公开(公告)号：CN113039257A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202080003704.8

申请日：2020-09-16

Applicant: NS材料株式会社

Inventor： 荷方惣一朗 ,  小椋佑子 ,  高崎干大 ,  高三潴由香

IPC: C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种荧光半峰宽窄且荧光量子产率高的发出蓝色荧光的量子点。本发明的量子点(5)为一种至少含有Zn和Se而不含Cd的量子点，其特征在于，粒径为5nm以上20nm以下。而且，本发明的量子点(5)为一种至少含有Zn和Se而不含Cd的量子点，其特征在于，荧光量子产率为5％以上，荧光半峰宽为25nm以下。本发明能够使荧光寿命为50ns以下。

公开(公告)号：CN117242034A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202280030628.9

申请日：2022-02-25

Applicant: NS材料株式会社

Inventor： 高崎干大 ,  高三潴由香 ,  松泽宏则

IPC: C01B19/04

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可提高EQE的量子点的制造方法以及量子点。本发明的量子点的制造方法的特征在于，包括：生成核的工序和在所述核的表面包覆壳的工序，包覆所述壳的工序是在壳原料中混合酸性化合物以及卤化锌化合物。本发明优选为，包覆所述壳的工序至少分成前半和后半，通过在前半使用混合了所述酸性化合物而不混合所述卤化锌化合物的壳原料，在后半使用混合了酸性化合物以及卤化锌化合物这两方的壳原料而经多次包覆所述壳。

公开(公告)号：CN116981753A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202180094613.4

申请日：2021-12-24

Applicant: NS材料株式会社

Inventor： 三岛章雄 ,  荷方惣一朗 ,  维特·卡鲁塞克 ,  岛崎俊明 ,  小椋佑子 ,  高崎干大 ,  上田章悟 ,  芦村雄也

IPC: C09K11/08

Abstract: 本发明的目的在于提供能够使表面大量含有Zn的量子点的制造方法以及量子点。本发明的量子点的制造方法的特征在于，包括生成至少含有Ag、Ga、S或者含有Ag、Ga、Se的核的工序和在所述核的表面包覆壳的工序，在包覆所述壳的工序中，在所述核的表面包覆了GaS之后添加Zn。优选在包覆GaS之后包覆ZnS。优选在所述核以及所述壳中不含Cd及In。