公开(公告)号：CN113170585B

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202080005956.4

申请日：2020-12-14

Applicant: MEC股份有限公司

Inventor： 松本启佑 ,  谷口真依 ,  四辻智美 ,  漆畑薰

IPC: H05K3/06

Abstract: 本发明的微蚀刻剂为用于铜的表面粗化的铜微蚀刻剂，且为含有无机酸、铜(II)离子源、卤化物离子源及聚合物的酸性水溶液，其中，聚合物为侧链含有氨基或季铵基的重均分子量1000以上的水溶性聚合物，在将硫酸根离子源的摩尔浓度设为Cs(mol/L)，将卤化物离子源的摩尔浓度设为Ch(mol/L)时，0≤(Cs/Ch)≤0.004，卤化物离子源的摩尔浓度为铜(II)离子源的摩尔浓度的3.875倍以下。

公开(公告)号：CN118064896A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311542978.6

申请日：2023-11-17

Applicant: MEC股份有限公司

Inventor： 片山大辅 ,  四辻智美 ,  秋山大作

IPC: C23F1/26

Abstract: 本发明的蚀刻液组包含：含有盐酸以及硫代化合物的第一液、以及含有盐酸以及亚硝酸源的第二液。第一液所含有的硫代化合物为碳数7以下的化合物，该化合物具有S－H或是S＝C，且具有选自由氨基、亚氨基、羧基、羰基、以及羟基所构成的组中的1种以上的官能基；第一液中的硫代化合物浓度为0.5重量％至30重量％。第二液中的亚硝酸源浓度为0.1mM至30mM；盐酸浓度为8重量％至30重量％；硫酸浓度为4.5重量％以下。本发明的蚀刻液组能够适用于Ni‑Cr合金等被处理金属的选择性蚀刻。

公开(公告)号：CN113170585A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202080005956.4

申请日：2020-12-14

Applicant: MEC股份有限公司

Inventor： 松本启佑 ,  谷口真依 ,  四辻智美 ,  漆畑薰

IPC: H05K3/06

Abstract: 本发明的微蚀刻剂为用于铜的表面粗化的铜微蚀刻剂，且为含有无机酸、铜(II)离子源、卤化物离子源及聚合物的酸性水溶液，其中，聚合物为侧链含有氨基或季铵基的重均分子量1000以上的水溶性聚合物，在将硫酸根离子源的摩尔浓度设为Cs(mol/L)，将卤化物离子源的摩尔浓度设为Ch(mol/L)时，0≤(Cs/Ch)≤0.004，卤化物离子源的摩尔浓度为铜(II)离子源的摩尔浓度的3.875倍以下。