公开(公告)号：CN119342836A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410970238.0

申请日：2024-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李葰逸 ,  金容俊 ,  金灿镐 ,  南尙完 ,  李隆彬

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50 ,  H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B41/41 ,  H10B41/50 ,  H10N97/00

Abstract: 提供了半导体装置和包括其的数据存储系统。所述半导体装置可以包括第一半导体结构，第一半导体结构包括基底、位于基底中的有源区域、限定有源区域的器件隔离区域以及位于器件隔离区域上并与器件隔离区域竖直地叠置的电容器结构。电容器结构可以包括第一电极结构、第二电极结构和第一绝缘结构，第一电极结构在第一方向上延伸并包括在第一方向上堆叠的第一电容器电极，第二电极结构包括在第一方向上堆叠的第二电容器电极，第一绝缘结构位于第一电极结构与第二电极结构之间。第一电容器电极和第二电容器电极在与基底的上表面平行的第二方向上交替地布置且彼此间隔开，在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上延伸，并且均具有板形状。