公开(公告)号：CN1335998A

公开(公告)日：2002-02-13

申请号：CN00802470.7

申请日：2000-10-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 中野幸惠 ,  日比贵子 ,  宫内真里 ,  岩永大介

IPC: H01G4/12

CPC classification number: H01G4/0085 ,  H01G4/30

Abstract: 采用抑制叠层方向和宽度方向的膨胀的办法,提供可以防止裂纹的发生的叠层电容器。具备使电介质层(11a、11b)和内部电极(12)交互地叠层的电容器基体(10)。电容器基体(10)采用使电介质膏层和内部电极膏层进行叠层烧接的办法得到。叠层方向的膨胀率x,若设电介质层(11a)的叠层数为i,则在±0.05i%的范围内,理想的是在0%以下或－10%～0%,宽度方向的膨胀率y,理想的是在－0.05i%～0%的范围内。膨胀率x、y,可以采用向内部电极膏层内添加进碳化合物或含锂化合物的办法,或采用使最外部的电介质层(11b)的厚度形成得薄的办法进行控制。借助于此,可以抑制裂纹的发生,减小不合格率。

公开(公告)号：CN1649049A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510006160.8

申请日：2005-01-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 野口和则 ,  日比贵子 ,  宫内真理 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种叠层陶瓷电容器(1)，包括内部电极层(3)、厚度为3.5μm以下的层间电介质层(2)，其中，上述层间电介质层(2)由与上述内部电极层接触的接触电介质粒子(2a)以及不与上述内部电极层接触的非接触电介质粒子(2b)构成，在上述层间电介质层(2)中包含的多个电介质粒子总体的平均粒径为D50，上述接触电介质粒子(2a)的粒度分布的标准偏差为σ时，满足D50≤0.25μm，且σ≤0.14。根据本发明，可以提供一种叠层陶瓷电容器(1)，即使将层间电介质层(2)薄层化时，也可以期待DC偏压特性的提高。

公开(公告)号：CN1649048A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510006159.5

申请日：2005-01-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 日比贵子 ,  野口和则 ,  宫内真理 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种叠层陶瓷电容器(1)，包括内部电极层(3)、厚度小于2μm的层间电介质层(2)和外侧电介质层(20)，其特征在于，所述层间电介质层(2)及外侧电介质层(20)包含多个电介质粒子(2a、20a)，在所述层间电介质层(2)中包含的电介质粒子(2a)的平均粒径为D50a，所述外侧电介质层(20)中所包含的并存在于从配置在最外侧的内部电极层(3a)沿厚度方向离开5μm以上的位置的电介质粒子(20a)的平均粒径为D50b时，该D50a与D50b之比(D50a/D50b)为y1，所述层间电介质层(2)的厚度为x的场合，所述y1与x满足y1≤－0.75x+2.275、且y1≥－0.75x+1.675的关系。根据本发明，可以提供一种叠层陶瓷电容器(1)，即使将层间电介质层(2)薄层化时，也可以期待在保持各种电特性，特别是充分的介电常数的同时，提高TC偏压特性。

公开(公告)号：CN100521003C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200410104753.3

申请日：2004-11-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 宫内真理 ,  野口和则 ,  日比贵子 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/12

Abstract: 一种叠层陶瓷电容器(1)，其具有内部电极层(3)和厚度3.5μm以下的层间电介质层(2)，上述层间电介质层(2)包含与上述内部电极层接触的接触电介质颗粒(2a)和与上述内部电极层不接触的非接触电介质颗粒(2b)；以该接触电介质颗粒(2a)的平均粒径为D50e，以该非接触电介质颗粒(2b)的平均粒径为D50d，则满足D50e＜0.450μm且(D50e/D50d)＝1.20～3.00(但是除了1.20和3.00)。本发明能提供即使在层间电介质层(2)薄层化的情况下，仍能期望得到85℃下偏置特性提高的叠层陶瓷电容器(1)。

公开(公告)号：CN1463453A

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN02802059.6

申请日：2002-04-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 日比贵子 ,  中野幸惠 ,  由利俊一 ,  牛岛孝嘉 ,  佐藤阳 ,  高原弥 ,  吉井昌子

IPC: H01G4/12

CPC classification number: C04B35/638 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/63 ,  C04B35/634 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/30

Abstract: 一种制造多层陶瓷电子装置的方法，其具有用于焙烧预焙烧基体的焙烧步骤，其中，交替地布置多个绝缘层和包含贱金属的内电极层，其特征在于：焙烧步骤具有用于将温度升高到焙烧温度的温度升高步骤；以及从所述温度升高步骤时刻开始连续地导入氢气。根据该方法，可提供一种制造多层陶瓷电子装置例如多层陶瓷电容器的方法，其中，即使在绝缘层较薄且叠层较多的情况下，也不会发生形状各向异性和其它结构缺陷，提高了电性能并抑制了其性能的退化。

公开(公告)号：CN100576382C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200510006159.5

申请日：2005-01-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 日比贵子 ,  野口和则 ,  宫内真理 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种叠层陶瓷电容器(1)，包括内部电极层(3)、厚度小于2μm的层间电介质层(2)和外侧电介质层(20)，其特征在于，所述层间电介质层(2)及外侧电介质层(20)包含多个电介质粒子(2a、20a)，在所述层间电介质层(2)中包含的电介质粒子(2a)的平均粒径为D50a，所述外侧电介质层(20)中所包含的并存在于从配置在最外侧的内部电极层(3a)沿厚度方向离开5μm以上的位置的电介质粒子(20a)的平均粒径为D50b时，该D50a与D50b之比(D50a/D50b)为y1，所述层间电介质层(2)的厚度为x的场合，所述y1与x满足y1≤-0.75x+2.275、且y1≥-0.75x+1.675的关系。根据本发明，可以提供一种叠层陶瓷电容器(1)，即使将层间电介质层(2)薄层化时，也可以期待在保持各种电特性，特别是充分的介电常数的同时，提高TC偏压特性。

公开(公告)号：CN1779874A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200410104753.3

申请日：2004-11-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 宫内真理 ,  野口和则 ,  日比贵子 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/12

Abstract: 一种叠层陶瓷电容器1，其具有内部电极层3和厚度3.5μm以下的层间电介质层2，上述层间电介质层2包含与上述内部电极层接触的接触电介质颗粒2a和与上述内部电极层不接触的非接触电介质颗粒2b；以该接触电介质颗粒2a的平均粒径为D50e，以该非接触电介质颗粒2b的平均粒径为D50d，则满足D50e＜0.450μm且(D50e/D50d)＝1.20～3.00(但是除了1.20和3.00)。本发明能提供即使在层间电介质层2薄层化的情况下，仍能期望得到85℃下偏置特性提高的叠层陶瓷电容器1。

公开(公告)号：CN1251259C

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN00802470.7

申请日：2000-10-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 中野幸惠 ,  日比贵子 ,  宫内真里 ,  岩永大介

IPC: H01G4/12

CPC classification number: H01G4/0085 ,  H01G4/30

Abstract: 采用抑制叠层方向和宽度方向的膨胀的办法，提供可以防止裂纹的发生的叠层电容器。具备使电介质层(11a、11b)和内部电极(12)交互地叠层的电容器基体(10)。电容器基体(10)采用使电介质膏层和内部电极膏层进行叠层烧接的办法得到。叠层方向的膨胀率x，若设电介质层(11a)的叠层数为i，则在±0.05i%的范围内，理想的是在0%以下或-10%～0%，宽度方向的膨胀率y，理想的是在-0.05i%～0%的范围内。膨胀率x、y，可以采用向内部电极膏层内添加进碳化合物或含锂化合物的办法，或采用使最外部的电介质层(11b)的厚度形成得薄的办法进行控制。借助于此，可以抑制裂纹的发生，减小不合格率。

公开(公告)号：CN100492559C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200510006160.8

申请日：2005-01-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 野口和则 ,  日比贵子 ,  宫内真理 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种叠层陶瓷电容器(1)，包括内部电极层(3)、厚度为3.5μm以下的层间电介质层(2)，其中，上述层间电介质层(2)由与上述内部电极层接触的接触电介质粒子(2a)以及不与上述内部电极层接触的非接触电介质粒子(2b)构成，在上述层间电介质层(2)中包含的多个电介质粒子总体的平均粒径为D50，上述接触电介质粒子(2a)的粒度分布的标准偏差为σ时，满足D50≤0.25μm，且σ≤0.14。根据本发明，可以提供一种叠层陶瓷电容器(1)，即使将层间电介质层(2)薄层化时，也可以期待DC偏压特性的提高。

公开(公告)号：CN100483577C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200410087475.5

申请日：2004-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊东和重 ,  由利俊一 ,  中野幸惠 ,  宫内真理 ,  日比贵子 ,  岩永大介 ,  细野雅和

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/00 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/468 ,  H01G4/30

Abstract: 为提供一种即使将多层陶瓷电容器薄层化，也可以将IR不良率控制得较低，并且具有高相对介电常数的电介质陶瓷组合物，该电介质陶瓷组合物含有：组成式{{Ba(1-x)Cax}O}A{Ti(1-y-z)ZryMgz}BO2表示的主成分，和作为副成分的Mn的氧化物、Y的氧化物、V的氧化物和Si的氧化物。组成式中，A、B为0.995≤A/B≤1.020，x为0.0001≤x≤0.07，优选为0.001≤x≤0.05，y为0.1≤y≤0.3，z为0.0005≤z≤0.01，优选为0.003≤z≤0.01。