公开(公告)号：CN1310073C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN03147434.9

申请日：2003-07-10

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 中谦一郎 ,  坂本道昭 ,  助川统 ,  冈本守 ,  中田慎一 ,  山下正美

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/3205

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/136213

Abstract: 提供一种半透型液晶显示装置，它能够防止铝或者铝合金制成的反射薄膜和氧化铟锡制成的透明电极薄膜之间的电腐蚀反应，并且能够抑制反射薄膜中的残留直流电压造成的闪烁的出现。在上述的半透型液晶显示装置中，把从背光源提供光的透射区和接收环境光的反射区设置在象素区中，并且使用插入在反射薄膜和透明电极薄膜之间的钝化薄膜来在有源矩阵衬底上的反射区中形成反射薄膜。

公开(公告)号：CN1208674C

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN02140946.3

申请日：2002-07-11

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 中田慎一 ,  山本勇司 ,  石野隆行

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288

Abstract: 在用来通过覆盖着薄膜晶体管(TFT)的保护膜上形成使TFT的源电极和象素电极之间彼此连接的接触通孔的步骤中，随后形成的接触通孔的位置被设计成与保护膜上形成开口的外涂层的开口位置间隔不少于2.0微米。这种构造迫使酚醛清漆型的光敏抗蚀涂层的开口位于外涂层的开口的位置之内，所以通过在保护膜上形成的接触通孔可以具有决不受外涂层的开口影响的锥形截面轮廓，从而为源电极和象素电极之间稳定的连接创造条件。

公开(公告)号：CN1523406A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN03147434.9

申请日：2003-07-10

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 中谦一郎 ,  坂本道昭 ,  助川统 ,  冈本守 ,  中田慎一 ,  山下正美

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/3205

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/136213

Abstract: 提供一种半透型液晶显示装置，它能够防止铝或者铝合金制成的反射薄膜和氧化铟锡制成的透明电极薄膜之间的电腐蚀反应，并且能够抑制反射薄膜中的残留直流电压造成的闪烁的出现。在上述的半透型液晶显示装置中，把从背光源提供光的透射区和接收环境光的反射区设置在象素区中，并且使用插入在反射薄膜和透明电极薄膜之间的钝化薄膜来在有源矩阵衬底上的反射区中形成反射薄膜。