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公开(公告)号：CN109117830A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811105001.7
申请日：2018-09-21
Applicant: 上海晔芯电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种图像传感器，所述图像传感器包括一跟踪模块，用于根据控制对一个或多个目标ROI进行跟踪。本发明还提供一种目标跟踪系统，所述目标跟踪系统包括所述图像传感器和后端处理单元，所述后端处理单元包括一检测模块和识别模块，所述检测模块通过自动检测模式或自定义模式对图像进行检测分析以检测出一个或多个目标ROI，所述识别模块对所述一个或多个目标ROI进行识别处理。所述图像传感器同时输出两路视频图像信号，一路全景视频画面输入到所述后端处理单元进行检测，另一路输出高分辨率且仅包含一个或多个跟踪目标的视频画面到所述后端处理单元识别处理后输出。本发明还提供一种目标跟踪方法。
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公开(公告)号：CN108419033A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810172286.X
申请日：2018-03-01
Applicant: 上海晔芯电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于拐点的HDR图像传感器像素结构及成像系统，该像素结构的复位晶体管耦接至浮动扩散节点及第一电压源之间，其光电二极管分别通过滚动曝光传输单元以及全局曝光传输单元耦接至所述浮动扩散节点；所述滚动曝光传输单元可以用于在光电二极管的曝光过程中提供平衡电流以控制满阱电荷量。由于能够使用两种曝光模式传输单元来转移电荷，因而本发明的像素结构可以支持多种曝光模式，并且由于滚动曝光传输单元可用于在光电二极管的曝光过程中提供平衡电流来控制满阱电荷，改变信号传输增益,从而使得本像素结构具有高动态范围特性。
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公开(公告)号：CN108282621A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810172628.8
申请日：2018-03-01
Applicant: 上海晔芯电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种降低LED光源闪烁影响的图像传感器像素结构及成像系统，该像素结构的复位晶体管的一端耦接至第一电压源，其另一端通过双转换增益控制单元耦接至浮动扩散节点；其大面积光电二极管通过第一传输晶体管耦接至浮动扩散节点，其小面积光电二极管一路通过第一控制晶体管耦接至第一电压源，另一路通过斩波式滚动曝光传输单元耦接至浮动扩散节点。由于采用两种不同大小面积的光电二极管组合，利用大面积光电二极管持续曝光来捕获弱光信息，利用小面积光电二极管间断性地曝光来捕捉LED光源信号(高亮信号)，从而使得该像素结构不仅能防止过曝，而且能避免LED光源信息丢失，可以将LED信号完整保留，降低了LED光源闪烁的影响。
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公开(公告)号：CN108040252A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711384884.5
申请日：2017-12-20
Applicant: 上海晔芯电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提升寄生光灵敏度的方法，用于提升电压域8T全局快门像素结构的寄生光灵敏度，包括步骤：提供电压域8T全局快门像素结构，包括依次相连的感光二极管、相关双采样读取电路、相关双采样保持电路及相关双采样输出电路，相关双采样保持电路包括第一MOS管开关、第二MOS管开关、第一电容及第二电容；通过调整相关双采样保持电路中的MOS管开关的结构，对第一电容的漏电流Isigleak或第二电容的漏电流Irstleak进行补偿调节，使得Csig*Irstleak＝Crst*Isigleak。本发明通过调整MOS管开关的沟道/有源区的物理形状或尺寸，或通过离子注入手段调整MOS管开关的沟道/有源区的物理电学性质，来补偿调节存储电容的漏电流，能有效消除电容漏电对相关双采样输出电压的影响，提升寄生光灵敏度。
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公开(公告)号：CN109040624A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811035574.7
申请日：2018-09-06
Applicant: 上海晔芯电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种像素电路，所述像素电路包括多个按行和列排列的像素单元构成的像素阵列，每个像素单元包括具有共享结构的两路感光像素；每个所述像素单元的两路感光像素设置于同一列的相邻两行；相邻两列的两个所述像素单元分别只有一路感光像素设置于同一行；所述相邻两列的两个所述像素单元中相同颜色的感光像素分别设置在所述相邻两列且设置在相邻两行，相邻两行感光像素沿着行方向中心线对称设置；所述每个像素单元包括复位晶体管和源极跟随晶体管。本发明还提供一种像素电路的读取方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108322677A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810172635.8
申请日：2018-03-01
Applicant: 上海晔芯电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种支持多种曝光模式的HDR图像传感器像素结构及成像系统，该像素结构的复位晶体管的一端耦接至第一电压源，其另一端通过双转换增益控制单元耦接至浮动扩散节点；其大面积光电二极管通过第一传输晶体管耦接至浮动扩散节点，其小面积光电二极管一路通过滚动曝光传输单元耦接至浮动扩散节点或复位晶体管与双转换增益控制单元之间的节点，另一路通过全局曝光传输单元耦接至复位晶体管与双转换增益控制单元之间的节点。由于采用两种不同大小面积的光电二极管组合，通过两种曝光模式传输单元来转移小面积光电二极管曝光结束后积累的电荷，使得本发明的像素结构可以支持多种曝光模式，并且可实现果冻效应矫正、LED闪烁衰减等特殊功能应用。
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公开(公告)号：CN108322676A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810172634.3
申请日：2018-03-01
Applicant: 上海晔芯电子科技有限公司
CPC classification number: H04N5/355 , H04N5/3537 , H04N5/369
Abstract: 本发明公开了一种对LED光源闪烁免疫的图像传感器像素结构及成像系统，该像素结构的复位晶体管的一端耦接至第一电压源，其另一端通过双转换增益控制单元耦接至浮动扩散节点；其大面积光电二极管通过第一传输晶体管耦接至浮动扩散节点，其小面积光电二极管一路通过第一控制晶体管耦接至第一电压源，另一路通过第一曝光传输单元与第二曝光传输单元的并联电路耦接至浮动扩散节点。由于采用两种不同大小面积的光电二极管组合，利用大面积光电二极管持续曝光来捕获弱光信息，利用小面积光电二极管间断性地曝光来捕捉LED光源信号(高亮信号)，从而使得该像素结构不仅能防止过曝，而且能避免LED光源信息丢失，可以将LED信号完整保留。
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公开(公告)号：CN108259793A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810261357.3
申请日：2018-03-27
Applicant: 上海晔芯电子科技有限公司
Abstract: 本发明提出一种图像传感器的黑电平校准方法及系统，该方法包括：根据黑行数据的数值变化情况而将其划分为左侧区域、中间区域和右侧区域，并根据左侧区域与中间区域的亮度均值比值、及右侧区域与中间区域的亮度均值比值计算修正参数；分别设定水平方向上和竖直方向上的系数曲线，并分割为若干段曲线，根据修正参数及各段曲线的标定参数而计算各段曲线的各次项系数；根据各段曲线的曲线方程，计算出图像数据行的每个坐标点对应的竖直校准系数和水平校准系数；针对图像数据行的每个坐标点，根据每个坐标点对应的竖直校准系数和水平校准系数，校准计算有效数据所对应的黑电平数据值。可实现黑电平对应亮度值的修正，克服图像有效亮度因温度变化而发生四周发亮的问题。
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公开(公告)号：CN107248147A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710425536.1
申请日：2017-06-07
Applicant: 上海晔芯电子科技有限公司
Inventor： 王毫杰
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明提供了一种RAW RGB图像中坏点消除的方法，将一RAW RGB图像中的R像素和B像素转换为G像素，从而将所述RAW RGB图像转换为G域图像，在所述G域图像中进行坏点判断，并且再在G域图像中进行坏点的消除和还原，在上述的过程中，仅利用坏点所在的当前行以及前一行的数据即可实现，大大减少了当前技术方案中所需要的数据的量，从而减少了数据处理的时间，增大了实时处理的可能性，同时减少了需要的硬件面积，降低了资源消耗。
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公开(公告)号：CN109040633A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811303591.4
申请日：2018-11-02
Applicant: 上海晔芯电子科技有限公司
Abstract: 本发明提出一种具有增益补偿的HDR图像传感器，包括像素阵列，控制电路及读出电路。控制电路根据控制以顺序读取所述像素阵列输出的低转换增益的复位信号、高转换增益的复位信号、高转换增益的图像信号及低转换增益的图像信号；读出电路包括选择开关，低转换增益模数转换电路和高转换增益模数转换电路。选择开关控制选择所述读出电路半行读取像素阵列的像素输出及低转换增益模数转换电路和高转换增益模数转换电路的切换；低转换增益模数转换电路用于量化在低转换增益下输出的复位信号和图像信号；高转换增益模数转换电路用于量化在高转换增益下输出的复位信号和图像信号。本发明还提供一种具有增益补偿的HDR图像传感器读出电路及实现方法。
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