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公开(公告)号：CN118213279A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410309435.8
申请日：2019-05-30
Applicant: QORVO美国公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本公开涉及RF半导体装置及其制造方法。本公开涉及一种射频装置，其包含：具有后段工艺部分和前段工艺部分的装置区、第一凸块结构、第一模制化合物，以及第二模制化合物。所述FEOL部分包含有源层、接触层和隔离区段。所述有源层和所述隔离区段位于所述接触层上方，且所述有源层由所述隔离区段围绕。所述BEOL部分形成于所述FEOL部分下方，且所述第一凸块结构和所述第一模制化合物形成于所述BEOL部分下方。每个第一凸块结构由所述第一模制化合物部分地囊封，且经由所述BEOL部分内的连接层电耦合到所述FEOL部分。所述第二模制化合物位于所述有源层上方而无硅材料，其电阻率介于5欧姆‑厘米与30000欧姆‑厘米之间。
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公开(公告)号：CN117995798A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311425567.9
申请日：2023-10-31
Applicant: QORVO美国公司
IPC: H01L23/482 , H01L23/485 , H01L21/60 , H03K17/687
Abstract: 本公开涉及具有重布层的晶片级混合接合RF开关。公开一种IC装置的实施例。在一些实施例中，一种集成电路(IC)装置包含：第一有源半导体层，其包含第一有源半导体装置区；第二有源半导体层，其包含有源半导体区，所述第二有源半导体层连接到所述第一有源半导体层并且定位在所述第一有源半导体层上；第一重布层，其定位在所述第二有源半导体层上，所述第一重布层电连接到所述第一有源半导体层和所述第二有源半导体层；钝化层，其定位在所述第一重布层上；第二重布层，其定位在所述钝化层上，其中所述第二重布层电连接到所述第一重布层。
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公开(公告)号：CN119698692A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202380057825.4
申请日：2023-07-31
Applicant: QORVO美国公司
Inventor： 迈克尔·卡罗尔 , 丹尼尔·查尔斯·克尔 , E·K·博尔顿 , 邱继贤 , 罗希
IPC: H01L21/762 , H01L21/768 , H10D84/03 , H01L21/66
Abstract: 本公开提供了一种使用三维（3D）混合晶圆级键合晶圆来制造射频（RF）电路的方法。在一个方面，提供第一底部绝缘体上硅（SOI）晶圆和第二顶部SOI晶圆。然后，在第一SOI晶圆和第二SOI晶圆两者上执行互补金属氧化物半导体处理，以制造晶体管并且在每个晶圆上形成RF电路。然后，将第二晶圆键合到第一晶圆以将所述RF电路电耦合在一起。在一个方面，该3D制造方法使得能够使用使用多个晶圆以三维（3D）折叠配置堆叠的晶体管结构来设计RF电路。在一个方面，该RF电路使用在晶圆键合工艺期间折叠在一起的镜像部分。在另一方面，该RF电路使用顶部晶圆与底部晶圆之间的不对称部分。
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公开(公告)号：CN113632209A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201980094528.0
申请日：2019-05-30
Applicant: QORVO美国公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本公开涉及一种射频(RF)装置，所述装置包含模制装置管芯和位于模制装置管芯之下的多层重新分布结构。模制装置管芯包含装置区域和第一模制化合物，所述装置区域具有后段制程(BEOL)部分和位于所述BEOL部分之上的前段制程(FEOL)部分。所述FEOL部分包含有源层、接触层以及隔离区段。在本文中，有源层和隔离区段位于接触层之上，并且有源层被隔离区段围绕。第一模制化合物位于有源层之上，而在所述第一模制化合物与所述有源层之间没有不具有锗含量的硅晶体。多层重新分布结构包含重新分布互连件和多个凸点结构，所述多个凸点结构位于所述多层重新分布结构的底部处并且通过所述重新分布互连件电耦接到所述模制装置管芯。
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公开(公告)号：CN113614896A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080023383.8
申请日：2020-01-22
Applicant: QORVO美国公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本公开涉及一种射频装置，所述射频装置包含传递装置管芯和位于所述传递装置管芯之下的多层重新分布结构。所述传递装置管芯包含装置区域和传递衬底，所述装置区域具有后段制程(BEOL)部分和位于所述BEOL部分之上的前段制程(FEOL)部分。所述FEOL部分包含隔离区段和有源层，所述有源层被所述隔离区段围绕。所述装置区域的顶表面是平坦化的。所述传递衬底位于所述装置区域的所述顶表面之上。在本文中，在所述传递衬底内或在所述传递衬底与所述有源层之间不存在硅晶体。所述多层重新分布结构包含多个凸起结构，所述多个凸起结构位于所述多层重新分布结构的底部处并且电耦接到所述传递装置管芯的所述FEOL部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112534553B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201980050433.9
申请日：2019-05-30
Applicant: QORVO美国公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本公开涉及一种射频装置，其包含：具有后段工艺部分和前段工艺部分的装置区、第一凸块结构、第一模制化合物，以及第二模制化合物。所述FEOL部分包含有源层、接触层和隔离区段。所述有源层和所述隔离区段位于所述接触层上方，且所述有源层由所述隔离区段围绕。所述BEOL部分形成于所述FEOL部分下方，且所述第一凸块结构和所述第一模制化合物形成于所述BEOL部分下方。每个第一凸块结构由所述第一模制化合物部分地囊封，且经由所述BEOL部分内的连接层电耦合到所述FEOL部分。所述第二模制化合物位于所述有源层上方而无硅材料，其电阻率介于5欧姆‑厘米与30000欧姆‑厘米之间。
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公开(公告)号：CN113614895A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080023358.X
申请日：2020-01-22
Applicant: QORVO美国公司
Inventor： 朱利奥·C·科斯塔 , 迈克尔·卡罗尔 , 菲利普·W·梅森 , 小梅里尔·阿尔贝特·哈彻
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本公开涉及一种射频装置，该射频装置包含模制装置管芯和位于模制装置管芯之下的多层重新分布结构。模制装置管芯包含装置区域、阻挡层和第一模制化合物，装置区域具有后段制程(BEOL)部分和位于BEOL部分之上的前段制程(FEOL)部分。FEOL部分包含隔离区段和有源层，有源层被隔离区段围绕。由氮化硅形成的阻挡层位于有源层之上并且位于隔离区段的顶表面之上。第一模制化合物位于阻挡层之上。在本文中，在第一模制化合物与有源层之间不存在硅晶体。多层重新分布结构包含多个凸点结构，多个凸点结构位于多层重新分布结构的底部处并且电耦接到模制装置管芯的FEOL部分。
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公开(公告)号：CN113661566A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202080022825.7
申请日：2020-01-22
Applicant: QORVO美国公司
IPC: H01L21/762 , H01L23/16 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本公开涉及一种射频装置，所述射频装置包含传递装置管芯和位于所述传递装置管芯之下的多层重新分布结构。所述传递装置管芯包含装置区域和传递衬底，所述装置区域具有后段制程(BEOL)部分和位于所述BEOL部分之上的前段制程(FEOL)部分。所述FEOL部分包含隔离区段和有源层，所述有源层被所述隔离区段围绕。所述装置区域的顶表面是平坦化的。包含多孔硅(PSi)区域的所述传递衬底位于所述装置区域的所述顶表面之上。在本文中，所述PSi区域的孔隙度为1％至80％。所述多层重新分布结构包含多个凸起结构，所述多个凸起结构位于所述多层重新分布结构的底部处并且电耦接到所述传递装置管芯的所述FEOL部分。
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公开(公告)号：CN113632210A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080023328.9
申请日：2020-01-22
Applicant: QORVO美国公司
Inventor： 朱利奥·C·科斯塔 , 迈克尔·卡罗尔 , 菲利普·W·梅森 , 小梅里尔·阿尔贝特·哈彻
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本公开涉及一种射频(RF)装置，该RF装置包含模制装置管芯和位于模制装置管芯之下的多层重新分布结构。模制装置管芯包含装置区域、导热薄膜和第一模制化合物，装置区域具有后段制程(BEOL)部分和位于BEOL部分之上的前段制程(FEOL)部分。FEOL部分包含隔离区段和有源层，有源层被隔离区段围绕。热导率大于10W/m·K并且电阻率大于1E5Ohm‑cm的导热薄膜位于有源层与第一模制化合物之间。在本文中，在第一模制化合物与有源层之间不存在硅晶体。多层重新分布结构包含多个凸点结构，多个凸点结构位于多层重新分布结构的底部处并且电耦接到模制装置管芯的FEOL部分。
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公开(公告)号：CN113614897A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080023386.1
申请日：2020-01-22
Applicant: QORVO美国公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本公开涉及一种射频(RF)装置，所述装置包含模制装置管芯和位于模制装置管芯之下的多层重新分布结构。模制装置管芯包含装置区域和第一模制化合物，所述装置区域具有后段制程(BEOL)部分和位于BEOL部分之上的前段制程(FEOL)部分。FEOL部分包含有源层，所述有源层由应变硅外延层形成，在300K的温度下，所述应变硅外延层中的晶格常数大于5.461。第一模制化合物位于有源层之上。在本文中，在第一模制化合物与有源层之间不存在硅晶体。多层重新分布结构包含多个凸点结构，所述多个凸点结构位于多层重新分布结构的底部处并且电耦接到模制装置管芯的FEOL部分。
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