公开(公告)号：CN1261249A

公开(公告)日：2000-07-26

申请号：CN99111100.1

申请日：1999-06-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 荒井三千男 ,  小堀勇 ,  三桥悦央 ,  山本洋

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/5092 ,  Y10S428/917

Abstract: 为了实现具有优异的电子注入效率、改善了的发光效率、低操作电压和低成本的有机EL器件,本发明提供的有机EL器件包括一个空穴注入电极、电子注入电极、在电极间的至少一个有机层,至少一个有机层具有发光功能。该发光器件在电子注入电极和有机层之间还有一个高电阻无机的电子注入层。高电阻无机的电子注入层包括:作为第一种成分的、选自碱金属元素、碱土金属元素和镧系元素的至少一种元素的氧化物,它具有可高达4eV的带隙,作为第二种成分的、从Ru、V、Zn、Sm和In中选择的至少一种元素,其能够阻塞空穴且具有传递电子的传导途径。

公开(公告)号：CN1261761A

公开(公告)日：2000-08-02

申请号：CN99110952.X

申请日：1999-06-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 荒井三千男 ,  小堀勇 ,  三桥悦央

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/5088

Abstract: 为了实现具有优异的空穴注入效率、改善了的发光效率、低操作电压和低成本的有机EL器件,本发明提供的有机EL器件包括空穴注入电极、电子注入电极、在电极之间的至少一个有机层,有机层的至少一个具有发光功能。发光器件在空穴注入电极和有机层之间还有高电阻无机空穴注入层。高电阻无机空穴注入层能够阻塞电子,具有传递空穴的传导途径。

公开(公告)号：CN1086543C

公开(公告)日：2002-06-19

申请号：CN99110952.X

申请日：1999-06-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 荒井三千男 ,  小堀勇 ,  三桥悦央

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/5088

Abstract: 为了实现具有优异的空穴注入效率、改善了的发光效率、低操作电压和低成本的有机EL器件，本发明提供的有机EL器件包括空穴注入电极、电子注入电极、在电极之间的至少一个有机层，有机层的至少一个具有发光功能。发光器件在空穴注入电极和有机层之间还有高电阻无机空穴注入层。高电阻无机空穴注入层能够阻塞电子，具有传递空穴的传导途径。

公开(公告)号：CN1269690A

公开(公告)日：2000-10-11

申请号：CN00108665.0

申请日：2000-03-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小堀勇 ,  三桥悦央 ,  荒井三千男

IPC: H05B33/00

CPC classification number: H01L51/5088

Abstract: 实现空穴注入效率高、提高发光效率、降低工作电压而且低成本的有机EL元件。一种有机EL元件，有空穴注入电极、阴极、和在这些电极之间设置的一种以上的有机层,所述有机层的至少一层具有发光功能,在所述空穴注入电极和所述有机层之间有阻挡电子同时又运送空穴的高电阻的无机空穴注入层,该高电阻的无机空穴注入层以硅和/或锗的氧化物为主要成分,在该主要成分以(Si1-xGex)Oy表示时,有0≤x≤1,1.7≤y≤2.2,此外,其中还含有电阻率为1×1010Ω·cm以下的导电性氧化物。