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公开(公告)号:CN100530670C
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200610075339.3
申请日:2006-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/82 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/31
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L27/14609 , H01L27/1469
Abstract: 本发明提供了一种减少闪烁的图像传感器及其制备方法,图像传感器包括有源像素阵列和连接到所述有源像素阵列的控制电路。有源像素阵列包括多个第一栅极介电层,控制电路包括多个第二栅极介电层,其中第一栅极介电层是等离子氮化的氧化硅层。
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公开(公告)号:CN1858912A
公开(公告)日:2006-11-08
申请号:CN200610075339.3
申请日:2006-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/82 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/31
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L27/14609 , H01L27/1469
Abstract: 本发明提供了一种减少闪烁的图像传感器及其制备方法,图像传感器包括有源像素阵列和连接到所述有源像素阵列的控制电路。有源像素阵列包括多个第一栅极介电层,控制电路包括多个第二栅极介电层,其中第一栅极介电层是等离子氮化的氧化硅层。
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