抗蚀剂组合物和抗蚀剂膜

    公开(公告)号:CN111587402A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN201980007547.5

    申请日:2019-01-17

    Inventor: 星野学

    Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂组合物和形成有良好图案的抗蚀剂膜,该抗蚀剂组合物能够提高旋转涂布时的对基材的涂覆性(涂膜性)和抗蚀剂膜的密合性,且能够形成良好的图案。该抗蚀剂组合物包含聚合物、溶剂和芳香族乙烯基单体,上述芳香族乙烯基单体相对于上述聚合物的含量为10质量ppm以上且30000质量ppm以下。

    用于抗反射涂层的有机聚合物和其制备方法

    公开(公告)号:CN1280316C

    公开(公告)日:2006-10-18

    申请号:CN00131747.4

    申请日:2000-09-07

    CPC classification number: C08F220/28 C08F212/08 G03F7/091

    Abstract: 公开了一种适合用于超微平版印刷的抗反射薄膜组合物,包括一种如下化学通式13的化合物作为交联剂和如下通式14的化合物作为生色团。本发明的有机抗反射薄膜有效地吸收通过涂于抗反射薄膜上的光刻胶薄膜渗透的光,由此大大降低驻波影响。因此,本发明的有机抗反射薄膜可形成清晰的超细轮廓的图形,大大有助于半导体元件的高集成。其中:b和c为摩尔数,其满足条件:比例b∶c为0.1-1.0∶0.1-1.0;R′和R″独立地为氢或甲基;R1、R2和R4为相同或不同的,各自表示含1-5个碳原子的取代或未取代的线性或支化烷基;和R3为氢或含1-5个碳原子的取代或未取代的线性或支化烷基。

    配位聚合方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1045977A

    公开(公告)日:1990-10-10

    申请号:CN90101696.9

    申请日:1990-03-27

    CPC classification number: C08F10/00 C08F210/00 C08F2/02 C08F212/00

    Abstract: 一种聚合方法,其中包括使配位聚合单体与配位聚合催化剂在配位聚合条件下于反应条件下不存在在死区并且其中所有与反应物料相接触的表面都受到机械擦拭作用的反应器内相接触,所述的聚合反应在足以形成粒状固体聚合物的时间内进行。按照本发明方法可以由配位聚合单体制备可以自由流动的细碎粒状固体聚合产物。

    一种立构聚合物的阳离子聚合方法

    公开(公告)号:CN101987877B

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN200910090732.3

    申请日:2009-08-07

    Abstract: 本发明涉及一种立构聚合物的阳离子聚合方法。在苯乙烯及其衍生物的单体与溶剂组成的单体溶液中,采用以阳离子源引发剂、路易斯酸以及酚类、醚类、胺类、酰胺类或吡啶类配合剂组成的引发体系,进行苯乙烯类阳离子立构聚合,可得到高转化率、高分子量(重均分子量Mw=1×105~3.5×105)、高立构规整度(熔融温度上限最高可达近230℃)的具有结晶性能的聚苯乙烯及其衍生物。该聚合产物的立构规整度可以在一定范围进行调节,同时良好的结晶性能赋予材料具备较高的使用温度和优良的物理机械性能。

    用于抗反射涂层的有机聚合物和其制备方法

    公开(公告)号:CN1288901A

    公开(公告)日:2001-03-28

    申请号:CN00131747.4

    申请日:2000-09-07

    CPC classification number: C08F220/28 C08F212/08 G03F7/091

    Abstract: 公开了一种适合用于超微平版印刷的抗反射薄膜组合物,包括一种如下化学通式13的化合物作为交联剂和如下通式14的化合物作为生色团。本发明的有机抗反射薄膜有效地吸收通过涂于抗反射薄膜上的光刻胶薄膜渗透的光,由此大大降低驻波影响。因此,本发明的有机抗反射薄膜可形成清晰的超细轮廓的图形,大大有助于半导体元件的高集成。其中:b和C为摩尔数,其满足条件:比例b∶c为0.1—1.0∶0.1—1.0;R’和R”独立地为氢或甲基;R1、R2和R4为相同或不同的,各自表示含1—5个碳原子的取代或未取代的线性或支化烷基;和R3为氢或含1—5个碳原子的取代或未取代的线性或支化烷基。

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