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公开(公告)号：CN113292249B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110589903.8
申请日：2021-05-28
Abstract: 一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，先制备MoS2纳米管阵列，然后在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后在MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。具体，先在基片表面用ALD法沉积ZnO籽晶层，再用水热法生长ZnO纳米棒阵列，随后将基片固定放入反应釜中在纳米棒表面包覆MoS2薄膜，用硫酸刻蚀得到MoS2纳米管阵列，再用ALD法在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后用连续离子层吸附反应法制备Ag2S量子点，得MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。所产生的纳米管存在两层异质界面，可通过调控各层厚度去调节整体的能带结构和光电特性，适用于光伏电池和光催化剂等领域。
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公开(公告)号：CN113292249A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110589903.8
申请日：2021-05-28
Abstract: 一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，先制备MoS2纳米管阵列，然后在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后在MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。具体，先在基片表面用ALD法沉积ZnO籽晶层，再用水热法生长ZnO纳米棒阵列，随后将基片固定放入反应釜中在纳米棒表面包覆MoS2薄膜，用硫酸刻蚀得到MoS2纳米管阵列，再用ALD法在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后用连续离子层吸附反应法制备Ag2S量子点，得MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。所产生的纳米管存在两层异质界面，可通过调控各层厚度去调节整体的能带结构和光电特性，适用于光伏电池和光催化剂等领域。
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公开(公告)号：CN119757768A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411952267.0
申请日：2024-12-27
Applicant: 厦门大学附属第一医院(厦门市第一医院、厦门市红十字会医院、厦门市糖尿病研究所) , 厦门大学
IPC: G01N33/68 , G01N33/574 , G01N33/543
Abstract: 本发明公开了一种用于检测PSA的金属纳米粒子检测探针‑抗原‑抗体磁珠三明治夹心结构、试剂盒及其制备方法和用途。由PSA捕获磁珠，检测样本，金属纳米粒子检测探针形成三明治夹心结构，其中PSA捕获磁珠为PSA捕获抗体与磁珠生物偶联所得，抗原为PSA，金属纳米粒子检测探针为20‑200nm的金/银纳米粒子。用于检测PSA具有高灵敏度和高特异性，同时操作简单、检测迅速，能在10分钟左右即可检测前列腺癌的标志物PSA，为临床诊断和治疗提供了重要依据。
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公开(公告)号：CN119565491A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411557579.1
申请日：2024-11-04
Abstract: 公开了一种多个高压电极反应釜级联固碳的装置及其控制方法，包括高压主反应电极釜装置、气体补给电极釜装置、溶剂补给电极釜装置、固体有机物补给电极釜装置和产物接收电极釜装置。各补给电极釜装置分别与高压主反应电极釜装置相连，补给料通过各补给电极釜装置向高压主反应电极釜装置输送；高压主反应电极釜装置、溶剂补给电极釜装置和固体有机物补给电极釜装置分别与产物接收电极釜装置相连，高压主反应电极釜装置反应完成后的产物及补给料向产物接收电极釜装置输送。该装置不仅能够提高水热反应过程中分子间的反应效率，而且不涉及到催化剂的使用，能够高效低能转化二氧化碳和氨气等气体，操作过程简单，适宜工业化生产。
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公开(公告)号：CN119524155A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411736988.8
申请日：2024-11-29
Abstract: 本发明公开了一种表面吸附纳米颗粒的海绵骨针及其制备方法和用途，包括作为载体的表面带有活性硅羟基的改性蜂海绵骨针和通过该活性硅羟基负载其上的介孔二氧化硅纳米颗粒，该介孔二氧化硅纳米颗粒的平均粒径为90‑1000nm。本发明可刺入角质层打开皮肤屏障，并长时间滞留于皮肤角质层形成大量持续存在的微通道(不少于72h)，释放携载更多药物的纳米颗粒，进入皮肤放出药物发挥作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119486431A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411503767.6
申请日：2024-10-25
Inventor： 郭伟杰
IPC: H10H29/14 , H10H20/841
Abstract: 本发明提出了高色纯度的Micro‑LED芯片，包括n型电极、外延叠层和p型电极，外延叠层包括n型半导体层、多量子阱发光层和p型半导体层，多量子阱发光层位于n型半导体层和p型半导体层之间，外延叠层的侧壁包覆有第一绝缘层，外延叠层的顶面包覆有可透光的第二绝缘层，第一绝缘层的外侧设置有反射层，第二绝缘层的上方设置有环形遮光层，环形遮光层的外形轮廓与外延叠层的外形轮廓相同，环形遮光层的中部为镂空透光区域，且镂空透光区域在纵向的投影面积小于外延叠层的底面在纵向的投影面积。该Micro‑LED芯片通过环形遮光层等结构设置，提高了色纯度和光提取效率，同时优化了电学性能和发光性能。
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公开(公告)号：CN119486430A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411503742.6
申请日：2024-10-25
Inventor： 郭伟杰
IPC: H10H29/14 , H10H20/858
Abstract: 本发明提出了集成式Micro‑LED芯片，包括垂直纵向堆叠的第一子芯片、第二子芯片、第三子芯片和透明导电层，第二子芯片设置于第一子芯片和第三子芯片所处的高度之间的位置，第一子芯片和透明导电层之间设置有第一介质层，第一子芯片和第二子芯片之间设置有第二介质层，第二子芯片和第三子芯片之间设置有第三介质层，第三子芯片在水平方向的投影与第一子芯片和第二子芯片在水平方向的投影之间均不存在交集。本申请中第一子芯片、第二子芯片所产生的热量不会经过第三子芯片向下传导，降低第三子芯片的温升，提高第三子芯片的发光性能与寿命。
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公开(公告)号：CN119421587A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411312564.9
申请日：2024-09-20
Inventor： 郭伟杰
IPC: H10H29/24 , H10H29/855 , H10H20/84 , H10H20/857 , G09F9/33
Abstract: 本申请提出了垂直堆叠全彩Micro‑LED芯片与显示模组，设置有第一子芯片、第二子芯片、第三子芯片；其中，第一子芯片、第二子芯片和第三子芯片的侧壁与上下表面均设置有绝缘层，第一子芯片、第二子芯片和第三子芯片均设置有n型电极、n型半导体层、多量子阱发光层、p型半导体层和p型电极，多量子阱发光层位于n型半导体层与p型半导体层之间；第一子芯片发出蓝光，第二子芯片发出绿光，第三子芯片发出红光，三者垂直纵向堆叠；第二子芯片位于第一子芯片与第三子芯片之间；第一子芯片的p型半导体层与第二子芯片的p型半导体层面对面设置，第一子芯片的n型半导体层与第二子芯片的n型半导体层相互远离。以实现高可靠性的垂直堆叠全彩Micro‑LED芯片。
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公开(公告)号：CN113871468B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110817730.0
申请日：2021-07-20
Abstract: 本发明公开了一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法，其器件结构包括至下而上依次设置的背电极、N+型4H‑SiC外延材料基片层、AlN与Al2O3堆叠的栅介质层、栅电极。本发明通过采用高介电常数的AlN与Al2O3材料结合为叠栅结构介质层，以氮等离子体对底层栅介质AlN进行表面钝化，实现了表面平整无重构，优化了底层栅介质与上层栅介质的界面连接，改善了碳化硅MIS器件的衬底和栅介质的界面特性，提高了载流子迁移率和临界击穿场强，最终提升器件性能。
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公开(公告)号：CN118795796A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410776550.6
申请日：2024-06-17
IPC: G05B17/02
Abstract: 本发明公开了一种基于DDPG的航空发动机燃油计量阀容错控制方法。燃油计量阀卡涩故障模式下，将涡扇发动机输入输出数据输入一训练完成的DDPG神经网络模型，基于DDPG神经网络模型输出发动机控制策略；所述DDPG神经网络模型训练方法包括如下步骤：择一仿真涡扇发动机模型作为被控对象；模拟燃油计量阀卡涩故障模式，且当在该模式下时向涡扇发动机模型随机注入故障；随机初始化燃油指令，利用燃油指令控制仿真涡扇发动机模型运行，运行时实时采集发动机输入输出数据，运行过程中随机注入故障；将实时采集输入输出数据和转速指令作为DPGG神经网络的数据输入，以燃油指令作为DPGG神经网络的输出，训练所述DPGG神经网络，并利用该燃油指令控制所述仿真涡扇发动机模型运行。
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