氮化硅基板的制造方法以及氮化硅基板

    公开(公告)号:CN112912356B

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN201980070845.9

    申请日:2019-10-29

    Abstract: 一种氮化硅基板的制造方法,其特征在于,将包含氮化硅粉末和烧结助剂的多张生片以在它们之间夹持分离材料的方式层叠并烧结后进行分离,由此得到多张氮化硅烧结体,从而由氮化硅烧结体得到氮化硅基板,分离材料包含氮化硅粉。由于得到的氮化硅基板在表面不含氮化硼粉,因此在与铜接合时的热循环性优异。分离材料的通过BET法测定的比表面积为1m2/g以上且20m2/g以下,通过激光衍射散射法测定的体积基准的50%粒径D50为20μm以下,并且氧量为0.3重量%以上且低于2重量%,通过将分离材料以0.1mg/cm2以上且3mg/cm2以下的涂布量涂布在生片表面,能够得到热导率在室温下为80W/(m·K)以上、4点弯曲强度在室温下为800MPa以上的氮化硅基板。

    氮化硅粉末和氮化硅质烧结体的制造方法

    公开(公告)号:CN118871385A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202380027880.9

    申请日:2023-03-15

    Abstract: 本发明提供一种结晶氮化硅粉末,其能够得到具有易烧结性且高温强度等烧结体特性优异的氮化硅质烧结体。另外,本发明提供一种能够制造具有充分的机械强度、并且热传导性优异的氮化硅质烧结体的结晶氮化硅粉末。进而,本发明提供一种兼具高弯曲强度和优异的热传导性的氮化硅质烧结体的制造方法。一种结晶氮化硅粉末,其特征在于,基于BET法的比表面积(SA)为3m2/g以上且16m2/g以下,利用升温形态分析测定的表面氧量(FSO)为0.2质量%以上且0.6质量%以下,利用升温形态分析测定的内部氧量(FIO)为0.4质量%以上且1.3质量%以下,所述表面氧量相对于BET比表面积的比(FSO/SA)为0.25mg/m2以上且小于0.50mg/m2。

Patent Agency Ranking