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公开(公告)号：CN119856390A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202380064398.2
申请日：2023-10-06
Applicant: QORVO美国公司
Abstract: 提供了一种分布式电源管理电路。所述分布式电源管理电路包含主电源管理集成电路(PMIC)和与所述主PMIC分离的分布式PMIC。所述主PMIC经由导电路径耦合到所述分布式PMIC。值得注意的是，所述主PMIC的寄生电容可与所述导电路径的迹线电感相互作用，以产生可能降低所述分布式PMIC的线性度性能的等效陷波。在这点上，在本文公开的实施例中，在所述分布式电源管理电路中提供deQ电路以减小所述等效陷波的品质因子(Q因子)，从而改善所述分布式PMIC的线性度性能。此外，所述deQ电路可如此配置成增大所述分布式PMIC的开环增益，以帮助减少所述分布式PMIC中的电流流动，从而提高所述分布式电源管理电路的总体能效。
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公开(公告)号：CN119790305A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202380062892.5
申请日：2023-11-09
Applicant: QORVO美国公司
Inventor： N·卡拉特 , 菲利普·戈里斯 , C·T·恩戈 , 琼-弗雷德里克·希龙
IPC: G01R19/165
Abstract: 提供电路中的电池电流测量。在非限制性示例中，被测量的所述电路可以是由电池供电的无线通信电路。在本文公开的实施例中，所述电路包括一个或多个电流感测电路，每个电流感测电路耦合到直接耦合到所述电池的(一个或多个)测量节点(例如，开关和低压差稳压器)。所述电流感测电路中的每一个可以在选定测量周期期间测量流经所述(一个或多个)测量节点的平均电池电流。在所述电路中提供测量输出电路，以对由所述电流感测电路中的每一个测得的所述平均电池电流进行汇总，从而提供所述电路中的总平均电池电流的快照。相应地，所述电路可以采取适当的动作来延长电池寿命。
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公开(公告)号：CN119698692A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202380057825.4
申请日：2023-07-31
Applicant: QORVO美国公司
Inventor： 迈克尔·卡罗尔 , 丹尼尔·查尔斯·克尔 , E·K·博尔顿 , 邱继贤 , 罗希
IPC: H01L21/762 , H01L21/768 , H10D84/03 , H01L21/66
Abstract: 本公开提供了一种使用三维（3D）混合晶圆级键合晶圆来制造射频（RF）电路的方法。在一个方面，提供第一底部绝缘体上硅（SOI）晶圆和第二顶部SOI晶圆。然后，在第一SOI晶圆和第二SOI晶圆两者上执行互补金属氧化物半导体处理，以制造晶体管并且在每个晶圆上形成RF电路。然后，将第二晶圆键合到第一晶圆以将所述RF电路电耦合在一起。在一个方面，该3D制造方法使得能够使用使用多个晶圆以三维（3D）折叠配置堆叠的晶体管结构来设计RF电路。在一个方面，该RF电路使用在晶圆键合工艺期间折叠在一起的镜像部分。在另一方面，该RF电路使用顶部晶圆与底部晶圆之间的不对称部分。
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公开(公告)号：CN119450895A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411679538.X
申请日：2020-03-06
Applicant: QORVO美国公司
Inventor： 约翰·奥古斯特·奥尔洛夫斯基 , 斯蒂芬·克雷格·帕克 , 小詹姆斯·埃德温·卡勒
Abstract: 本发明涉及层压结构的基准点。公开了层压结构以及电子器件层压结构的基准点构型。在层压结构中成型的基准点具有更好的可见性和对比度，从而提高电子行业中常用自动化机器光学探测设备探测基准点的能力。通过层压结构中沿其深度延伸的开孔界定所公开的基准点，从而提供足够的对比度。基准点的开孔穿过层压结构的多个金属层和介电层。基准点成型可采用激光钻孔或其他消减处理技术。本文所公开的基准点可涂覆附加层或镀层，例如包括一层电子器件电磁屏蔽层的金属镀层，基准点具有足够的可见性和对比度，使附加层或镀层保持可探测。
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公开(公告)号：CN110113010B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201910092452.X
申请日：2019-01-30
Applicant: QORVO美国公司
Inventor： 纳迪姆·赫拉特
Abstract: 提供了包络跟踪电路和相关的功率放大器系统。在一个方面，ET电路被配置为基于第二数量的目标电压产生第一数量的ET调制电压，以及经由第三数量的电压输出来输出第一数量的ET调制电压。在另一方面，所述ET电路可以设置在功率放大器系统中，所述功率放大器系统包括收发器电路和多个功率放大器电路。在本文讨论的示例中，所述ET电路可以从所述收发器电路接收所述第二数量的目标电压，以及将所述第一数量的ET调制电压提供给用于放大射频(RF)信号的所述功率放大器电路。通过在所述功率放大器系统中设置所述ET电路，可以基于任何数量的收发器电路并对于任何数量的功率放大器电路灵活地启用ET功率管理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118975150A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380031072.X
申请日：2023-05-09
Applicant: QORVO美国公司
Inventor： N·卡拉特
Abstract: 本文提供了无线通信电路中的波束成形相位校正。所述无线通信电路被配置成发射多个经处理的信号，所述多个经处理的信号通过将码字应用于射频(RF)信号产生。所述码字定义一组复值系数，所述一组复值系数将使所述经处理的信号中的每个经处理的信号与多个所定义的相位中的相应所定义的相位相关联，使得所述经处理的信号可以在同时从多个天线元件发射时形成RF波束。然而，例如，当所述经处理的信号被放大时，可以改变一些或所有所定义的相位。在这方面，在本文所公开的实施例中，相位校正电路被配置成确定一个或多个相位校正项，并将所确定的相位校正项应用于所述经处理的信号中的一个或多个经处理的信号，由此校正不期望的相位变化并恢复所述经处理的信号之间的相干性。
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公开(公告)号：CN118661378A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202380020649.7
申请日：2023-02-03
Applicant: QORVO美国公司
Abstract: 一种功率放大电路包含放大器电路(800)，所述放大器电路包括串联耦合在输出节点(816)与参考电压节点之间的共源共栅晶体管。偏置控制电路包含接通状态偏置控制电路(806)、第一断开状态偏置控制电路和第二断开状态偏置控制电路，以向所述多个共源共栅晶体管的控制端子提供偏置电压。所述接通状态偏置控制电路(806)在操作期间控制所述偏置电压。在第一断开状态下，静电电荷可能在所述输出节点(816)上引起破坏性电压。所述第一断开状态偏置电路(808)基于所述静电电荷而产生偏置电压。第二断开状态状况发生在耦合到输出节点的无源放大器电路中，在所述输出节点上，由耦合到所述输出节点(816)的并联有源放大器电路产生电压。
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公开(公告)号：CN118263134A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410364357.1
申请日：2019-11-26
Applicant: QORVO美国公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/433 , H01L23/367
Abstract: 一种热增强型封装包含载体、所述载体之上的经减薄管芯、模制化合物以及除热器。所述经减薄管芯包含所述载体之上的装置层和所述装置层之上的介电层。所述模制化合物位于所述载体之上、围绕所述经减薄管芯并且延伸到所述经减薄管芯的顶表面之外以在所述模制化合物内和所述经减薄管芯之上限定开口。所述经减薄管芯的所述顶表面处于所述开口的底部处。所述除热器的至少一部分插入到所述开口中并且与所述经减薄管芯热接触。在本文中，所述除热器由金属或合金形成。
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公开(公告)号：CN118017833A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311394868.X
申请日：2023-10-26
Applicant: QORVO美国公司
Inventor： M·诺加瓦
Abstract: 本公开涉及使用不同电压电平来闭合开关转换器中的开关。公开了开关电路系统的实施例。在一些实施例中，所述开关电路系统包含开关和开关控制电路。所述开关具有控制端子。驱动器电路被配置成最初以第一电压电平将第一电压施加到所述控制端子，使得所述开关从断开变为闭合。所述驱动器电路被配置成响应于第一电压而以第二电压电平施加第二电压，使得所述开关的所述控制端子处的电压达到阈值电压电平，其中所述第二电压电平的量值小于所述第一电压电平的量值。通过在最初闭合所述开关时使用较高电压电平，所述开关被快速闭合。一旦所述开关闭合，就使用较低电压电平来使所述开关保持闭合。
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公开(公告)号：CN113316841B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201980088979.3
申请日：2019-12-17
Applicant: QORVO美国公司
Inventor： 迪库马尔·M·奈尔 , 罗伯特·查尔斯·德里 , 杰弗里·德科斯基
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/552
Abstract: 公开了电子封装件布置及相关方法，这些布置及方法提供改进的热管理和电磁屏蔽中的一种或多种。公开了电子封装件，这些电子封装件包括一个或多个电子器件、包覆成型体、及均热片或金属框架结构的布置。均热片或金属框架结构可被布置在电子器件的上方以形成散热路径，这些散热路径在一个或多个方向上(包括在电子封装件的上方和下方)从电子器件中吸收操作热。均热片或金属框架结构也可布置为形成电磁屏蔽，这些电磁屏蔽减少在电子封装件内各电子器件之间的串扰并且阻止不需要的发射逸出或者进入电子封装件。
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