公开(公告)号：CN1811386A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200610005868.6

申请日：2006-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈储暎 ,  郑盛旭 ,  南宫吉娜 ,  柳圭泰 ,  马壮锡

IPC: G01N21/64 ,  C09K11/00

CPC classification number: C03C17/28 ,  C03C2218/111 ,  C03C2218/365 ,  G01N21/278 ,  G01N21/6452

Abstract: 本发明提供一种光学扫描器的校准装置，包括其上固定有能够形成激元的分子的基底。本发明还提供一种制备该校准装置的方法和利用该校准装置校准光学扫描器的方法。

公开(公告)号：CN1811386B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200610005868.6

申请日：2006-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈储暎 ,  郑盛旭 ,  南宫吉娜 ,  柳圭泰 ,  马壮锡

IPC: G01N21/64 ,  C09K11/00

CPC classification number: C03C17/28 ,  C03C2218/111 ,  C03C2218/365 ,  G01N21/278 ,  G01N21/6452

Abstract: 本发明提供一种光学扫描器的校准装置，包括其上固定有能够形成激元的分子的基底。本发明还提供一种制备该校准装置的方法和利用该校准装置校准光学扫描器的方法。

公开(公告)号：CN1811398A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200610005056.1

申请日：2006-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈储暎 ,  南宫吉娜 ,  柳圭泰 ,  郑盛旭 ,  朴俊植

IPC: G01N27/414 ,  G01N33/68 ,  G01N33/543 ,  H01L29/51

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y15/00 ,  G01N27/4145

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管(FET)型生物传感器，其包括源极、栅极和漏极。向该栅极表面加入能够与核酸侧部结合的配体。在常规FET型生物传感器中，难于在德拜长度内检测到信号，因为目标核酸直接固定于常规FET栅极的表面。然而，在本发明中，通过用能够与核酸侧部结合的配体处理FET传感器的栅极表面，可以克服该问题并且可以增加德拜长度。所述配体可以吸附在栅极的表面。这种情况下，核酸平行而不是垂直地吸附于栅极表面，从而产生有效的耗尽区(depletion region)。另外，可以增加杂交效率，因为杂交样品可以高离子强度注入到FET传感器中。