑镇雨 ,  宋周永 ,  全灿熙

    IPC: H01L27/02 ,  H02M1/32 ,  H02H9/04

    Abstract: 提供用于静电放电保护的装置，所述装置包括：第一钳位电路，电连接在第一节点与第二节点之间；以及第二钳位电路，电连接在第二节点与第三节点之间，其中，第一钳位电路包括：第一可控硅整流器(SCR)，包括第一导电类型的第一区域、第二导电类型的第二区域、第一导电类型的第三区域和第二导电类型的第四区域，第一区域连接到第一节点，第四区域连接到第二节点；以及第一栅电极，设置在沟道区域上方，沟道区域包括第二区域和第三区域的结，第二区域和第三区域在第一区域与第四区域之间。

    半导体器件
    3.
    发明公开
    半导体器件

    公开(公告)号：CN119170610A

    公开(公告)日：2024-12-20

    申请号：CN202410674702.1

    申请日：2024-05-28

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 郑镇雨 ,  都擎逸 ,  宋周永 ,  全灿熙

    IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06

    Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，掺杂有第一导电类型杂质；第一阱，掺杂有与第一导电类型杂质不同的第二导电类型杂质；第一有源区域，在第一阱中，该第一有源区域掺杂有第一导电类型杂质，并且通过第一互连部连接到第一焊盘；第二有源区域，在第一阱外部，该第二有源区域掺杂有第二导电类型杂质，并且通过第二互连部连接到第二焊盘；第三有源区域，在第一阱中围绕第一有源区域，并且掺杂有第二导电类型杂质；以及第四有源区域，在第一阱外部围绕第二有源区域，并且掺杂有第一导电类型杂质，其中，第三有源区域中的至少一个和第四有源区域中的至少一个通过第三互连部彼此电连接。

    可控硅静电放电保护装置
    5.
    发明公开
    可控硅静电放电保护装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN119108391A

    公开(公告)日：2024-12-10

    申请号：CN202410747778.2

    申请日：2024-06-11

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 都擎逸 ,  全灿熙 ,  宋周永 ,  郑镇雨

    IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/73

    Abstract: 一种装置包括：第一可控硅整流器，其包括第一PNP双极结型晶体管(BJT)和第一NPN BJT；以及场效应晶体管(FET)，其被配置为基于在第一可控硅整流器的阳极和第一可控硅整流器的阴极之间发生的静电放电来触发第一可控硅整流器。第一PNP BJT的发射极对应于在第一方向上彼此间隔开的多个第一p+区。FET通过被设置在多个第一p+区之间的至少一个第一n+区连接到第一可控硅整流器。

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