具有开口的磁屏蔽结构及用于此的磁材料框架

    公开(公告)号:CN1762188A

    公开(公告)日:2006-04-19

    申请号:CN200480007416.0

    申请日:2004-03-16

    CPC classification number: G01R33/0047 G01R33/421 H01F27/365

    Abstract: 一种具有开口的磁屏蔽结构,所述结构包括:多个类似的磁百叶窗状件主体2,每个百叶窗状件主体2具有一个假设百叶窗状件芯平面F,和以磁屏蔽所需的距离d彼此间隔的多个磁性材料板条1,每个板条1在其纵向中央轴C处与百叶窗状件芯平面F相交,板条的纵向中心轴被定向实质上在百叶窗状件芯平面F上彼此平行。通过板条末端部分的重叠或邻接,将每个百叶窗状件主体2中的每个板条1连续连接到相邻百叶窗状件主体2b的相应板条1,百叶窗状件主体2a,2b被连接成一排,从而,百叶窗状件主体2a,2b的百叶窗状件芯平面Fa,Fb被如此连接以确定连续磁屏蔽平面,而每个百叶窗状件主体2a,2b中相邻板条1之间的空间d形成磁屏蔽结构中的开口。优选地,三个或更多个磁百叶窗状件主体2被连接成一排以形成闭合磁通路。百叶窗状件主体2a,2b可被并排地堆叠,以便百叶窗状件芯平面Fa,Fb彼此平行,而每个百叶窗状件主体2a,2b中的板条的中央轴的方位被选择以便最优地衰减穿过磁屏蔽结构的磁场。

    低铁损和低噪声晶粒取向电工钢板及其生产方法

    公开(公告)号:CN1317402C

    公开(公告)日:2007-05-23

    申请号:CN01122889.X

    申请日:2001-05-11

    CPC classification number: C21D8/1294 B23K2103/04 C21D8/1288 H01F1/14775

    Abstract: 提供低铁损和低噪声确保变压器具有低铁损和低噪声特性的晶粒取向电工钢板。还涉及通过在充分的范围内相对于εo、ε17分别控制εoc和ε17L,εoL和ε17L,及当测量轧制方向上磁致伸缩振动0-p值时在最适当范围内控制λ17制备的含硅1.0-4.0重量%的晶粒取向电工钢板,其中εo是钢板磁化达饱和磁通密度时的0-p值,ε17为饱和磁通密度下0-p值减去磁化磁通密度1.7T时的0-p值的结果,εOC和ε17L为形成张力膜和镁橄榄石薄膜产生的偏差绝对值,εOL和ε17L为所述膜形成后照射激光产生的偏差绝对值,λ17为磁化磁通密度为1.7T时的0-p值。

    金属带的间接通电式连续电解腐蚀方法及其装置

    公开(公告)号:CN1244723C

    公开(公告)日:2006-03-08

    申请号:CN03106843.X

    申请日:2003-03-04

    CPC classification number: C25F7/00 C25F3/06 C25F3/14

    Abstract: 本发明提供一种金属带的间接通电式连续电解腐蚀方法及其装置,适于制造在消除应力退火后铁损难劣化的低铁损方向性硅钢板。一种金属带的间接通电式连续电解腐蚀方法及装置,在一面或两面上形成了施以腐蚀图案的腐蚀掩膜的金属带上,通过间接通电式电解腐蚀连续加工槽,在该装置中,与上述金属带的形成了腐蚀图案的腐蚀面相对,在上述金属带的行进方向,依次交替为A类、B类地配置至少一对的多个电极,并在上述金属带与上述电极组间填充电解液,在A类与B类电极间施加电压。最好在A类与B类电极间,交替反复施加如下电压,(I)时间M=3~10msec期间,以A类电极为阴极施加电压,(II)时间N=4×M~20×Mmsec期间,以A类电极为阳极施加电压。

    金属带的间接通电式连续电解腐蚀方法及其装置

    公开(公告)号:CN1473965A

    公开(公告)日:2004-02-11

    申请号:CN03106843.X

    申请日:2003-03-04

    CPC classification number: C25F7/00 C25F3/06 C25F3/14

    Abstract: 本发明提供一种金属带的间接通电式连续电解腐蚀方法及其装置,适于制造在消除应力退火后铁损难劣化的低铁损方向性硅钢板。一种金属带的间接通电式连续电解腐蚀方法及装置,在一面或两面上形成了施以腐蚀图案的腐蚀掩膜的金属带上,通过间接通电式电解腐蚀连续加工槽,在该装置中,与上述金属带的形成了腐蚀图案的腐蚀面相对,在上述金属带的行进方向,依次交替为A类、B类地配置至少一对的多个电极,并在上述金属带与上述电极组间填充电解液,在A类与B类电极间施加电压。最好在A类与B类电极间,交替反复施加如下电压,(I)时间M=3~10msec期间,以A类电极为阴极施加电压,(II)时间N=4×M~20×M msec期间,以A类电极为阳极施加电压。

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