公开(公告)号：CN101300628A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200680040836.8

申请日：2006-12-20

Applicant: 三星电子株式会社 ,  TDK株式会社

Inventor： 裴在喆 ,  金朱镐 ,  黄仁吾 ,  朴贤洙 ,  福泽成敏 ,  菊川隆 ,  小林龙弘

IPC: G11B7/125

CPC classification number: G11B7/005 ,  G11B7/1267

Abstract: 一种确定记录在光学记录介质上的标记的最佳再现条件的方法，其中，至少一个所述标记的长度小于拾取器的分辨率。所述方法包括：获得具有接近于拾取器的分辨率的长度的标记的最佳再现条件；和使用获得的最佳再现条件确定标记的最佳再现条件。

公开(公告)号：CN1672202A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03817344.1

申请日：2003-06-24

Applicant: TDK株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  日本先锋公司 ,  夏普株式会社 ,  三星日本株式会社

Inventor： 菊川隆 ,  富永淳二 ,  岛隆之 ,  橘昭弘 ,  藤宽 ,  金朱镐

IPC: G11B7/24 ,  G11B7/004

CPC classification number: G11B7/2433 ,  G11B7/00452 ,  G11B7/242 ,  G11B7/257 ,  G11B2007/2432

Abstract: 通过分解贵金属氧化物并使贵金属氧化物层变形，在包括贵金属氧化物层的光学记录媒体中形成记录标记串。贵金属颗粒不可逆地淀积在以记录标记串形成的贵金属氧化物层中，并且将再现数据的激光束辐射在由此淀积的贵金属颗粒上，由此读取记录标记串。记录标记串包括具有短于0.37λ/NA的长度的至少一个记录标记，其中λ是激光束的波长，NA是辐射激光束的光学系统。根据本发明，在以这种方式记录和再现具有小于分辨率极限的尺寸的记录标记或具有等于或大于该分辨率极限但接近该分辨率极限的尺寸的记录标记的情况下，可以获得高再现输出，并且对于在记录标记串中的所有的记录标记中的每个记录标记，可以实现高再现持久性。

公开(公告)号：CN101300624B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200680040936.0

申请日：2006-12-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 裴在喆 ,  金朱镐 ,  李坰根 ,  赵辉 ,  福泽成敏 ,  菊川隆 ,  小林龙弘

IPC: G11B7/0045

CPC classification number: G11B7/0062 ,  G11B7/00736 ,  G11B7/1267 ,  G11B20/10055

Abstract: 一种优化光记录介质的写入条件的方法，包括：在光记录介质上按照写入条件写入测试模式数据；将通过再现写入的测试模式数据检测的误差模式二进制信号与测试模式数据的校正模式二进制信号进行比较；以及基于比较的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。

公开(公告)号：CN101300624A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200680040936.0

申请日：2006-12-20

Applicant: 三星电子株式会社 ,  TDK株式会社

Inventor： 裴在喆 ,  金朱镐 ,  李坰根 ,  赵辉 ,  福泽成敏 ,  菊川隆 ,  小林龙弘

IPC: G11B7/0045

CPC classification number: G11B7/0062 ,  G11B7/00736 ,  G11B7/1267 ,  G11B20/10055

Abstract: 一种优化光记录介质的写入条件的方法，包括：在光记录介质上按照写入条件写入测试模式数据；将通过再现写入的测试模式数据检测的误差模式二进制信号与测试模式数据的校正模式二进制信号进行比较；以及基于比较的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。