公开(公告)号：CN111836920A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201980018372.8

申请日：2019-01-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 川崎克己 ,  平林润 ,  藤田实 ,  井之口大辅 ,  有马润 ,  近藤牧雄

IPC: C30B15/34 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明的利用EFG法的单晶生长用的模具具备：下表面，其浸渍于添加有杂质的原料熔融液中；矩形状的上表面，其与晶种相对且具有长边和短边；以及多个狭缝部，其从下表面向上表面延伸，且使原料熔融液从下表面上升至上表面。多个狭缝部的上表面处的开口部的长边方向各自相互平行，且相对于上表面的长边不平行。

公开(公告)号：CN113195800A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980080253.5

申请日：2019-12-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 川崎克己 ,  平林润 ,  藤田实 ,  井之口大辅 ,  有马润 ,  近藤牧雄

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明是收纳单晶生长用原料熔融液(8)并使其固化的单晶生长用坩埚(5A)，其具备：围绕原料熔融液(8)的侧壁部(5s)、及连续于侧壁部(5s)并支撑原料熔融液(8)的底部(5b)，侧壁部(5s)在横截面图中，在内侧具有周长冗余性。侧壁部(5s)在横截面图中，在任一部位上在内侧具有周长冗余的部位，如果在单晶生长后的冷却步骤中单晶生长用坩埚(5A)被冷却，则在横截面图中，在内侧周长冗余的部位向单晶生长用坩埚(5A)的外侧扩展。

公开(公告)号：CN113195800B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN201980080253.5

申请日：2019-12-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 川崎克己 ,  平林润 ,  藤田实 ,  井之口大辅 ,  有马润 ,  近藤牧雄

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明是收纳单晶生长用原料熔融液(8)并使其固化的单晶生长用坩埚(5A)，其具备：围绕原料熔融液(8)的侧壁部(5s)、及连续于侧壁部(5s)并支撑原料熔融液(8)的底部(5b)，侧壁部(5s)在横截面图中，在内侧具有周长冗余性。侧壁部(5s)在横截面图中，在任一部位上在内侧具有周长冗余的部位，如果在单晶生长后的冷却步骤中单晶生长用坩埚(5A)被冷却，则在横截面图中，在内侧周长冗余的部位向单晶生长用坩埚(5A)的外侧扩展。