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公开(公告)号：CN115945981B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202211684451.2
申请日：2022-12-27
Applicant: 华海清科股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基板磨削方法，其包括：实时检测磨削基板受到的磨削力；计算磨削力引起的磨削工作台的倾斜角度变化；根据基板的已加工面形和目标面形，确定磨削工作台的倾斜角度调整方案，以补偿磨削力引起的倾斜角度变化。
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公开(公告)号：CN119833452A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510314832.9
申请日：2025-03-18
Applicant: 华海清科股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆后处理装置和方法，属于半导体制造技术领域，该晶圆后处理装置包括：箱体；支撑组件，设置于箱体中，其包括主动轮和从动轮，以竖向支撑并带动晶圆转动；清洗刷，水平设置于箱体中并绕轴线转动，以刷洗晶圆；所述从动轮内部设置有垫圈，所述垫圈的外周壁配置有凹槽，用于卡接晶圆的边缘；所述凹槽的第一内侧壁和第二内侧壁配置有纹理结构，以增强晶圆卡接的可靠性。
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公开(公告)号：CN119159502B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411628959.X
申请日：2024-11-15
Applicant: 华海清科股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种厚度补偿的电涡流检测方法、装置设备和存储介质，该应用于化学机械抛光设备，该方法包括：在晶圆运行至电涡流传感器的检测区域时，获取电涡流传感器的第一感应信号，其中，电涡流传感器设置于化学机械抛光设备包括的抛光盘内，抛光盘的顶面设置有用于对晶圆上金属层进行抛光的抛光垫；在化学机械抛光设备包括的修整头扫过检测区域时，获取电涡流传感器的第二感应信号；根据第二感应信号确定抛光垫上与电涡流传感器相对区域的第一厚度值；根据第一感应信号、第一厚度值，确定晶圆上的金属层的厚度。本申请提供的厚度补偿的电涡流检测方法可以提高晶圆上金属层厚度的检测精度。
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公开(公告)号：CN116240550B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202310253838.0
申请日：2023-03-16
Applicant: 华海清科股份有限公司 , 清华大学
IPC: C23F3/06 , G09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供了一种用于化学机械抛光的抛光液及化学机械抛光方法，所述抛光液包括磨料、氧化剂、缓蚀剂、络合剂和水；其中，所述缓蚀剂包括1,2,4‑三氮唑、油酸钾或1‑苯基‑5‑巯基四氮唑中的任意一种或至少两种的组合。本发明在抛光液中加入特定组分和浓度的缓蚀剂，使得Cu/Co的抛光速率选择比处于可调状态，用以降低表面腐蚀、提高金属表面平坦化质量，防止抛光过程中造成表面粗糙、碟形和腐蚀坑等缺陷的出现。
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公开(公告)号：CN119748254A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411814618.1
申请日：2024-12-11
Applicant: 华海清科股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于晶圆边缘抛光的检测方法、装置及设备。该检测方法包括对待检测晶圆进行定位；获取定位后的待检测晶圆的平面部形貌数据和曲面部形貌数据；对平面部形貌数据和曲面部形貌数据分别进行曲线拟合，得到第一曲线和第二曲线；对曲线进行特征提取及特征点匹配；基于匹配的特征点对，计算两条曲线之间的单应性变换矩阵；确定所述第一曲线和第二曲线的重合区域；确认最佳缝合点；根据最佳缝合点将第一曲线和第二曲线进行对接，将对接后的曲线作为待检测晶圆的边缘检测曲线。通过晶圆的寻心定位，高度补偿，曲线拟合和形貌观测等功能的集成一体化设计，确保了多参数测量的数据同步性，增强了测量结果的准确性和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119734161A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411879312.4
申请日：2024-12-19
Applicant: 华海清科股份有限公司 , 华海清科(北京)科技有限公司
Abstract: 本发明提出了防护装置、晶圆磨削模块、减薄设备及方法、数据处理设备及存储介质。所述防护装置用于晶圆减薄设备的晶圆磨削模块，所述防护装置包括：分隔导流条，其将回转工作台划分成多个扇形区域，并且具有导流槽；以及可动防护件，其设置成在晶圆位于任一工位时可动防护件位于回转工作台的分隔导流条上方，在进行晶圆磨削时可动防护件能够移动到阻止废液溅射的第一位置，在回转回转工作台时可动防护件能够移动到允许回转工作台回转的第二位置。本发明能够有效减少晶圆工位旋转切换时废屑等杂质接触或掉落到晶圆表面，从而有效降低磨削废屑损伤晶圆上表面的风险。
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公开(公告)号：CN119704044A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510148714.5
申请日：2025-02-11
Applicant: 华海清科股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种保持环修整装置、化学机械抛光单元及其控制方法和化学机械抛光设备，该装置包括基座、修整盘、检测件和控制器；修整盘，设置在基座的一侧，用于在抛光头带动保持环移动至保持环的被磨削面抵接在修整盘远离基座的侧面后，且在抛光头带动保持环相对于修整盘绕保持环的轴线转动的过程中，对保持环的被磨削面进行磨削修整；检测件，设置在基座上，用于在修整盘对保持环进行磨削修整的过程中，检测得到保持环的被磨削面的形状数据；控制器，用于在确定形状数据满足用于指示保持环的被磨削面形状正常的目标条件后，控制抛光头停止带动保持环相对于修整盘转动，以使修整盘对保持环进行的磨削修整结束。本方案可以节省资源。
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公开(公告)号：CN119658577A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510111663.9
申请日：2025-01-24
Applicant: 华海清科股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种化学机械抛光设备，包括：支撑结构和限位组件，支撑结构设置在修整器所在的晶圆加工腔室的腔壁上，限位组件设置在修整器包括的支撑部与修整器包括的摆臂之间；限位组件，用于当摆臂以支撑部所在的位置为圆心旋转至极限位置时，与支撑结构接触，以对摆臂进行限位，其中，极限位置用于指示摆臂的远端与腔壁的距离小于距离阈值时，摆臂相对于初始位置旋转的角度。本申请通过设置支撑结构和限位组件，能够对转动至极限位置的摆臂进行限位，因此即使电机飞车转速突然失控等情况发生，摆臂也不会转动超过极限位置，进而避免摆臂撞击机台内部结构。
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公开(公告)号：CN119542201A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411843415.5
申请日：2024-12-14
Applicant: 华海清科股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种晶圆擦洗设备、晶圆擦洗系统和抛光设备，其中晶圆擦洗设备包括：擦洗刷和擦洗刷调控模块；所述擦洗刷调控模块设置在所述擦洗刷的背对晶圆的一侧，并且包括朝向所述擦洗刷依次设置的伸缩模块和磁吸模块；所述擦洗刷包括第一转轴和刷头，所述第一转轴包括朝向晶圆的第一端和背对晶圆的第二端，所述第一转轴的第一端与刷头连接、第二端与所述磁吸模块磁吸连接；所述擦洗刷调控模块配置成通过所述伸缩模块的轴向伸缩调控所述擦洗刷与晶圆之间的擦洗压力。本申请通过磁吸模块和伸缩模块的设置，实现了擦洗刷与擦洗刷调控模块之间的柔性磁吸连接，并能够在擦洗过程中保持刷头向晶圆表面施加的压力恒定。
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公开(公告)号：CN119500630A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411679844.3
申请日：2024-11-22
Applicant: 华海清科股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种滚刷及具有其的清洗装置，所述滚刷具有轴向以及与轴向垂直的周面，所述滚刷的周面设有至少一圈第一凸点和多圈第二凸点，所述第一凸点与晶圆的中心区域位置对应，且多圈所述第二凸点分别位于至少一圈所述第一凸点的两侧，当所述滚刷清洗所述晶圆时，单位时间内，所述第一凸点与所述晶圆的接触总面积小于所述第二凸点与所述晶圆的接触总面积。本申请实施例提供一种滚刷及具有其的清洗装置，能够避免对晶圆表面的中心区域的过度清洗，避免造成良率损失。
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