公开(公告)号：CN115691639A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210791193.1

申请日：2022-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李暻海 ,  南釜一 ,  廉轸善 ,  南尚完 ,  李载仁

IPC: G11C29/12

Abstract: 一种非易失性存储器件，包括存储器单元阵列、电压发生器、电压路径电路和字线缺陷检测电路。存储器单元阵列包括存储器单元和连接到存储器单元的字线。电压发生器生成施加到字线的字线电压。电压发生器和存储器单元阵列之间的电压路径电路向字线传送字线电压。字线缺陷检测电路连接到电压发生器和电压路径电路之间的测量节点。字线缺陷检测电路基于测量节点的测量电压来测量电压路径电路的路径漏电流，以在补偿模式中生成与路径漏电流相对应的偏移值，并且在缺陷检测模式中基于偏移值和测量电压来确定字线中的每条字线的缺陷。

公开(公告)号：CN114078544A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110534260.7

申请日：2021-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙铭浩 ,  郑原宅 ,  南釜一

IPC: G11C16/34 ,  G11C29/50

Abstract: 提供了包括非易失性存储器装置的存储器系统及其擦除方法。一种包括非易失性存储器装置和存储器控制器的存储器系统的故障检测方法，所述故障检测方法包括：由存储器控制器对连接到传输晶体管的字线的擦除的数量进行计数；当擦除的数量达到参考值时，由存储器控制器发出第一擦除命令；响应于第一擦除命令，由非易失性存储器装置施加第一电压，第一电压使得传输晶体管的栅极‑源极电位差具有第一值；在施加第一电压之后，由存储器控制器检测所述字线中的漏电流；以及当由漏电流引起的漏电压大于第一阈值时，由存储器控制器将所述字线确定为故障。

公开(公告)号：CN113990361A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202110452349.9

申请日：2021-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑斗连 ,  曹永进 ,  南釜一 ,  李娜利 ,  南礼志 ,  尹翔镛

IPC: G11C7/12 ,  G11C8/08 ,  G11C29/42

Abstract: 一种包括具有字线的存储器块的非易失性存储器装置的操作方法包括：对存储器块执行擦除；通过使用第0擦除验证电压对存储器块执行块验证；当块验证指示的结果通过时，通过使用与第0擦除验证电压不同的第一擦除验证电压对存储器块执行增量验证；以及基于块验证的结果或增量验证的结果输出关于存储器块的擦除结果的信息。增量验证包括：通过使用第一擦除验证电压来生成分别与各字线组对应的增量计数值；基于增量计数值来生成增量值；以及将增量值与第一参考值进行比较。