公开(公告)号：CN109767915A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201811329269.9

申请日：2018-11-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山﨑久美子 ,  永峰佑起 ,  芝原豪 ,  梅田裕二 ,  山﨑纯一

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明提供一种具有钙钛矿结构的金属氮氧化物薄膜，其中，所述金属氮氧化物薄膜具有以组成式A1+αBOx+αNy表示的组成，α大于0且为0.300以下，x+α大于2.450，y为0.300以上且0.700以下，是平行于与钙钛矿结构的c轴垂直的面的层状结构，并且具备具有以通式AO表示的组成的AO结构，AO结构与钙钛矿结构结合而进入钙钛矿结构中。

公开(公告)号：CN104240942A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410281264.9

申请日：2014-06-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 兼子俊彦 ,  武田早织 ,  山下由贵 ,  山﨑纯一

IPC: H01G4/08 ,  H01P1/20

CPC classification number: C04B35/49 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/6562 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明的目的在于提供一种即使是在进一步对电介质膜实施薄膜化的情况下，也能够既维持相对介电常数和温度特性又提高耐电压的非晶电介质膜以及电子部件。本发明所涉及的非晶电介质膜的特征在于：是一种由将A-B-O作为主成分的非晶组合物构成的电介质膜，A包含选自Ba、Ca、Sr中的至少两种以上元素，B包含Zr元素，在将所述电介质膜的主成分表示为(BaxCaySrz)α-B-O时，x、y、z分别为0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1，x、y、z中的至少任意两种为0.1以上，在将A/B表示为α时，0.5≤α≤1.5。

公开(公告)号：CN109767915B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201811329269.9

申请日：2018-11-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山﨑久美子 ,  永峰佑起 ,  芝原豪 ,  梅田裕二 ,  山﨑纯一

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明提供一种具有钙钛矿结构的金属氮氧化物薄膜，其中，所述金属氮氧化物薄膜具有以组成式A1+αBOx+αNy表示的组成，α大于0且为0.300以下，x+α大于2.450，y为0.300以上且0.700以下，是平行于与钙钛矿结构的c轴垂直的面的层状结构，并且具备具有以通式AO表示的组成的AO结构，AO结构与钙钛矿结构结合而进入钙钛矿结构中。

公开(公告)号：CN104240942B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201410281264.9

申请日：2014-06-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 兼子俊彦 ,  武田早织 ,  山下由贵 ,  山﨑纯一

IPC: H01G4/08 ,  H01P1/20

CPC classification number: C04B35/49 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/6562 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明的目的在于提供一种即使是在进一步对电介质膜实施薄膜化的情况下，也能够既维持相对介电常数和温度特性又提高耐电压的非晶电介质膜以及电子部件。本发明所涉及的非晶电介质膜的特征在于：是一种由将A‑B‑O作为主成分的非晶组合物构成的电介质膜，A包含选自Ba、Ca、Sr中的至少两种以上元素，B包含Zr元素，在将所述电介质膜的主成分表示为(BaxCaySrz)α‑B‑O时，x、y、z分别为0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1，x、y、z中的至少任意两种为0.1以上，在将A/B表示为α时，0.5≤α≤1.5。