公开(公告)号：CN110545967A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880027114.1

申请日：2018-04-11

Applicant: LG电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 慎镛民 ,  李东勋 ,  曹一秀 ,  赵东日 ,  李太载

IPC: B25J11/00 ,  B25J5/00 ,  B25J19/02 ,  B25J9/16 ,  A47L9/28

Abstract: 一种清洁器，所述清洁器包括：具有抽吸口的主体；设置在主体内并通过抽吸口抽吸清洁目标的清洁单元；移动主体的驱动单元；检测与主体的移动有关的信息的操作传感器；根据主体的移动捕获多个图像的相机；以及基于与移动有关的信息和捕获图像中的至少一个来检测与主体的位置有关的信息的控制器。

公开(公告)号：CN107077643A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580058431.6

申请日：2015-10-30

Applicant: SK电信有限公司 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 金兑炫 ,  赵东日 ,  李珉栽 ,  洪锡俊 ,  千弘珍

IPC: G06N99/00 ,  H04B10/70 ,  H04L9/12

Abstract: 在本发明的实施例中，提供一种离子阱装置及其制造方法，所述离子阱装置的基板的上侧或者下侧包括第一RF电极轨、第二RF电极轨、一个以上的第一DC电极及一个以上的第二DC电极，其特征在于，所述基板在以所述离子阱装置的宽度方向为基准而一侧和另一侧相隔一定距离而分离的空间内形成离子阱，所述第一RF电极轨和所述第二RF电极轨沿着所述离子阱装置的长度方向并行布置，所述第一RF电极轨位于所述一侧的上部，所述一个以上的第二DC电极位于所述一侧的下部，所述一个以上的第一DC电极位于所述另一侧的上部，所述第二RF电极轨位于所述另一侧的下部，具有从所述基板的一侧或者另一侧的外侧面连接至所述阱区域的激光贯穿路径。

公开(公告)号：CN107111788A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580058912.7

申请日：2015-10-30

Applicant: SK电信有限公司 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 金兑炫 ,  赵东日 ,  洪锡俊 ,  李珉栽 ,  千弘珍

IPC: G06N99/00

Abstract: 本发明的实施例提供一种离子阱装置及其制造方法，所述离子阱装置包括一个以上的中央DC电极，它们在半导体基板上包括DC连接垫以及与所述DC连接垫连接的DC轨；RF电极，其包括与所述DC轨相邻的一个以上的RF轨以及与所述一个以上的RF轨连接的RF垫；一个以上的侧方电极，它们包括以所述RF电极为基准位于所述DC电极的相反侧的一个以上的侧方电极垫；以及绝缘层，在所述半导体基板的上部支撑各电极中的至少一个电极；所述绝缘层包括第一绝缘层和位于所述第一绝缘层的上部的第二绝缘层，所述第二绝缘层具有在宽度方向上比所述第一绝缘层突出的突出部(Overhang)。