半导体芯片的制造方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100481387C

    公开(公告)日:2009-04-22

    申请号:CN200480035319.2

    申请日:2004-10-20

    Abstract: 提供一种用于制造半导体芯片的方法,包括,在透光支撑件上涂敷光致发热转换层,假如在照射辐射能时,光致发热转换层将辐射能转变为热量以及由于该热量分解;通过将电路表面和光致发热转换层放置为互相面对,通过光可固化的粘合剂层叠半导体晶片和透光支撑件,由此形成在外面具有非电路表面的层叠体;研磨半导体晶片的非电路表面,直到半导体晶片达到希望的厚度;从非电路表面侧切割该研磨的半导体晶片,以将它切割为多个半导体芯片;从该透光支撑件侧照射辐射能,以分解该光致发热转换层,由此分为具有粘结层和透光支撑件的半导体芯片,以及从半导体芯片选择性地除去粘结层。

    半导体芯片的制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1886831A

    公开(公告)日:2006-12-27

    申请号:CN200480035319.2

    申请日:2004-10-20

    Abstract: 提供一种用于制造半导体芯片的方法,包括,在透光支撑件上涂敷光致发热转换层,假如在照射辐射能时,光致发热转换层将辐射能转变为热量以及由于该热量分解;通过将电路表面和光致发热转换层放置为互相面对,通过光可固化的粘合剂层叠半导体晶片和透光支撑件,由此形成在外面具有非电路表面的层叠体;研磨半导体晶片的非电路表面,直到半导体晶片达到希望的厚度;从非电路表面侧切割该研磨的半导体晶片,以将它切割为多个半导体芯片;从该透光支撑件侧照射辐射能,以分解该光致发热转换层,由此分为具有粘结层和透光支撑件的半导体芯片,以及从半导体芯片选择性地除去粘结层。

    膜电极组件和固体聚合物燃料电池

    公开(公告)号:CN110088960A

    公开(公告)日:2019-08-02

    申请号:CN201780078361.X

    申请日:2017-12-19

    Inventor: 野田一树

    Abstract: 本发明提供了一种膜电极组件,该膜电极组件包括纳米结构化薄膜催化剂作为阳极电极催化剂,该膜电极组件对湿度变化具有稳健性。另外,本发明提供了一种包括该膜电极组件的固体聚合物燃料电池。本公开的实施方案的膜电极组件包括电解质膜;阳极电极催化剂层,该阳极电极催化剂层与电解质膜接触;阳极气体扩散层;以及氟化聚合物层,该氟化聚合物层与阳极电极催化剂层接触,位于阳极电极催化剂层和阳极气体扩散层之间。该阳极电极催化剂层包括多个纳米结构元件,这些纳米结构元件包括负载纳米级催化剂颗粒的针状微结构化载体晶须;并且该氟化聚合物层包含已经以网络形式分散的完全氟化的聚合物颗粒或部分氟化的聚合物颗粒中的一种。

    离子交换膜以及生产离子交换膜的方法、膜电极组件和氧化还原液流电池组

    公开(公告)号:CN109314263A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201780037395.4

    申请日:2017-06-15

    Abstract: 目的:为了提供能够实现高质子传输能力和高离子渗透选择性的离子交换膜、包括所述离子交换膜的膜电极组件和包括所述膜电极组件的氧化还原液流电池组。解决方法:本公开的一个方面提供用于氧化还原液流电池组的离子交换膜,该离子交换膜包含离子导电聚合物和非织造织物,其中非织造织物设置在离子导电聚合物中。本公开的另一个方面提供膜电极组件,该膜电极组件包括正极、负极和本公开的用于氧化还原液流电池组的离子交换膜,其中用于氧化还原液流电池组的离子交换膜设置在正极和负极之间。本公开的另一个方面提供包括本公开的膜电极组件的氧化还原液流电池组。本公开的另一个方面提供用于生产用于氧化还原液流电池组的离子交换膜的方法。

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