-
公开(公告)号：CN101379607A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200780004585.2
申请日：2007-02-08
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01L21/683 , B23Q3/15 , C04B35/10 , H02N13/00
CPC classification number: H02N13/00 , C04B35/111 , C04B35/6455 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/963 , H01L21/6833
Abstract: 本发明的课题是要提供曝露在等离子体过后，仍可以维持平滑的面，其结果是可以抑制对于硅片等的被吸附物所造成微粒的污染，且有优异的吸附、脱离被吸附体的特性，以低温烧成，容易进行制作的静电卡盘。本发明的静电卡盘是具备有氧化铝为99.4wt％以上、氧化钛为大于0.2wt％且0.6wt％以下、室温中体积电阻率为108～1011Ωcm、且氧化钛偏析至氧化铝粒子的粒界的结构的静电卡盘用电介体。
-
-
公开(公告)号：CN101379607B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200780004585.2
申请日：2007-02-08
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01L21/683 , B23Q3/15 , C04B35/10 , H02N13/00
CPC classification number: H02N13/00 , C04B35/111 , C04B35/6455 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/963 , H01L21/6833
Abstract: 本发明的课题是要提供曝露在等离子体过后，仍可以维持平滑的面，其结果是可以抑制对于硅片等的被吸附物所造成微粒的污染，且有优异的吸附、脱离被吸附体的特性，以低温烧成，容易进行制作的静电卡盘。本发明的静电卡盘是具备有氧化铝为99.4wt％以上、氧化钛为大于0.2wt％且0.6wt％以下、室温中体积电阻率为108～1011Ωcm、且氧化钛偏析至氧化铝粒子的粒界的结构的静电卡盘用电介体。
-
公开(公告)号：CN105439564B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201510580537.4
申请日：2015-09-11
Applicant: TOTO株式会社
IPC: C04B35/565 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/573 , B28B1/001 , B28B11/243 , B29C64/153 , B33Y10/00 , B33Y80/00 , C04B35/565 , C04B35/6269 , C04B35/64 , C04B41/0072 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/82 , C04B41/83 , C04B41/87 , C04B2235/3821 , C04B2235/3826 , C04B2235/424 , C04B2235/425 , C04B2235/428 , C04B2235/48 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/6026 , C04B2235/608 , C04B2235/616 , C04B2235/661 , C04B2235/665 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9615
Abstract: 本发明公开在具有大型且复杂的形状的同时刚性及强度等陶瓷特性优异的反应烧结碳化硅构件的制造方法。该方法至少包含以下工序：准备至少包含碳化硅粒子与成形用树脂的原料的工序；形成所述原料的薄层并在该薄层的所期望的区域照射激光且将该薄层进行烧结从而形成烧结薄层的工序；多次进行所述工序从而得到将所述烧结薄层进行多次层压的成形体的工序；使包含碳源的辅助剂含浸于所述成形体，然后使含浸了该辅助剂的成形体固化从而得到固化体的工序；使所述固化体中包含的有机化合物成分碳化从而得到烧成体的工序；使硅含浸于所述烧成体，然后使该烧成体反应烧结从而得到反应烧结碳化硅构件的工序，所述烧成体包含8重量％以上、30重量％以下的碳。
-
公开(公告)号：CN105439564A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510580537.4
申请日：2015-09-11
Applicant: TOTO株式会社
IPC: C04B35/565 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/573 , B28B1/001 , B28B11/243 , B29C64/153 , B33Y10/00 , B33Y80/00 , C04B35/565 , C04B35/6269 , C04B35/64 , C04B41/0072 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/82 , C04B41/83 , C04B41/87 , C04B2235/3821 , C04B2235/3826 , C04B2235/424 , C04B2235/425 , C04B2235/428 , C04B2235/48 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/6026 , C04B2235/608 , C04B2235/616 , C04B2235/661 , C04B2235/665 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9615
Abstract: 本发明公开在具有大型且复杂的形状的同时刚性及强度等陶瓷特性优异的反应烧结碳化硅构件的制造方法。该方法至少包含以下工序：准备至少包含碳化硅粒子与成形用树脂的原料的工序；形成所述原料的薄层并在该薄层的所期望的区域照射激光且将该薄层进行烧结从而形成烧结薄层的工序；多次进行所述工序从而得到将所述烧结薄层进行多次层压的成形体的工序；使包含碳源的辅助剂含浸于所述成形体，然后使含浸了该辅助剂的成形体固化从而得到固化体的工序；使所述固化体中包含的有机化合物成分碳化从而得到烧成体的工序；使硅含浸于所述烧成体，然后使该烧成体反应烧结从而得到反应烧结碳化硅构件的工序，所述烧成体包含8重量％以上、30重量％以下的碳。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN101578249A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001772.X
申请日：2008-01-16
Applicant: TOTO株式会社
IPC: C04B35/50 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种高密度、粒径小的耐等离子体性优异的陶瓷构件。使陶瓷构件由微细粒子所成的微结构所构成。通过作成平均粒径为不到1.5μm，且经由阿基米德法测定得到的开口气孔率为不到0.5％，最大粒径为不到3μm所构成的陶瓷构件，使开口气孔变少，可减少作为等离子体侵蚀的起点的部位，故可提供耐等离子体性优异的陶瓷构件。并且通过以抑制异常粒子成长的小粒子构成，可降低由于发尘引起的微粒污染，可提升耐等离子体性与耐微粒特性。
-
公开(公告)号：CN100450975C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610114871.1
申请日：1999-05-27
Applicant: TOTO株式会社
CPC classification number: C04B41/009 , C04B41/5022 , C04B41/86 , C04B2111/00336 , Y10T428/24926 , Y10T428/265 , Y10T428/2982 , Y10T428/31 , C04B33/00
Abstract: 本发明公开了一种卫生陶瓷，其是在陶瓷坯体上形成表面釉料层的卫生陶瓷，其是便器过滤器、大便器、小便器、便器的水箱、洗面台的洗面器或者洗手器，其中上述表面釉料层的表面实质上是由玻璃成分构成，而且其表面上观察不到粒径10μm以上的二氧化硅粒子的存在。此卫生陶瓷具有污物难以附着的优点。
-
公开(公告)号：CN102276283B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201110140673.3
申请日：2011-05-26
Applicant: TOTO株式会社
IPC: C04B37/00
CPC classification number: C04B35/573 , B82Y30/00 , C04B35/563 , C04B35/65 , C04B37/005 , C04B2235/3821 , C04B2235/3826 , C04B2235/422 , C04B2235/424 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6027 , C04B2237/083 , C04B2237/36 , C04B2237/365
Abstract: 本发明提供一种不从外部添加硅，防止在热处理工序中伴随接合层热收缩的裂纹或起因于此的接合不良，从而高强度地进行接合的陶瓷接合体的制造方法。该制造方法具备：准备工序，准备一对陶瓷烧结体，其中至少一方通过反应烧结法而形成且含有游离硅；形成工序，形成微粒层，其是在一对陶瓷烧结体各自的接合面之间配置使含有碳元素的微粒分散在有机溶剂中的接合浆后干燥而成的；及接合工序，在以加压的方式保持微粒层的状态下，在惰性气氛下加热一对陶瓷烧结体，将游离硅导入微粒层，由此，形成至少含有碳化硅的接合层以进行接合，从而成为陶瓷接合体。
-
公开(公告)号：CN102276283A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110140673.3
申请日：2011-05-26
Applicant: TOTO株式会社
IPC: C04B37/00
CPC classification number: C04B35/573 , B82Y30/00 , C04B35/563 , C04B35/65 , C04B37/005 , C04B2235/3821 , C04B2235/3826 , C04B2235/422 , C04B2235/424 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6027 , C04B2237/083 , C04B2237/36 , C04B2237/365
Abstract: 本发明提供一种不从外部添加硅，防止在热处理工序中伴随接合层热收缩的裂纹或起因于此的接合不良，从而高强度地进行接合的陶瓷接合体的制造方法。该制造方法具备：准备工序，准备一对陶瓷烧结体，其中至少一方通过反应烧结法而形成且含有游离硅；形成工序，形成微粒层，其是在一对陶瓷烧结体各自的接合面之间配置使含有碳元素的微粒分散在有机溶剂中的接合浆后干燥而成的；及接合工序，在以加压的方式保持微粒层的状态下，在惰性气氛下加热一对陶瓷烧结体，将游离硅导入微粒层，由此，形成至少含有碳化硅的接合层以进行接合，从而成为陶瓷接合体。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.021 seconds)
