公开(公告)号：CN103392213A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201280010379.3

申请日：2012-02-14

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 门田道雄 ,  掘露伊保龙 ,  木村哲也 ,  栃下光

IPC: H01G7/06 ,  H03H9/17 ,  H03H9/64

CPC classification number: H01G7/06 ,  H03H9/542 ,  H03H9/64 ,  H03H9/6403 ,  H03H2003/0464

Abstract: 本发明提供一种使用介电常数因施加电压而变化的电介质层、且可实现压电谐振部件、可调谐滤波器等的压电基板的小型化的可变电容元件。可变电容元件(1)具备:压电基板(2);缓冲层(3)，其形成在所述压电基板(2)上，具有取向性;电介质层(4)，其形成在所述缓冲层(3)上，介电常数因施加电压而变化;和第1电极以及第2电极，被设置成可对所述电介质层(4)施加电场。

公开(公告)号：CN106026964A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610361145.3

申请日：2016-05-29

Applicant: 邱星星 ,  石以瑄 ,  邱树农 ,  石恩地 ,  邱书涯 ,  石宇琦 ,  韩露

Inventor： 邱星星 ,  石以瑄 ,  邱树农 ,  石恩地 ,  邱书涯 ,  石宇琦 ,  韩露

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/05 ,  H03H9/17 ,  H03H9/54

CPC classification number: H01P1/201 ,  H03H9/0014 ,  H03H9/173 ,  H03H9/568 ,  H03H9/583 ,  H03H2003/0464 ,  H03H2009/02196 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/02047 ,  H03H9/0504 ,  H03H9/54 ,  H03H2009/02173

Abstract: 本发明提供了可调薄膜体声波谐振器和滤波器，涉及到与半导体压电结构相关的结特性，通过调整施加的直流偏压进而改变具有受控掺杂浓度的半导体压电结构使谐振器的中心频率或带宽可调，以形成微波应用中可调微波声学滤波器和可调振荡器。

公开(公告)号：CN1130013C

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN95119782.7

申请日：1995-11-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 和高修三 ,  三须幸一郎 ,  永塚勉 ,  木村友则 ,  龟山俊平 ,  前田智佐子 ,  山田朗 ,  本多俊久

IPC: H03H9/15 ,  H01L41/08

CPC classification number: H03H9/174 ,  H03B5/326 ,  H03F3/195 ,  H03H9/02228 ,  H03H9/0542 ,  H03H9/173 ,  H03H9/176 ,  H03H2003/0464

Abstract: 借助于同半导体电路一起制作一个具有宽的带宽的滤波器或一个具有宽的振荡频率范围的谐振器，本发明的实施例提供了一种小而特性良好的体声波器件。在本发明的实施例中，体声波器件包含一个其上带有介电物质层的半导体衬底，介电物质层上有一个接地导体层，接地导体层上有一个压电陶瓷薄膜，而压电陶瓷薄膜上有一个导电电极图形。压电陶瓷薄膜的厚度为接地导体层厚度的10倍以上，且沿平行于压电陶瓷薄膜表面的方向传播的声波的波数同压电陶瓷薄膜厚度的乘积小于2。

公开(公告)号：CN103392213B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201280010379.3

申请日：2012-02-14

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 门田道雄 ,  掘露伊保龙 ,  木村哲也 ,  栃下光

IPC: H01G7/06 ,  H03H9/17 ,  H03H9/64

CPC classification number: H01G7/06 ,  H03H9/542 ,  H03H9/64 ,  H03H9/6403 ,  H03H2003/0464

Abstract: 本发明提供一种使用介电常数因施加电压而变化的电介质层、且可实现压电谐振部件、可调谐滤波器等的压电基板的小型化的可变电容元件。可变电容元件(1)具备：压电基板(2)；缓冲层(3)，其形成在所述压电基板(2)上，具有取向性；电介质层(4)，其形成在所述缓冲层(3)上，介电常数因施加电压而变化；和第1电极以及第2电极，被设置成可对所述电介质层(4)施加电场。

公开(公告)号：CN1131844A

公开(公告)日：1996-09-25

申请号：CN95119782.7

申请日：1995-11-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 和高修三 ,  三须幸一郎 ,  永塚勉 ,  木村友则 ,  龟山俊平 ,  前田智佐子 ,  山田朗 ,  本多俊久

IPC: H03H9/15 ,  H01L41/08

CPC classification number: H03H9/174 ,  H03B5/326 ,  H03F3/195 ,  H03H9/02228 ,  H03H9/0542 ,  H03H9/173 ,  H03H9/176 ,  H03H2003/0464

Abstract: 借助于同半导体电路一起制作一个具有宽的带宽的滤波器或一个具有宽的振荡频率范围的谐振器，本发明的实施例提供了一种小而特性良好的体声波器件。在本发明的实施例中，体声波器件包含一个其上带有介电物质层的半导体衬底，介电物质层上有一个接地导体层，接地导体层上有一个压电陶瓷薄膜，而压电陶瓷薄膜上有一个导电电极图形。压电陶瓷薄膜的厚度为接地导体层厚度的10倍以上，且沿平行于压电陶瓷薄膜表面的方向传播的声波的波数同压电陶瓷薄膜厚度的乘积小于2。