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公开(公告)号：CN120073480A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510533789.5
申请日：2025-04-27
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种量子级联发光结构及其制备方法，量子级联发光结构包括：有源层；有源层包括沿第一方向层叠的第一有源层组至第M有源层组，任意的第m有源层组呈超晶格结构并包括沿第一方向层叠的多个第m有源层单元，任意的第m有源层单元包括沿第一方向交替层叠的第m势垒层和第m势阱层；任意的第m势垒层的等效材料为InxAl1‑xAs，任意的第m势阱层的等效材料为InyGa1‑yAs；M为大于或等于1的整数，m为大于或等于1且小于或等于M的整数；其中，至少一个有源层组中的每个有源层单元中的至少两个势垒层的x不同；和/或，至少一个有源层组中的每个有源层单元中的至少两个势阱层的y不同。
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公开(公告)号：CN119726361B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510193767.9
申请日：2025-02-21
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01S5/024 , H01S5/028 , H01S5/02345
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件，半导体激光芯片包括半导体芯片基体；位于半导体芯片基体第一表面的第一电极层、第一电极粘合层、腔面膜绕镀层、第一电极过渡层和第一焊接层；位于半导体芯片基体的第二表面的第二电极层；腔面膜绕镀层位于半导体激光芯片的侧面，并覆盖第一电极粘合层背向第一电极层一侧表面的边缘部分；第一电极粘合层包覆腔面膜绕镀层背向半导体芯片基体一侧表面和腔面膜绕镀层的侧面；第一电极过渡层还位于第一电极过渡层背向腔面膜绕镀层的一侧表面；第一焊接层的材料为贵金属。与相关技术相比，本发明可以提高提升半导体激光芯片的封装可靠性和散热性能。
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公开(公告)号：CN119542923B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510072590.7
申请日：2025-01-17
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01S5/40 , H01S5/024 , H01S5/0235
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器巴条叠阵及其封装方法。该巴条叠阵包括多个堆叠组、一个电绝缘散热片和一个热沉，每个堆叠组包括一个巴条和两个导电散热隔块，巴条焊接在两个导电散热隔块之间，各堆叠组之间相互焊接，各导电散热隔块的底面上设置有多个金焊点，并且底面的两侧均具有倒角，各堆叠组的中间两个倒角为不镀金倒角，两侧的两个倒角为镀金倒角，电绝缘散热片的顶面设置有多个电绝缘刻槽。本发明中的一种半导体激光器巴条叠阵及其封装方法通过在导电散热块上两侧区分镀金倒角和不渡金倒角解决焊料挤出问题，同时还通过在导电散热块和热沉上打焊点解决巴条两侧导电散热隔块高度差带来的焊料挤出量不可控等问题。
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公开(公告)号：CN119381893B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411962956.X
申请日：2024-12-30
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高均匀性二维VCSEL激光器及其制备方法。该激光器包括多个发光单元组成的多行多列的二维阵列；每个发光单元自下而上依次形成有绝缘衬底层、N型导电层、二维电子气层、刻蚀截止层、N‑DBR层、延长腔、有源区、P‑DBR层、P‑contact层；在每个发光单元中的P‑contact层上形成有多个上电极，在P‑contact层上未形成上电极的区域形成有多个介质膜层，介质膜层向下延伸至二维电子气层；在上电极和介质膜层的上表面形成P‑电镀层，各介质膜层的下部之间形成有N‑电镀层。本发明中的一种高均匀性二维VCSEL激光器及其制备方法一方面克服了共面电极寻址VCSEL厚导电层导致的外延层应力积累问题，另一方面提升了电子在n面横向输运的均匀性和不同发光区发光均匀性。
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公开(公告)号：CN119362152B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411884893.0
申请日：2024-12-20
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括依次层叠的第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层和第二限制层；第一波导层的材料为AlxGa1‑xAs，第一波导层包括层叠的第一层第一子波导层至第M层第一子波导层；对于任意相邻的两层第一子波导层，一层第一子波导层中的Al组分x大于或等于0.5，另一层第一子波导层中的Al组分x小于或等于0.4；和/或，第二波导层的材料为AlyGa1‑yAs，第二波导层包括层叠的第一层第二子波导层至第N层第二子波导层；对于任意相邻的两层第二子波导层，一层第二子波导层中的Al组分y大于或等于0.5，另一层第二子波导层中的Al组分y小于或等于0.4。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119726361A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510193767.9
申请日：2025-02-21
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01S5/024 , H01S5/028 , H01S5/02345
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件，半导体激光芯片包括半导体芯片基体；位于半导体芯片基体第一表面的第一电极层、第一电极粘合层、腔面膜绕镀层、第一电极过渡层和第一焊接层；位于半导体芯片基体的第二表面的第二电极层；腔面膜绕镀层位于半导体激光芯片的侧面，并覆盖第一电极粘合层背向第一电极层一侧表面的边缘部分；第一电极粘合层包覆腔面膜绕镀层背向半导体芯片基体一侧表面和腔面膜绕镀层的侧面；第一电极过渡层还位于第一电极过渡层背向腔面膜绕镀层的一侧表面；第一焊接层的材料为贵金属。与相关技术相比，本发明可以提高提升半导体激光芯片的封装可靠性和散热性能。
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公开(公告)号：CN119687839A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510207800.9
申请日：2025-02-25
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种外延片层的厚度测量方法，外延片层的厚度测量方法包括提供半导体激光器的外延层样品；外延层样品包括多个外延片层，相邻两个外延片层为不同的三五族化合物；获取外延层样品在目标晶带轴方向上的原子尺度分辨率的高角环形暗场像；在高角环形暗场像中沿着目标原子密排面确定目标连线，目标连线穿越相邻外延片层之间的界面，并连接多个原子；根据目标连线上基准原子的亮度，确定外延片层在目标连线上的厚度；根据外延片层在目标连线上的厚度，确定外延片层的厚度。与相关技术相比，本发明可以提高外延片层的厚度测量精度，进而提高激光器的光电性能。
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公开(公告)号：CN118943888B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411426017.3
申请日：2024-10-14
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01S5/40 , G02B27/30 , G02B27/28 , G02B17/04 , H01S5/0225 , H01S5/02253 , H01S5/02255
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器合束装置，包括：半导体激光器芯片组、快轴准直镜组、特征慢轴准直镜组和斜角反射棱镜组；半导体激光器芯片组包括在快轴方向上的高度一致的多个半导体激光器芯片；快轴准直镜组包括多个快轴准直镜；特征慢轴准直镜组包括多个特征慢轴准直镜；斜角反射棱镜组包括多个斜角反射棱镜。所述半导体激光器合束装置能实现可靠性高和体积小。
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公开(公告)号：CN118783244B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411266378.6
申请日：2024-09-11
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01S5/20
Abstract: 本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构中，第一限制层、所述第一波导层、第二波导层和第二限制层的至少一个还包括特征元素，特征元素不同于主体材料中的元素且不同于掺杂元素，特征元素的摩尔百分比浓度为0.01%~1%，特征元素为二族元素、三族元素、四族元素和五族元素的一种或多种的组合；当第一限制层和/或第一波导层中具有特征元素时，在第一限制层和/或第一波导层中，特征元素的电负性小于掺杂元素的电负性；当第二限制层和/或第二波导层中具有特征元素时，在第二限制层和/或第二波导层中，特征元素的电负性大于所述掺杂元素的电负性。半导体发光结构的可靠性提高。
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公开(公告)号：CN119381893A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411962956.X
申请日：2024-12-30
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高均匀性二维VCSEL激光器及其制备方法。该激光器包括多个发光单元组成的多行多列的二维阵列；每个发光单元自下而上依次形成有绝缘衬底层、N型导电层、二维电子气层、刻蚀截止层、N‑DBR层、延长腔、有源区、P‑DBR层、P‑contact层；在每个发光单元中的P‑contact层上形成有多个上电极，在P‑contact层上未形成上电极的区域形成有多个介质膜层，介质膜层向下延伸至二维电子气层；在上电极和介质膜层的上表面形成P‑电镀层，各介质膜层的下部之间形成有N‑电镀层。本发明中的一种高均匀性二维VCSEL激光器及其制备方法一方面克服了共面电极寻址VCSEL厚导电层导致的外延层应力积累问题，另一方面提升了电子在n面横向输运的均匀性和不同发光区发光均匀性。
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