公开(公告)号：CN118645503A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202311603983.3

申请日：2023-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋宗圭 ,  许镇 ,  金珉昊 ,  宋周永 ,  李恩淑 ,  全灿熙

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/74

Abstract: 公开了一种静电放电保护器件，所述静电放电保护器件包括：衬底、具有第一导电类型的第一阱和包围所述第一阱的第二阱、形成在所述第一阱上的第一扩散区至第五扩散区以及形成在所述第二阱上的第六扩散区和第七扩散区。所述第二扩散区包围所述第一扩散区，所述第四扩散区包围所述第三扩散区，并且所述第五扩散区包围所述第二扩散区和所述第四扩散区中的每一者。所述第六扩散区包围所述第五扩散区，并且所述第七扩散区包围所述第六扩散区。所述第六扩散区和所述第七扩散区连接到阳极电极，并且所述第一扩散区至所述第五扩散区连接到阴极电极。

公开(公告)号：CN119069472A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410540229.8

申请日：2024-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋宗圭 ,  许镇 ,  金玟昊 ,  宋周永 ,  李恩淑 ,  全灿熙

IPC: H01L27/02

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置。示例半导体装置包括：通过第一器件隔离膜彼此隔离的第一阱区域和第二阱区域；NPN晶体管，其由第一集电极区域和第一发射极区域提供，第一集电极区域形成在第一阱区域中并且包括第一导电类型的杂质，第一发射极区域形成在第二阱区域中并且包括第一导电类型的杂质；PNP晶体管，其由第二发射极区域和第二集电极区域提供，第二发射极区域形成在第一阱区域中并且包括与第一导电类型不同的第二导电类型的杂质，第二集电极区域形成在第二阱区域中并且包括第二导电类型的杂质；以及NMOS晶体管，其包括形成在第二阱区域中并且包括第一导电类型的杂质的源极区域和漏极区域、以及设置在源极区域与漏极区域之间的栅极结构。