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公开(公告)号：CN1071758A
公开(公告)日：1993-05-05
申请号：CN91109923.9
申请日：1991-10-14
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01N2291/044
Abstract: 一种利用脉冲压缩技术的检查装置，其中信号发生器产生一个含有信号Sap(t)、Saq(t)、Sbp(t)和Sbq(t)的复合发射信号，并通过探头将复合发射信号发射到物体。第一相关器对回波信号Rap(t)、Raq(t)、Rbp(t)和Rbq(t)进行相关操作，以提供相关结果Caap(t)、Caaq(t)、Cbbp(t)和Cbbq(t)。第二相关器对上述相关结果Caap(t)、Caaq(t)、Cbbp(t)和Cbbq(t)。再进行相关操作，以提供压缩脉冲Caapp(t)、Caaqq(t)、Cbbpp(t)和Cbbqq(t)。这些结果由加法器相加，以提供一个具有幅度大的主瓣和幅度小的旁瓣的复合压缩脉冲C。
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公开(公告)号：CN1166012C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN00802675.0
申请日：2000-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L41/08
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/04 , H03H9/02133 , H03H9/02157 , H03H9/176 , H03H2003/0428
Abstract: 一种薄膜压电元件，包括：硅衬底1；由硅衬底1上形成的氮化硅膜16和在氮化硅膜16的上侧形成的氧化硅膜2组成的介质膜21；在介质膜21上形成的下部电极3；在下部电极3上形成的压电体膜17；以及在压电体膜17上形成的上部电极5；其中，通过从硅衬底1的底面至氮化硅膜16的边界面除去与包括上部电极5存在部位的区域相对的硅衬底1部位的厚度方向部分来形成通孔6。
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公开(公告)号：CN1316131A
公开(公告)日：2001-10-03
申请号：CN00801252.0
申请日：2000-07-05
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03H9/02559 , H03H9/14538 , H03H9/25 , H03H9/643
Abstract: 一种弹性波装置,在以铌酸锂为主要成分的压电体的基板上形成由具有规定厚度的导体构成的指状电极,以从Y晶轴绕上述铌酸锂的X晶轴转动55°到57°的范围的面为上述基板表面;电极指的占空比(电极指宽w/电极指的排列周期p)大于0.4而小于1.0。
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公开(公告)号：CN1131844A
公开(公告)日：1996-09-25
申请号：CN95119782.7
申请日：1995-11-24
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03B5/326 , H03F3/195 , H03H9/02228 , H03H9/0542 , H03H9/173 , H03H9/176 , H03H2003/0464
Abstract: 借助于同半导体电路一起制作一个具有宽的带宽的滤波器或一个具有宽的振荡频率范围的谐振器，本发明的实施例提供了一种小而特性良好的体声波器件。在本发明的实施例中，体声波器件包含一个其上带有介电物质层的半导体衬底，介电物质层上有一个接地导体层，接地导体层上有一个压电陶瓷薄膜，而压电陶瓷薄膜上有一个导电电极图形。压电陶瓷薄膜的厚度为接地导体层厚度的10倍以上，且沿平行于压电陶瓷薄膜表面的方向传播的声波的波数同压电陶瓷薄膜厚度的乘积小于2。
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公开(公告)号：CN1391725A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN00811020.4
申请日：2000-11-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03H3/10
CPC classification number: H04N5/367 , H04N5/232 , H04N5/357 , H04N5/3572 , H04N7/165 , H04N19/00 , H04N21/4143 , H04N21/482 , H04N21/84
Abstract: 一种在压电基板1上形成了包括由导体构成的交叉指状电极4、5的电极的弹性波装置，在上述交叉指状电极4、5及反射器9上淀积以氧化硅为主要成分的电介质薄膜，适当地设定该电介质薄膜的厚度。而且，通过适当地设定电介质薄膜的厚度，保护电极不受微细金属屑的影响，另外，能获得为了避免来自外部的影响而不需要气密地封装在外壳内的弹性波装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1223743A
公开(公告)日：1999-07-21
申请号：CN97195801.7
申请日：1997-04-24
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L41/107
Abstract: 通过根据晶片(11)上的位置改变上部电极(18a、18b)的长度Le或宽度We、输入输出上部电极(18a、18b)间距离Lg、引出电极(19a、19b)的长度La或宽度Wa、焊接区(20a、20b)的面积、与焊接区(20a、20b)进行导电性连接的电容器的电极面积等的薄膜压电元件(12a、12b、12c)的图形形状中的至少一个以上参数,可补偿因晶片(11)上的位置不同而产生的上述薄膜压电元件(12a、12b、12c)的特性偏差,可实现与晶片(11)上的位置无关的、特性相同的薄膜压电元件(12a、12b、12c)。
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公开(公告)号：CN1031367C
公开(公告)日：1996-03-20
申请号：CN91109923.9
申请日：1991-10-14
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01N2291/044
Abstract: 一种利用脉冲压缩技术的检查装置，其中信号发生器产生一个含有信号Sap(t)、Saq(t)、Sbp(t)和Sbq(t)的复合发射信号，并通过探头将复合发射信号发射到物体。第一相关器对回波信号Rap(t)、Raq(t)、Rbp(t)和Rbq(t)进行相关操作，以提供相关结果Caap(t)、Caaq(t)、Cbbp(t)和Cbbq(t)。第二相关器对上述相关结果Caap(t)、Caaq(t)、Cbbp(t)和Cbbq(t)再进行相关操作，以提供压缩脉冲Caapp(t)、Caaqq(t)和Cbbqq(t)。这些结果由加法器相加，以提供一个具有幅度大的主瓣和幅度小的旁瓣的复合压缩脉冲C。
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公开(公告)号：CN1171382C
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN98805170.2
申请日：1998-08-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03H9/17
CPC classification number: H03H9/174 , H03H9/02133 , H03H9/177 , H03H9/562 , H03H9/564
Abstract: 在具有基板、在上述基板的一面形成的下部电极、在上述下部电极上形成的压电薄膜和在上述压电薄膜上形成的第1上部电极的薄膜压电元件中，进而具有从上述第1上部电极的中心看在上述压电薄膜上的上述第1上部电极的外侧形成的质量负荷比上述第1上部电极大的第2上部电极，上述压电薄膜具有高频区截止型的弥散特性。可以使质量负荷大的第2上部电极部压电体的截止频率比第1上部电极部压电体的截止频率低，在第1上部电极部侧的区域可以将弹性波的能量封闭，从而可以实现良好的性能。
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公开(公告)号：CN1337070A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN00802675.0
申请日：2000-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L41/08
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/04 , H03H9/02133 , H03H9/02157 , H03H9/176 , H03H2003/0428
Abstract: 一种薄膜压电元件,包括:硅衬底1;由硅衬底1上形成的氮化硅膜16和在氮化硅膜16的上侧形成的氧化硅膜2组成的介质膜21;在介质膜21上形成的下部电极3;在下部电极3上形成的压电体膜17;以及在压电体膜17上形成的上部电极5;其中,通过从硅衬底1的底面至氮化硅膜16的边界面除去与包括上部电极5存在部位的区域相对的硅衬底1部位的厚度方向部分来形成通孔6。
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公开(公告)号：CN1256809A
公开(公告)日：2000-06-14
申请号：CN98805170.2
申请日：1998-08-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03H9/17
CPC classification number: H03H9/174 , H03H9/02133 , H03H9/177 , H03H9/562 , H03H9/564
Abstract: 在具有基板、在上述基板的一面形成的下部电极、在上述下部电极上形成的压电薄膜和在上述压电薄膜上形成的第1上部电极的薄膜压电元件中,进而具有从上述第1上部电极的中心看在上述压电薄膜上的上述第1上部电极的外侧形成的质量负荷比上述第上部电极大的第2上部电极,上述压电薄膜具有高频区截止型的弥散特性。可以使质量负荷大的第2上部电极部压电体的截止频率比第1上部电极部压电体的截止频率低,在第1上部电极部侧的区域可以将弹性波的能量封闭,从而可以实现良好的性能。
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