公开(公告)号：CN106605130A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201580039107.X

申请日：2015-05-19

Applicant: IDT欧洲有限责任公司

Inventor： T·雷谢尔 ,  L·西弗纳 ,  M·加尔扎罗利 ,  M·桑迪格 ,  L·格普费特

IPC: G01J1/02 ,  G01J5/02 ,  G01J5/04 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0216

CPC classification number: G01J1/0214 ,  G01J1/0295 ,  G01J1/429 ,  G01J1/44 ,  G01J5/0285 ,  G01J5/045 ,  G01J2001/0276 ,  G01J2001/446 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02164 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及在CMOS方法中产生的紫外光传感器，包括带有表面的基底，设计在上述基底中并检测射线的一个或多个传感器元件，至少一个置于上述基底表面上方的钝化层，以及置于上述钝化层上方并以至少一个滤光层形式设计的功能层。根据配置，通过直接设计在平坦钝化层上的滤光层，以及上述至少一个传感器元件周围和/或所述紫外光传感器周围的杂散光抑制装置，解决了通过本发明提供专门在紫外线波长范围内灵敏的紫外光传感器所处理的问题。根据上述方法，通过测量来自至少两个适用不同滤光层的光敏二极管的两个输出信号，并通过确定上述两个输出信号之间的数学关系，解决了上述问题。

公开(公告)号：CN106605130B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201580039107.X

申请日：2015-05-19

Applicant: IDT欧洲有限责任公司

Inventor： T·雷谢尔 ,  L·西弗纳 ,  M·加尔扎罗利 ,  M·桑迪格 ,  L·格普费特

IPC: G01J1/02 ,  G01J5/02 ,  G01J5/04 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0216

CPC classification number: G01J1/0214 ,  G01J1/0295 ,  G01J1/429 ,  G01J1/44 ,  G01J5/0285 ,  G01J5/045 ,  G01J2001/0276 ,  G01J2001/446 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02164 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及在CMOS方法中产生的紫外光传感器，包括带有表面的基底，设计在上述基底中并检测射线的一个或多个传感器元件，至少一个置于上述基底表面上方的钝化层，以及置于上述钝化层上方并以至少一个滤光层形式设计的功能层。根据配置，通过直接设计在平坦钝化层上的滤光层，以及上述至少一个传感器元件周围和/或所述紫外光传感器周围的杂散光抑制装置，解决了通过本发明提供专门在紫外线波长范围内灵敏的紫外光传感器所处理的问题。根据上述方法，通过测量来自至少两个适用不同滤光层的光敏二极管的两个输出信号，并通过确定上述两个输出信号之间的数学关系，解决了上述问题。