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公开(公告)号:CN110931587B
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN201910875996.3
申请日:2019-09-17
Applicant: 上饶市晶科绿能科技发展有限公司
IPC: H01L31/05 , H01L31/042 , H01L31/0224
Abstract: 太阳能电池和包括该太阳能电池的太阳能电池板。太阳能电池板包括:多个太阳能电池,其包括第一太阳能电池和第二太阳能电池;以及多个布线构件,其电连接第一太阳能电池和第二太阳能电池。第一太阳能电池和第二太阳能电池中的每个的第一电极包括第一汇流条,第一汇流条包括多个第一焊盘部分。多个第一焊盘部分包括位于第一汇流条的一端侧并且布置有布线构件的端部的第一端焊盘和位于第一汇流条的另一端侧并且在布线构件的延伸部上的第一延伸焊盘。第一端焊盘的面积不同于第一延伸焊盘的面积。
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公开(公告)号:CN110945667B
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN201880049962.2
申请日:2018-05-24
Applicant: 上饶市晶科绿能科技发展有限公司
IPC: H01L31/048 , H02S30/10 , H01L31/02 , H02S40/32 , H02S40/34
Abstract: 公开了一种太阳能电池板模块,该太阳能电池模块包括太阳能电池板;布线盒,该布线盒电连接到太阳能电池板,并且安装在太阳能电池板的后表面上或后表面处;以及粘合构件,该粘合构件设置在布线盒和太阳能电池板之间以附接布线盒和太阳能电池板。通过粘合构件在太阳能电池板与布线盒之间形成有向外侧开口并且厚度与粘合构件厚度相对应的空气间隙。
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公开(公告)号:CN115380390A
公开(公告)日:2022-11-22
申请号:CN202080099559.8
申请日:2020-11-27
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0368 , H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L31/0328 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本实施例的太阳能电池可以通过在由多晶半导体层构成的导电型区域形成包括金属和粘合物质的电极,提高太阳能电池的电特性,简化制造工艺。更具体地,太阳能电池包括半导体基板,由多晶半导体层构成的导电型区域位于半导体基板的一面上。
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公开(公告)号:CN107425082B
公开(公告)日:2022-10-28
申请号:CN201710286412.X
申请日:2017-04-27
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/048 , H01L31/054
Abstract: 一种太阳能电池模块包括:多个电池串,所述多个电池串具有多个太阳能电池,各个太阳能电池具有半导体基板,并且第一导电型电极和第二导电型电极被设置在所述半导体基板的第一表面上;互连器,其在第一方向上将所述多个电池串中所包括的所述多个太阳能电池当中的第一太阳能电池的第一导电型电极和与第一太阳能电池相邻的第二太阳能电池的第二导电型电极电连接,以将第一太阳能电池和第二太阳能电池串联连接;以及第一屏蔽件,其被设置在位于第一太阳能电池和第二太阳能电池之间的互连器的前表面上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
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公开(公告)号:CN110416365B
公开(公告)日:2022-09-09
申请号:CN201910725803.6
申请日:2016-11-17
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 用于附接太阳能电池板的互连器的方法。公开了一种用于附接太阳能电池板的互连器的方法,该方法包括以下步骤:使从卷绕辊退绕的互连器在加工方向上移动;以及将所述互连器附接至太阳能电池。在使所述互连器移动的步骤中,卷绕在所述卷绕辊上的所述互连器退绕以在纵向方向上经过所述卷绕辊的一个端部。
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公开(公告)号:CN114093957A
公开(公告)日:2022-02-25
申请号:CN202111338866.X
申请日:2018-02-05
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/04
Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括:第一导电区域,其位于半导体基板的前表面处并且包含第一导电类型或第二导电类型的杂质;第二导电区域,其位于半导体基板的后表面处并且包含与第一导电区域的杂质的导电类型相反的导电类型的杂质;第一电极,其位于半导体基板的前表面上并且连接到第一导电区域;以及第二电极,其位于半导体基板的后表面上并且连接到第二导电区域。第一电极和第二电极中的每一个包括金属颗粒和玻璃料。
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公开(公告)号:CN108336170B
公开(公告)日:2021-08-27
申请号:CN201810039075.9
申请日:2018-01-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0376 , H01L31/18
Abstract: 公开了一种制造太阳能电池的方法。该制造太阳能电池的方法包括以下步骤:在半导体基板的表面上沉积本征非晶硅层;在所述本征非晶硅层上沉积包含杂质的非晶硅层以形成导电区域;以及形成与所述导电区域电连接的电极。沉积本征非晶硅层的步骤包括以0.5nm/秒至2.0nm/秒的沉积速率在所述半导体基板的表面上沉积所述本征非晶硅。
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公开(公告)号:CN107634119B
公开(公告)日:2020-09-01
申请号:CN201710560491.9
申请日:2017-07-11
Applicant: LG电子株式会社
Inventor: 安世源
IPC: H01L31/05 , H01L31/078 , H01L31/0475
Abstract: 本公开涉及串联太阳能电池及包括其的串联太阳能电池模块。更具体地,本公开涉及包括层叠在结晶硅太阳能电池的前表面上的钙钛矿太阳能电池的单片式串联太阳能电池及其制造方法。根据本公开,纳米结构可以被构图在结晶硅太阳能电池和钙钛矿太阳能电池经由结层键合的太阳能电池的前透明电极的前表面上,使得可以通过纳米结构增加入射到太阳能电池上的太阳光的光路,以提高光的利用率。
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公开(公告)号:CN106910781B
公开(公告)日:2020-08-18
申请号:CN201611272896.4
申请日:2016-12-19
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/072 , H01L31/074 , H01L31/0747 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。本文公开了一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池模块包括:半导体基板;第一钝化膜,其位于半导体基板的前表面上;第二钝化膜,其位于半导体基板的后表面上;前电场区,其位于半导体基板的前表面上的第一钝化膜上并且导电类型与半导体基板的导电类型相同;发射极区,其位于半导体基板的后表面上的第二钝化膜上并且导电类型与半导体基板的导电类型相反;第一电极,其导电地连接至前电场区;以及第二电极,其导电地连接至发射极区。
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