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公开(公告)号：CN1811988B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200610005029.4
申请日：2006-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4197 , G11C11/409 , G11C11/56 , G11C16/02
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/72
Abstract: 提供了一种在数据写入操作期间偏置存储单元阵列的方法和一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元，其中，存储单元的第一端连接到多条第一线中的对应第一线，且存储单元的第二端连接到多条第二线中的对应第二线；以及偏置电路，用于将选择的第二线偏置到第一电压，并且将未被选择的第二线偏置到第二电压。
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公开(公告)号：CN100474448C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200410046553.7
申请日：2004-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/144
Abstract: 一种包括多个存取晶体管和由多个存取晶体管共享的可变相薄膜的相随机存取存储器，每个存取晶体管包括漏极区。可变相薄膜通过第一电极连接到位线，并且通过多个第二电极中的至少一个连接到每个对应的漏极区。
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公开(公告)号：CN100573713C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200510003456.4
申请日：2005-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: H03L7/0812 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5615 , H01L27/228 , H03L7/0891
Abstract: 本发明公开了一种具有多位单元阵列结构的磁随机存取存储器(RAM)，其包括形成在衬底上的访问晶体管、第一至第三可变电阻元件和第一至第三电流供给线。该第一至第三可变电阻元件布置在位线和访问晶体管之间并且在电气上彼此相连。该第一至第三电流供给线与该第一至第三可变电阻元件交替堆叠。该第一至第三可变电阻元件具有相同的电阻。
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公开(公告)号：CN1822226A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200510003456.4
申请日：2005-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: H03L7/0812 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5615 , H01L27/228 , H03L7/0891
Abstract: 本发明公开了一种具有多位单元阵列结构的磁随机存取存储器(RAM)，其包括形成在衬底上的访问晶体管、第一至第三可变电阻元件和第一至第三电流供给线。该第一至第三可变电阻元件布置在位线和访问晶体管之间并且在电气上彼此相连。该第一至第三电流供给线与该第一至第三可变电阻元件交替堆叠。该第一至第三可变电阻元件具有相同的电阻。
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公开(公告)号：CN1811988A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610005029.4
申请日：2006-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4197 , G11C11/409 , G11C11/56 , G11C16/02
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/72
Abstract: 提供了一种在数据写入操作期间偏置存储单元阵列的方法和一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元，其中，存储单元的第一端连接到多条第一线中的对应第一线，且存储单元的第二端连接到多条第二线中的对应第二线；以及偏置电路，用于将选择的第二线偏置到第一电压，并且将未被选择的第二线偏置到第二电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103456356A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310215130.2
申请日：2013-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/1653 , G11C7/12 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/1697
Abstract: 本发明公开了半导体存储器装置和相关的操作方法。一种半导体存储器装置包括单元阵列，该单元阵列包括一个或多个存储体组，其中，该一个或多个存储体组的每一个包括多个存储体，并且该多个存储体的每一个包括多个自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)单元。该半导体存储器装置进一步包括：源极电压生成部件，用于向连接到该多个STT-MRAM单元的该每一个的源极线施加电压；以及命令解码器，用于解码来自外部来源的命令，以便对于该多个STT-MRAM单元执行读取和写入操作。该命令包括行地址选通(RAS)、列地址选通(CAS)、芯片选择信号(CS)、写入启用信号(WE)和时钟启用信号(CKE)中的至少一个信号的组合。
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公开(公告)号：CN103426461A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310185288.X
申请日：2013-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/165 , G06F12/0246 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 公开了一种磁性随机存取存储器（MRAM）、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。
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公开(公告)号：CN1959846B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200610159878.5
申请日：2006-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/145 , G11C8/08 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0028 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/009
Abstract: 一种相变随机存取存储器，包括存储器单元阵列块，该阵列块包括多个相变存储器单元、列译码器和行译码器、列选择器和写驱动器。该存储器还包括写升压单元，该单元具有用于升高第一电压来产生用于驱动写驱动器的写驱动电压的多个内部电荷泵，其中根据在写操作期间选择的相变存储器单元的数量来改变在写操作期间激活的内部电荷泵的数量。该存储器还包括用于升高第一电压来产生用于驱动列译码器的列驱动电压的列升压单元，和用于升高第一电压来产生用于驱动行译码器的行驱动电压的行升压单元。
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公开(公告)号：CN1975927A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163200.4
申请日：2006-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种相可变存储器件以及读取数据的相关方法。存储器件由存储单元、高电压电路、预充电电路、偏置电路、以及读出放大器组成。每一个存储单元包括相可变材料和与位线相连的二极管。高电压电路根据电源提供高电压。预充电电路在将位线充电到电源电压之后，将位线升高到高电压。偏置电路借助于高电压向位线提供读取电流。读出放大器借助于高电压将位线的电压与基准电压相比较，并且从存储单元读取数据。存储器件能够减少预充电操作期间高电压电路的负荷，从而确保在读出期间足够的读出裕度。
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