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公开(公告)号：CN102867726B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201210276251.3
申请日：2006-03-15
Applicant: 兰姆研究公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32477 , H01J37/32522 , H01J37/32642 , Y10S156/914 , Y10S156/915
Abstract: 提供了包括约束环的等离子约束环组件，这些约束环适于在环的暴露到等离子的表面上达到足够高的温度来避免这些表面上的聚合物沉积。等离子约束环包括适于将加热局限在环的包括暴露到等离子的表面的所选部分处的热阻器。热阻器减少从这些部分到环的其它部分的热传导，这使得这些环的所选部分在等离子处理期间达到期望的温度。
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公开(公告)号：CN101008072A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610127801.X
申请日：2006-01-27
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡洛·贝拉 , 丹尼尔·霍夫曼 , 叶雁 , 迈克尔·库特内 , 道格拉斯·A·布池贝尔格尔
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32082 , H01J37/32623 , Y10S156/915
Abstract: 本发明的实施例一般地涉及在等离子体处理室中限界等离子体的方法和装置。该装置可以包括与室壁具有在约0.8英寸到约1.5英寸之间的间隙距离的圈形环。如果在处理期间存在衬底，除了圈形等离子体限界环，还可以通过在等离子体处理期间将供应到顶电极的电压降低电压比并将剩余电压以负相供应在衬底支撑和衬底。可以通过改变衬底支撑和围绕顶电极的电介质密封件的阻抗，可以调节电压比。将顶电极电压降低电压比并将供应到顶电极的剩余电压以负相供应到衬底支撑，这减少了被吸引到接地室壁的等离子体的量并因此改良了等离子体限界。这种等离子体限界的方法称作阻抗限界。可以通过所述的圈形环、阻抗限界方案或其两者结合来改良等离子体限界。
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公开(公告)号：CN1316095A
公开(公告)日：2001-10-03
申请号：CN00801263.6
申请日：2000-06-29
Applicant: 兰姆研究有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32642 , Y10S156/915
Abstract: 公开了一种处理半导体衬底的等离子体处理反应器。装置包括室。此外,室包括支撑衬底的下电极。装置还包括设置以环绕衬底周边的固定均匀环。此外,固定均匀环连接到室的一部分,并以一段间距设置在下电极上,在下电极上形成垂直的空间。此外,设置垂直空间为进出衬底提供空间。此外固定均匀环的厚度基本上减少了第一组分从固定均匀环外朝衬底的边缘扩散。
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公开(公告)号：CN102741986A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180005916.0
申请日：2011-01-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4404 , B29C59/14 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67069 , H01L21/68757 , Y10S156/915
Abstract: 本发明的蚀刻方法包括：将基板搬入处理容器内并载置于载置台的工序；蚀刻工序，以包围基板的方式配置有环部件的状态下，从与基板对置的气体供给部喷淋状地排出处理气体，并且使处理气体等离子体化，对被蚀刻膜进行蚀刻，其中，所述环部件至少表面部的主成分与被蚀刻膜的主成分为相同材质；和经由排气通道对所述处理容器内抽真空的工序。由此能够抑制基板的周端部附近的等离子体的活性种分布的偏差。
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公开(公告)号：CN101008072B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200610127801.X
申请日：2006-01-27
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡洛·贝拉 , 丹尼尔·霍夫曼 , 叶雁 , 迈克尔·库特内 , 道格拉斯·A·布池贝尔格尔
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32082 , H01J37/32623 , Y10S156/915
Abstract: 本发明的实施例一般地涉及在等离子体处理室中限界等离子体的方法和装置。该装置可以包括与室壁具有在约0.8英寸到约1.5英寸之间的间隙距离的圈形环。如果在处理期间存在衬底，除了圈形等离子体限界环，还可以通过在等离子体处理期间将供应到顶电极的电压降低电压比并将剩余电压以负相供应在衬底支撑和衬底。可以通过改变衬底支撑和围绕顶电极的电介质密封件的阻抗，可以调节电压比。将顶电极电压降低电压比并将供应到顶电极的剩余电压以负相供应到衬底支撑，这减少了被吸引到接地室壁的等离子体的量并因此改良了等离子体限界。这种等离子体限界的方法称作阻抗限界。可以通过所述的圈形环、阻抗限界方案或其两者结合来改良等离子体限界。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101730931A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200880022423.6
申请日：2008-06-20
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 拉金德尔·德辛德萨 , 阿列克谢·马拉赫塔诺夫
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6732 , H01J37/32091 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , Y10S156/915
Abstract: 提供一种在等离子体处理室中处理衬底的方法。该衬底被置于卡盘上方并被第一边缘环围绕。该第一边缘环被从该卡盘电性绝缘。该方法包括提供第二边缘环。该第二边缘环被置于该衬底的边缘下方。该方法进一步包括提供耦合环。该耦合环被配置为协助从ESC(静电卡盘)组件到该第一边缘环的射频耦合，由此使得在衬底处理过程中该第一边缘环具有边缘环电势，并使得在该衬底处理过程中该射频耦合在该第一边缘环被最大化并在该第二边缘环被最小化。
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公开(公告)号：CN1300374C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN02808947.2
申请日：2002-03-21
Applicant: 兰姆研究公司
CPC classification number: C04B35/50 , B01J19/0073 , B01J19/02 , B01J2219/0218 , B01J2219/024 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3817 , C04B2235/80 , C23C16/4404 , C23C28/042 , H01J37/32477 , Y10S156/915
Abstract: 半导体工艺设备如等离子体腔室的一种抗腐蚀部件，其包含用一种含铈氧化物的陶瓷材料作为部件的最外层表面。含铈氧化物的陶瓷材料包含一种或多种铈氧化物作为其单一的最大组分。该部件可以完全由含铈氧化物的陶瓷材料制造，或者可供选择的，可用这种含铈氧化物的陶瓷在比如铝或者铝合金，陶瓷材料，不锈钢，或者难熔金属的衬底上提供一种层。可以通过一种技术比如等离子喷涂将该含铈氧化物的陶瓷层作为一种涂层提供。在部件和这种含铈氧化物的陶瓷涂层之间可以提供一个或者多个中间层。为了提高这种含铈氧化物的陶瓷涂层的附着力，在沉积该含铈氧化物的陶瓷涂层之前，可以对部件表面或者中间层表面进行一种表面粗糙化处理。
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公开(公告)号：CN102867726A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210276251.3
申请日：2006-03-15
Applicant: 兰姆研究公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32477 , H01J37/32522 , H01J37/32642 , Y10S156/914 , Y10S156/915
Abstract: 提供了包括约束环的等离子约束环组件，这些约束环适于在环的暴露到等离子的表面上达到足够高的温度来避免这些表面上的聚合物沉积。等离子约束环包括适于将加热局限在环的包括暴露到等离子的表面的所选部分处的热阻器。热阻器减少从这些部分到环的其它部分的热传导，这使得这些环的所选部分在等离子处理期间达到期望的温度。
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公开(公告)号：CN101681799B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200880012300.4
申请日：2008-04-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C03C3/06 , C03B32/00 , C03B2201/24 , C03B2201/34 , C03B2201/36 , C03C2201/3411 , C03C2201/36 , C03C2203/54 , H01L21/67069 , H01L21/68721 , H01L21/68735 , H01L21/68757 , Y02P40/57 , Y10S156/915
Abstract: 在此提供一种制造掺杂的石英组件的方法。在一实施例中，该掺杂的石英组件为掺杂钇的石英环，所述石英环配置来支撑基板。在另一实施例中，该掺杂的石英组件为掺杂钇和铝的盖环。在又一实施例中，该掺杂的石英组件为含钇、铝和氮的盖环。
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公开(公告)号：CN101088139B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200580044623.8
申请日：2005-12-29
Applicant: 拉姆研究有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32623 , Y10S156/915
Abstract: 一种包括具有接地壁和出口的室的真空等离子体处理器。在与壁以及出口隔开的室区域中以第一RF频率激励等离子体。一结构将等离子体约束在此区域，同时使气体能够从此区域流到出口。连接到约束结构的处于第二频率的RF电源使得该约束结构处于不同于接地点的电位，从而增加等离子体与约束结构之间的鞘层的大小，并增加约束结构的有效性。此区域包括经由与第一频率串联谐振并包括鞘层电容的电路接地的电极。
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