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公开(公告)号：CN1873786A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610084244.8
申请日：2006-05-30
Applicant: TDK股份有限公司
Abstract: 本发明提供记录层以凹凸图案形成且生产效率高的磁记录介质、具有该磁记录介质的磁记录再现装置、用于制造该磁记录介质的压模、该压模的制造方法以及磁记录介质的制造方法。记录层(22)的伺服区域部分的一部分，相对基本的伺服凹凸图案，以将该基本伺服凹凸图案的凹部以及凸部中的任意一方的至少一部分沿径向(Dr)分割而成的不正规伺服凹凸图案来形成，而且，在上述基本的伺服凹凸图案中，用于记录0以及1的信息中的任意一方的方格状区域为构成凹部的凹部单位区域(CU)、且用于记录另一方信息的方格状区域为构成凸部的凸部单位区域(PU)。
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公开(公告)号：CN1285072C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200410032217.7
申请日：2004-03-24
Applicant: TDK股份有限公司
CPC classification number: G11B7/261 , G11B5/84 , G11B17/025 , G11B23/00 , G11B25/04
Abstract: 一种能量线照射装置，具有：安装基材(12)的基材用支架(8)；使该基材用支架(8)移动的移动台(9)；以及根据以移动台(9)的基准点作为基准所设定的移动图形使移动台(9)进行移动、在基材(12)上形成由电子束(B)所产生的照射图形的总控制部(11)，基材用支架(8)具有：载置基材(12)的支架本体(21)；以及在使基材(12)的外缘或内缘上的一部分的区域和基材(12)的照射图形形成区域露出的状态下、对基材(12)进行夹持的盖体(22)，总控制部(11)根据基材(12)的露出的外缘或内缘上的一部分的轮廓，算出基材(12)的中心，并根据以该中心作为基准点的移动图形，使移动台(9)移动。即使在圆盘状基材位置偏移的状态下被安装在基材用支架上时，也能在圆盘状基材上正确地形成照射图形。
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公开(公告)号：CN100474400C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200410031311.0
申请日：2004-03-26
Applicant: TDK股份有限公司
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B5/584 , G11B5/59633 , G11B5/74 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , Y10T428/12465
Abstract: 本发明提供一种可高效率地记录伺服信息、并且得到充分的输出变化量、伺服信息的读取精度良好的磁记录媒体。该磁记录媒体是将磁性层(12)，在伺服区域(28)中分离为形成规定的伺服图案的多个伺服图案单位部(30)和伺服图案单位部(30)周围的伺服图案周围部(32)，并且伺服图案单位部(30)和伺服图案周围部(32)形成为不同大小，使得具有不同磁特性。
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公开(公告)号：CN1873531A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610088681.7
申请日：2006-06-02
Applicant: TDK股份有限公司
IPC: G03F7/00 , H01L21/027 , G11B5/62
Abstract: 本发明提供一种能够以高精度形成相当于伺服信息的、微细且复杂的凹凸图案的凹凸图案形成方法以及利用该方法的磁记录介质的制造方法。在该凹凸图案形成方法中，将形成在树脂层支承材料上的树脂层(52)加工成不正规凹凸图案，并基于该树脂层(52)而对记录层(树脂层支承材料)进行蚀刻，从而将该记录层加工成使上述不正规凹凸图案接近上述基本凹凸图案的凹凸图案，其中，上述不正规凹凸图案是，相对规定的基本凹凸图案，在该基本凹凸图案的部分凹部上形成分割用凸部(52A)，而使该基本凹凸图案的至少一部分凹部分割了的凹凸图案。
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公开(公告)号：CN1542749A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031311.0
申请日：2004-03-26
Applicant: TDK股份有限公司
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B5/584 , G11B5/59633 , G11B5/74 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , Y10T428/12465
Abstract: 本发明提供一种可高效率地记录伺服信息、并且得到充分的输出变化量、伺服信息的读取精度良好的磁记录媒体。该磁记录媒体是将磁性层(12)，在伺服区域(28)中分离为形成规定的伺服图案的多个伺服图案单位部(30)和伺服图案单位部(30)周围的伺服图案周围部(32)，并且伺服图案单位部(30)和伺服图案周围部(32)形成为不同大小，使得具有不同磁特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100454391C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200610084244.8
申请日：2006-05-30
Applicant: TDK股份有限公司
Abstract: 本发明提供记录层以凹凸图案形成且生产效率高的磁记录介质、具有该磁记录介质的磁记录再现装置、用于制造该磁记录介质的压模、该压模的制造方法以及磁记录介质的制造方法。记录层(22)的伺服区域部分的一部分由不正规伺服凹凸图案形成，其中，相对基本的伺服凹凸图案，在上述不正规伺服凹凸图案的凹部和凸部之间的边界的角部中至少一部分角部比与该角部相当的基本伺服凹凸图案的角部更尖锐，而且，上述基本伺服凹凸图案是指，用于记录0以及1的信息中的任意一方的方格状区域为构成凹部的凹部单位区域(CU)且用于记录另一方信息的方格状区域为构成凸部的凸部单位区域(PU)的伺服凹凸图案。
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公开(公告)号：CN100379897C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200410082651.6
申请日：2004-09-24
Applicant: TDK股份有限公司
IPC: C23F1/02
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/855 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明以提供可获得图形起伏小的掩膜形成方法为其目的，将磁性层(13)覆盖并形成具有非晶态构造的掩膜形成用功能层(14)，再将掩膜形成用功能层(14)覆盖形成掩膜形成用功能层(15)，然后，通过规定的处理在掩膜形成用功能层(15)上形成凹凸图形，从而在掩膜形成用功能层(14)上形成掩膜(M1)，通过使用掩膜(M1)对掩膜形成用功能层(14)进行干蚀刻、在掩膜形成用功能层(14)上形成凹凸图形(P3)，从而在磁性层(13)上形成掩膜(M2)。
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公开(公告)号：CN1905016A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610108516.3
申请日：2006-07-25
Applicant: TDK股份有限公司
CPC classification number: H01J37/3026 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11B5/82 , G11B5/855 , H01J37/3174
Abstract: 本发明提供一种能描绘图案的图案描绘方法，该图案描绘方法使得形成区域中的内圆周一侧及外圆周一侧的两端成直线。在一边使表面形成树脂层的基材沿箭头R的方向旋转，一边将构成凹凸图案的凸部及凹部中一方的平面图案描绘在树脂层上时，在应该形成一方的形成区域(A0)上的从沿基材的旋转方向的带状曝光区域(A1)的旋转方向的一端部侧至另一端部侧之间，间歇地两次(N次)照射描绘用电子束，通过这样对沿旋转方向的两个带状照射区域(A1a、A1b)，照射描绘用电子束。
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公开(公告)号：CN1275096C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410030444.6
申请日：2004-03-18
Applicant: TDK股份有限公司
IPC: G03F7/039
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 提供一种抗蚀剂图案形成方法，使用便于操作的非化学增强型抗蚀剂，能获得形状微细且高宽比大的抗蚀剂图案。其中至少包括通过涂覆非化学增强型抗蚀剂在基体材料(2)上形成抗蚀剂层(4)的工序、对抗蚀剂层(4)进行曝光的工序、用90℃以上130℃以下的温度烘烤进行曝光的基体材料(2)的工序、以及对进行烘烤的基体材料(2)进行显影的工序，以形成抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN1611639A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410082651.6
申请日：2004-09-24
Applicant: TDK股份有限公司
IPC: C23F1/02
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/855 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明以提供可获得图形起伏小的掩膜形成方法为其目的，将磁性层(13)覆盖并形成具有非晶态构造的掩膜形成用功能层(14)，再将掩膜形成用功能层(14)覆盖形成掩膜形成用功能层(15)，然后，通过规定的处理在掩膜形成用功能层(15)上形成凹凸图形，从而在掩膜形成用功能层(14)上形成掩膜(M1)，通过使用掩膜(M1)对掩膜形成用功能层(14)进行干蚀刻、在掩膜形成用功能层(14)上形成凹凸图形(P3)，从而在磁性层(13)上形成掩膜(M2)。
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