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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1564780B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN02819846.8
申请日：2002-07-25
Applicant: 罗伯特-博希股份公司
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C2201/0115 , B81C2201/0136 , G01L9/0042
Abstract: 本发明涉及一种制造一个具有一个半导体载体(1)的半导体构件的方法，其中为形成无支撑式的用于一个构件的结构(3)而制造了一个平面的多孔的薄膜层(3)和一个在该多孔的薄膜层(3)之下的凹槽(2)。本发明的任务是避免在制造时或者在有规则地出现的使用情况下发生薄膜损坏。所述任务可以通过不同的方式措施来解决。在第一种解决方案中半导体载体(1)在形成薄膜的部位中与凹槽相比获得不同种类和程度的掺杂，因而可以制成不同的孔隙尺寸和/或孔隙率，这在产生凹槽时可以用来改善腐蚀气体的运输。然而该任务也可以在形成薄膜的部位中产生中孔隙，而在以后形成凹槽的部位中产生纳米孔隙来作为辅助结构。此外还建议了一个基于一种或多种所述方法的半导体构件。
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公开(公告)号：CN1243576A
公开(公告)日：2000-02-02
申请号：CN98801650.8
申请日：1998-01-05
Applicant: 西门子公司
IPC: G01P15/08
CPC classification number: B81C1/00595 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C2201/0136 , G01P15/0802
Abstract: 本发明涉及具有在一个空腔(9)内构成一个膜片(7)的一种微机械半导体装置。膜片(7)是由在半导体装置上的一个基片(1)内的或在一个基片(1)上安排的外延层序列内的一个结晶层构成的。膜片(7)的边缘区域是支撑在一个支柱(6)上的,和由支撑在一个支座(5)上的一个盖层(4)覆盖着的。支柱(6)和支座(5)为一方面和膜片(7)为另一方面,是用对一种预先规定的湿法化学腐蚀剂有不同的腐蚀速率的材料制造的,并且最好是用不同的掺杂材料构成的。
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公开(公告)号：CN102056839B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN200980121874.X
申请日：2009-04-21
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C2201/0115 , B81C2201/0136 , G01L9/0042
Abstract: 本发明提出一种用于制造具有来自衬底背侧的入口的微机械膜片结构的方法。所述方法基于p掺杂的硅衬底(1)并且包括以下方法步骤：n掺杂衬底表面的至少一个连续的栅格状区域(2)，多孔蚀刻所述n掺杂的栅格结构(2)下方的衬底区域(5)，在所述n掺杂的栅格结构(2)下方的所述衬底区域(5)中产生一空腔(7)；在所述n掺杂的栅格结构(2)上生长第一单晶的硅外延层(8)。其特征在于，如此确定所述n掺杂的栅格结构(2)的至少一个开口(6)的尺寸，使得它不被生长的第一外延层(8)封闭，而是形成通到所述空腔(7)的进入开口(9)；在空腔壁上产生氧化层(10)；产生通到所述空腔(7)的背侧入口(13)，其中，所述空腔壁上的氧化层(10)充当蚀刻终止层；以及去除所述空腔(7)的区域中的氧化层(10)，使得形成通到被构造在所述空腔(7)上方的膜片结构(14)的背侧入口(13)。
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公开(公告)号：CN102056839A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121874.X
申请日：2009-04-21
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C2201/0115 , B81C2201/0136 , G01L9/0042
Abstract: 本发明提出一种用于制造具有来自衬底背侧的入口的微机械膜片结构的方法。所述方法基于p掺杂的硅衬底(1)并且包括以下方法步骤：n掺杂衬底表面的至少一个连续的栅格状区域(2)，多孔蚀刻所述n掺杂的栅格结构(2)下方的衬底区域(5)，在所述n掺杂的栅格结构(2)下方的所述衬底区域(5)中产生一空腔(7)；在所述n掺杂的栅格结构(2)上生长第一单晶的硅外延层(8)。其特征在于，如此确定所述n掺杂的栅格结构(2)的至少一个开口(6)的尺寸，使得它不被生长的第一外延层(8)封闭，而是形成通到所述空腔(7)的进入开口(9)；在空腔壁上产生氧化层(10)；产生通到所述空腔(7)的背侧入口(13)，其中，所述空腔壁上的氧化层(10)充当蚀刻终止层；以及去除所述空腔(7)的区域中的氧化层(10)，使得形成通到被构造在所述空腔(7)上方的膜片结构(14)的背侧入口(13)。
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公开(公告)号：CN1564780A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN02819846.8
申请日：2002-07-25
Applicant: 罗伯特-博希股份公司
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C2201/0115 , B81C2201/0136 , G01L9/0042
Abstract: 本发明涉及一种制造一个具有一个半导体载体(1)的半导体构件的方法，其中为形成无支护的用于一个构件的结构(3)而制造了一个平面的多孔的薄膜层(3)和一个在该多孔薄膜层(3)之下的凹槽(2)。本发明的任务是避免在制造时或者在有规则地出现的使用情况下发生薄膜损坏。所述任务可以通过不同的方式措施来解决。在第一种解决方案中半导体载体(1)在薄膜部位中与凹槽相比获得不同的掺杂，因而可以制成不同的孔隙尺寸和/或孔隙率，这在产生凹槽时可以用来改善腐蚀气体的运输。然而该任务也可以在薄膜部位中产生中孔隙，而在以后的凹槽部位中产生纳米孔隙来作为辅助结构。此外还建议了一个基于一种或多种所述方法的半导体构件。
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