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公开(公告)号：CN104098065A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410145511.2
申请日：2014-04-11
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81C1/0015 , B81B3/0021 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2207/09 , B81C1/00047 , B81C1/00269 , B81C1/00365 , B81C1/00531 , B81C1/00936 , B81C2201/0104 , B81C2201/0107 , B81C2201/0121 , B81C2201/0125 , B81C2201/0132 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , B81C2203/0714 , G06F17/5009
Abstract: 本发明公开微电子机械系统（MEMS）结构、制造方法和设计结构。该方法包括：通过使至少在微电子机械系统（MEMS）梁之上和之下的钨材料和半导体材料两者排出以在MEMS梁之上形成上腔体结构和在MEMS梁之下形成下腔体结构，来形成MEMS梁结构。
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公开(公告)号：CN100383595C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200610005939.2
申请日：2006-01-19
Applicant: 弗兰霍菲尔运输应用研究公司
CPC classification number: B81C1/00142 , B81B2201/042 , B81C1/00611 , B81C2201/0121 , B81C2201/019 , G02B26/0833
Abstract: 一种用于制造带有与支持晶片隔开设置的可动部分的装置的方法，包括提供具有结构化表面的支持晶片的步骤，以及提供带有支持层和设置在其上的装置层的装置晶片的步骤。另外，该方法包括由支持晶片上的第一起始材料、采用第一种方法填充到支持晶片的结构化表面的结构中，生成第一平整化层，从而得到具有第一等级平整化程度的表面的步骤。此外，该方法包括由支持晶片的经过平整的表面上的第二起始材料、采用第二种方法得到具有高于第一等级平整化程度的第二等级平整化程度的表面，生成第二平整化层，其中第一和第二平整化层可以被一同去除的步骤。另外，将支持晶片连接到装置晶片，使得装置层和支持晶片的平整化表面相连接。然后，去除装置晶片的支持层，接着对所得到的结构进行构造，并通过普通方法去除第一和第二平整化层，以生成装置的可动部分。
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公开(公告)号：CN102812538B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201180007647.1
申请日：2011-01-26
Applicant: 盾安美斯泰克股份有限公司
Inventor： P.阿鲁纳萨拉姆
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/302 , B81C1/00611 , B81C2201/0121 , B81C2203/036 , H01L21/02057
Abstract: 促进诸如硅晶片的半导体组件的接合的非磨蚀方法，这些半导体组件在接合界面表面上具有微结构缺陷。在优选的方法中，微结构缺陷通过以下方式去除：在该接合界面表面上形成氧化物层至低于该缺陷的水平的深度，且然后，去除该氧化物层以暴露出用于接合的满意表面，由此增加生产线的产率且降低制造设施中的废品起因。
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公开(公告)号：CN104364331A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380026727.0
申请日：2013-05-21
Applicant: 巴斯夫欧洲公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: C09G1/02 , B81C2201/0121 , B81C2201/0123 , B81C2201/0126 , H01L21/02024 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/30625 , H01L21/3212 , H01L21/461
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体装置的方法，其包括在化学机械抛光组合物(Q1)存在下对含至少一种III-V族材料的基材或层进行化学机械抛光，该组合物(Q1)包含：(A)无机颗粒、有机颗粒、或其混合物或复合物，(B)至少一种两性非离子表面活性剂，其具有(b1)至少一个疏水性基团；及(b2)至少一个选自聚氧化烯基团的亲水性基团，所述聚氧化烯基团包含(b22)除氧化乙烯单体单元以外的氧化烯单体单元；及(M)水性介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107249892A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680010417.3
申请日：2016-02-03
Applicant: 马姆杰特科技有限公司
CPC classification number: B81C1/00611 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1639 , B41J2/1645 , B81B2201/052 , B81B2203/0353 , B81C2201/0104 , B81C2201/0121 , B81C1/00087
Abstract: 一种用于填充限定在晶片衬底的前侧表面中的一个或多个蚀刻孔的方法。所述方法包括以下步骤：(i)将热塑性第一聚合物层沉积到所述前侧表面上和每个孔中；(ii)回流所述第一聚合物；(iii)将所述晶片衬底暴露于受控的氧化等离子体；(iv)任选地重复步骤(i)至(iii)；(v)沉积可光成像的第二聚合物层；(vi)使用曝光和显影从这些孔的外周外侧的区域选择性地去除所述第二聚合物；以及(vii)平坦化所述前侧表面以提供用包含彼此不同的所述第一和第二聚合物的堵塞物填充的孔。每个堵塞物具有与所述前侧表面共面的相应上表面。
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公开(公告)号：CN102812538A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201180007647.1
申请日：2011-01-26
Applicant: 盾安美斯泰克股份有限公司
Inventor： P.阿鲁纳萨拉姆
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/302 , B81C1/00611 , B81C2201/0121 , B81C2203/036 , H01L21/02057
Abstract: 促进诸如硅晶片的半导体组件的接合的非磨蚀方法，这些半导体组件在接合界面表面上具有微结构缺陷。在优选的方法中，微结构缺陷通过以下方式去除：在该接合界面表面上形成氧化物层至低于该缺陷的水平的深度，且然后，去除该氧化物层以暴露出用于接合的满意表面，由此增加生产线的产率且降低制造设施中的废品起因。
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公开(公告)号：CN100575242C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200580011761.6
申请日：2005-02-17
Applicant: 无线微机电有限公司
Inventor： 周嘉兴
CPC classification number: B81C1/00611 , B81C2201/0121 , H01H59/0009 , H01H2059/0072 , Y10T29/49105
Abstract: 一种用来使机电器件准平面化、并在所述机电器件上形成耐用金属接触点的方法、以及使用所述方法制作的器件。所述方法的两个主要方面包括：在衬底上形成平面化的介电/导电层，以及在微机电开关的电枢上形成电极，其中电极如此形成使得其与电枢的结构层互锁以便确保经过多次开关使用后仍可与电枢保持接触。本发明也涉及用于制作具有公共接地平面的微机电开关的系统和方法。制作微机电开关的方法包括：在衬底上制作公共接地平面层的图案；在公共接地平面层上形成介电层；沉积DC电极区，通过介电层与公共接地平面层接触；以及在DC电极区上沉积导电层，使得导电层区接触DC电极区，从而使得公共接地平面层为导电层区提供公共接地。
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公开(公告)号：CN101018734A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200580011761.6
申请日：2005-02-17
Applicant: 无线微机电有限公司
Inventor： 周嘉兴
CPC classification number: B81C1/00611 , B81C2201/0121 , H01H59/0009 , H01H2059/0072 , Y10T29/49105
Abstract: 一种用来使机电器件准平面化、并在所述机电器件上形成耐用金属接触点的方法、以及使用所述方法制作的器件。所述方法的两个主要方面包括：在衬底上形成平面化的介电/导电层，以及在微机电开关的电枢上形成电极，其中电极如此形成使得其与电枢的结构层互锁以便确保经过多次开关使用后仍可与电枢保持接触。本发明也涉及用于制作具有公共接地平面的微机电开关的系统和方法。制作微机电开关的方法包括：在衬底上制作公共接地平面层的图案；在公共接地平面层上形成介电层；沉积DC电极区，通过介电层与公共接地平面层接触；以及在DC电极区上沉积导电层，使得导电层区接触DC电极区，从而使得公共接地平面层为导电层区提供公共接地。
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公开(公告)号：CN1811521A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610005939.2
申请日：2006-01-19
Applicant: 弗兰霍菲尔运输应用研究公司
CPC classification number: B81C1/00142 , B81B2201/042 , B81C1/00611 , B81C2201/0121 , B81C2201/019 , G02B26/0833
Abstract: 一种用于制造带有与支持晶片隔开设置的可动部分的装置的方法，包括提供具有结构化表面的支持晶片的步骤，以及提供带有支持层和设置在其上的装置层的装置晶片的步骤。另外，该方法包括由支持晶片上的第一起始材料、采用第一种方法填充到支持晶片的结构化表面的结构中，生成第一平整化层，从而得到具有第一等级平整化程度的表面的步骤。此外，该方法包括由支持晶片的经过平整的表面上的第二起始材料、采用第二种方法得到具有高于第一等级平整化程度的第二等级平整化程度的表面，生成第二平整化层，其中第一和第二平整化层可以被一同去除的步骤。另外，将支持晶片连接到装置晶片，使得装置层和支持晶片的平整化表面相连接。然后，去除装置晶片的支持层，接着对所得到的结构进行构造，并通过普通方法去除第一和第二平整化层，以生成装置的可动部分。
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