Saved successfully
Save failed
Saved Successfully
Save Failed
公开(公告)号：CN116981753A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202180094613.4
申请日：2021-12-24
Applicant: NS材料株式会社
Inventor： 三岛章雄 , 荷方惣一朗 , 维特·卡鲁塞克 , 岛崎俊明 , 小椋佑子 , 高崎干大 , 上田章悟 , 芦村雄也
IPC: C09K11/08
Abstract: 本发明的目的在于提供能够使表面大量含有Zn的量子点的制造方法以及量子点。本发明的量子点的制造方法的特征在于，包括生成至少含有Ag、Ga、S或者含有Ag、Ga、Se的核的工序和在所述核的表面包覆壳的工序，在包覆所述壳的工序中，在所述核的表面包覆了GaS之后添加Zn。优选在包覆GaS之后包覆ZnS。优选在所述核以及所述壳中不含Cd及In。
