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公开(公告)号：CN110678503B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201880032297.6
申请日：2018-05-17
Applicant: AGC株式会社
IPC: C08J5/18 , B32B15/08 , B32B15/082 , B32B27/12 , B32B27/30 , C08J7/00 , C09J7/30 , C09J127/14 , C09J127/18
Abstract: 本发明的目的在于，提供耐热性优异并且与预浸料等层叠对象物的层间粘附性优异的含氟树脂薄膜或含氟树脂层叠体、使用该薄膜或层叠体的热压层叠体的制造方法、以及印刷电路板的制造方法。一种含氟树脂薄膜，其包含熔点为260℃～380℃的含氟树脂，并且利用原子力显微镜测定所述含氟树脂薄膜的厚度方向的至少一个表面的1μm2内时的算术平均粗糙度Ra为3.0nm以上。一种层叠体1，其具有包含所述含氟树脂的层A10和由其它基材形成的层B12，并且利用原子力显微镜测定层A10的第二表面10b的1μm2内时的算术平均粗糙度Ra为3.0nm以上。
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公开(公告)号：CN108141967B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201680061629.4
申请日：2016-10-20
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明在不进行使用金属钠的蚀刻处理的条件下，制造充分抑制了形成于由氟树脂材料构成的层的孔中的导通不良、具有优良的电特性的配线基板。本发明的配线基板1的制造方法是在依次层叠第一导体层12、和由相对介电常数为2.0～3.5的氟树脂材料构成的层(A)10、和第二导体层14、和接合层16、和由热固化性树脂的固化物构成的层(B)18而成的层叠体上形成孔20，然后在不进行使用金属钠的蚀刻处理的条件下对孔20的内壁面20a实施高锰酸溶液处理以及等离子处理的任一种或两种后，在孔20的内壁面20a形成镀覆层22。其中，该氟树脂材料含有具有特定的官能团的能够熔融成形的氟树脂(a)以及强化纤维基材。
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公开(公告)号：CN106574055B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201580041455.0
申请日：2015-07-31
Applicant: AGC株式会社
IPC: C08J3/12 , B32B15/08 , C08F214/26 , C08L27/18 , C08L101/00 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供一种可通过机械性粉碎，由PFA等熔点为260～320℃的含氟共聚物为主要成分的树脂粒子来制作体积密度大的平均粒径50μm以下的树脂粉末的方法。该方法对平均粒径100μm以上的树脂粒子(A)实施机械性粉碎处理，得到平均粒径0.02～50μm的树脂粉末。树脂粒子(A)由以含氟共聚物(X1)为主要成分的材料(X)构成，含氟共聚物(X1)为具有含有选自含羰基的基团、羟基、环氧基以及异氰酸酯基的至少1种官能团的单元(1)、和基于四氟乙烯的单元(2)的熔点为260～320℃的含氟共聚物。
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公开(公告)号：CN116282904A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310258876.5
申请日：2017-08-30
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明的玻璃基板(2)，以氧化物基准的摩尔百分率计，在0.001～5％的范围内含有碱金属氧化物，并且碱金属氧化物中由Na2O/(Na2O+K2O)表示的摩尔比为0.01～0.99的范围，且在合计含量1～40％的范围内含有Al2O3和B2O3，并且由Al2O3/(Al2O3+B2O3)表示的摩尔比为0～0.45的范围，以SiO2为主成分。玻璃基板(2)的至少一个主表面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra的值计为1.5nm以下且35GHz下的介电损耗角正切为0.007以下。
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公开(公告)号：CN110105597B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN201910434395.9
申请日：2015-07-31
Applicant: AGC株式会社
IPC: C08J3/12 , C08J5/10 , C08J5/24 , C08L63/00 , C08L79/08 , C08L101/00 , B32B5/16 , B32B7/12 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B15/08 , B32B15/18 , B32B15/20 , B32B27/08 , B32B27/18 , B32B27/28 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/38 , H05K1/03 , H05K3/00 , H05K3/06
Abstract: 本发明提供一种可通过机械性粉碎，由PFA等熔点为260～320℃的含氟共聚物为主要成分的树脂粒子来制作体积密度大的平均粒径50μm以下的树脂粉末的方法。该方法对平均粒径100μm以上的树脂粒子(A)实施机械性粉碎处理，得到平均粒径0.02～50μm的树脂粉末。树脂粒子(A)由以含氟共聚物(X1)为主要成分的材料(X)构成，含氟共聚物(X1)为具有含有选自含羰基的基团、羟基、环氧基以及异氰酸酯基的至少1种官能团的单元(1)、和基于四氟乙烯的单元(2)的熔点为260～320℃的含氟共聚物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111263736A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201880068797.5
申请日：2018-10-29
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 一种高频器件用石英玻璃，OH基浓度为300wtppm以下，频率25GHz以上且30GHz以下的FQ值为90000GHz以上，在20GHz以上且100GHz以下的频带中将FQ值近似为频率的一次函数时的斜率为1000以上。高频器件使用该石英玻璃而形成。
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公开(公告)号：CN109715576A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780056271.0
申请日：2017-08-30
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明的玻璃基板(2)，以氧化物基准的摩尔百分率计，在0.001～5％的范围内含有碱金属氧化物，并且碱金属氧化物中由Na2O/(Na2O+K2O)表示的摩尔比为0.01～0.99的范围，且在合计含量1～40％的范围内含有Al2O3和B2O3，并且由Al2O3/(Al2O3+B2O3)表示的摩尔比为0～0.45的范围，以SiO2为主成分。玻璃基板(2)的至少一个主表面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra的值计为1.5nm以下且35GHz下的介电损耗角正切为0.007以下。
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公开(公告)号：CN108141968B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201680061697.0
申请日：2016-10-20
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明提供即使不进行使用金属钠的蚀刻处理，也可制造充分抑制形成于电绝缘体层的孔中的导通不良、且电绝缘体层中即使不含有由强化纤维构成的织布或无纺布也可抑制翘曲等无法预期的变形的配线基板。配线基板1的制造方法是在具备包括第一导体层12和特定的氟树脂层(A)16以及耐热性树脂层(B)18、不含有强化纤维基材、相对介电常数为2.0～3.5、线膨胀系数为0～35ppm/℃的电绝缘体层10，和第二导体层14的层叠体上形成孔20，在不进行使用金属钠的蚀刻处理的条件下，对孔20的内壁面20a实施高锰酸溶液处理以及等离子处理的任一种或两种后，在孔20的内壁面20a上形成镀覆层22。
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公开(公告)号：CN110678503A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880032297.6
申请日：2018-05-17
Applicant: AGC株式会社
IPC: C08J5/18 , B32B15/08 , B32B15/082 , B32B27/12 , B32B27/30 , C08J7/00 , C09J7/30 , C09J127/14 , C09J127/18
Abstract: 本发明的目的在于，提供耐热性优异并且与预浸料等层叠对象物的层间粘附性优异的含氟树脂薄膜或含氟树脂层叠体、使用该薄膜或层叠体的热压层叠体的制造方法、以及印刷电路板的制造方法。一种含氟树脂薄膜，其包含熔点为260℃～380℃的含氟树脂，并且利用原子力显微镜测定所述含氟树脂薄膜的厚度方向的至少一个表面的1μm2内时的算术平均粗糙度Ra为3.0nm以上。一种层叠体1，其具有包含所述含氟树脂的层A10和由其它基材形成的层B12，并且利用原子力显微镜测定层A10的第二表面10b的1μm2内时的算术平均粗糙度Ra为3.0nm以上。
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公开(公告)号：CN116282901A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310270737.4
申请日：2017-08-30
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明的玻璃基板(2)，以氧化物基准的摩尔百分率计，在0.001～5％的范围内含有碱金属氧化物，并且碱金属氧化物中由Na2O/(Na2O+K2O)表示的摩尔比为0.01～0.99的范围，且在合计含量1～40％的范围内含有Al2O3和B2O3，并且由Al2O3/(Al2O3+B2O3)表示的摩尔比为0～0.45的范围，以SiO2为主成分。玻璃基板(2)的至少一个主表面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra的值计为1.5nm以下且35GHz下的介电损耗角正切为0.007以下。
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