公开(公告)号：CN100495741C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200580003913.8

申请日：2005-02-03

Applicant: NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

Inventor： 石桥忠夫 ,  安藤精后 ,  广田幸弘

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/1075

Abstract: 本发明提供同时实现操作电压的低电压化和在所应用带域中的高量子效率化的超高速雪崩光敏二极管。在雪崩光敏二极管的操作中，按照使p型光吸收层(16)除了其一部分外维持p型中性(非耗尽型光吸收层)、且低浓度光吸收层(15)被耗尽(耗尽型光吸收层)的方式确定各光吸收层的掺杂浓度分布。另外，按照如下方式确定p型光吸收层(16)的层厚度WAN和低浓度光吸收层(15)的层厚度WAD之比，即，在光吸收层的层厚度WA(＝WAN+WAD)为一定值的条件下，WAD＞0.3μm，且使在光吸收层中因光吸收而发生的载流子迁移所造成的器件响应的延迟时间最小。

公开(公告)号：CN1914741A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200580003913.8

申请日：2005-02-03

Applicant: NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

Inventor： 石桥忠夫 ,  安藤精后 ,  广田幸弘

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/1075

Abstract: 本发明提供同时实现操作电压的低电压化和在所应用带域中的高量子效率化的超高速雪崩光敏二极管。在雪崩光敏二极管的操作中，按照使p型光吸收层(16)除了其一部分外维持p型中性(非耗尽型光吸收层)、且低浓度光吸收层(15)被耗尽(耗尽型光吸收层)的方式确定各光吸收层的掺杂浓度分布。另外，按照如下方式确定p型光吸收层(16)的层厚度WAN和低浓度光吸收层(15)的层厚度WAD之比，即，在光吸收层的层厚度WA(＝WAN+WAD)为一定值的条件下，WAD＞0.3μm，且使在光吸收层中因光吸收而发生的载流子迁移所造成的器件响应的延迟时间最小。

公开(公告)号：CN100338782C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN02824301.3

申请日：2002-12-03

Applicant: NTT电子股份有限公司

Inventor： 石桥忠夫 ,  广田幸弘 ,  村本好史

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/101

Abstract: 一种光电二极管，其光吸收层由层厚为WD的耗尽的第一半导体光吸收层和层厚为WA的p型中性的第二半导体光吸收层构成，并且WA和WD之比被设定为使光吸收层内的总的载流子渡越时间τtot为最小。此外，在第一半导体光吸收层和n型半导体电极层之间设置具有比第一半导体光吸收层更大的带隙的耗尽的半导体透光层。