公开(公告)号：CN115692374A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211455775.9

申请日：2016-10-11

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： H·B·林 ,  段政宇 ,  叶棋 ,  M·马拉布里

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开涉及电力轨入界线中部(MOL)布线。在某些方面，一种半导体管芯包括电力轨、第一栅极和第二栅极。该半导体管芯还包括：电耦合到第一栅极的第一栅极接触部，其中第一栅极接触部由第一线中部(MOL)金属层形成；以及电耦合到第二栅极的第二栅极接触部，其中第二栅极接触部由第一MOL金属层形成。该半导体管芯进一步包括由第二MOL金属层形成的互连部，其中互连部电耦合到第一和第二栅极接触部，并且互连部的至少一部分在电力轨下方。

公开(公告)号：CN107743598B

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201680034941.4

申请日：2016-06-15

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 陈向东 ,  H·B·林 ,  权武尚 ,  M·马拉布里 ,  张静维 ,  R·G·斯特法尼 ,  杨海宁 ,  K·雷姆 ,  S·S·宋 ,  M·古普塔 ,  F·旺

IPC: G03F7/20

Abstract: 在本公开的一方面中，提供了一种用于为多图案化工艺分配特征颜色的方法、计算机可读介质和装置。该装置接收集成电路布局信息，该集成电路布局信息包括特征集合以及多个颜色中的用于特征集合的第一特征子集中的每个特征的分配颜色。另外，该装置对第二特征子集执行颜色分解以将颜色分配给第二特征子集中的特征。第二特征子集包括特征集合中的、不被包括于具有分配颜色的第一特征子集中的特征。

公开(公告)号：CN107743598A

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201680034941.4

申请日：2016-06-15

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 陈向东 ,  H·B·林 ,  权武尚 ,  M·马拉布里 ,  张静维 ,  R·G·斯特法尼 ,  杨海宁 ,  K·雷姆 ,  S·S·宋 ,  M·古普塔 ,  F·旺

IPC: G03F7/20

Abstract: 在本公开的一方面中，提供了一种用于为多图案化工艺分配特征颜色的方法、计算机可读介质和装置。该装置接收集成电路布局信息，该集成电路布局信息包括特征集合以及多个颜色中的用于特征集合的第一特征子集中的每个特征的分配颜色。另外，该装置对第二特征子集执行颜色分解以将颜色分配给第二特征子集中的特征。第二特征子集包括特征集合中的、不被包括于具有分配颜色的第一特征子集中的特征。

公开(公告)号：CN109328396B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201780037498.0

申请日：2017-06-09

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 陈向东 ,  H·B·林 ,  S·萨哈 ,  V·宝娜帕里

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/528 ,  H01L27/118

Abstract: 一种MOS IC(300)包括在第一标准单元(302a)中的第一接触互连(330)，第一接触互连(330)以第一方向延伸并且接触第一MOS晶体管源极(310)和电压源。此外，MOS IC包括沿着第一边界(344)以第一标准单元和第二标准单元(302b)的第一方向延伸的第一双扩散中断。MOS IC还包括在第一双扩散中断的一部分上延伸的第二接触互连(360)。在一方面，第二接触互连在第一标准单元和第二标准单元两者内，并且耦合到电压源。另外，MOS IC包括以与第一方向正交的第二方向延伸并且将第一接触互连和第二接触互连耦合在一起的第三接触互连。

公开(公告)号：CN109328396A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201780037498.0

申请日：2017-06-09

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 陈向东 ,  H·B·林 ,  S·萨哈 ,  V·宝娜帕里

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/528 ,  H01L27/118

Abstract: 一种MOS IC(300)包括在第一标准单元(302a)中的第一接触互连(330)，第一接触互连(330)以第一方向延伸并且接触第一MOS晶体管源极(310)和电压源。此外，MOS IC包括沿着第一边界(344)以第一标准单元和第二标准单元(302b)的第一方向延伸的第一双扩散中断。MOS IC还包括在第一双扩散中断的一部分上延伸的第二接触互连(360)。在一方面，第二接触互连在第一标准单元和第二标准单元两者内，并且耦合到电压源。另外，MOS IC包括以与第一方向正交的第二方向延伸并且将第一接触互连和第二接触互连耦合在一起的第三接触互连。

公开(公告)号：CN108352360A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680064949.5

申请日：2016-10-11

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： H·B·林 ,  段政宇 ,  叶棋 ,  M·马拉布里

IPC: H01L21/8238 ,  G06F17/50 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/088 ,  G06F17/5072 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823821 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5286 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/45

Abstract: 在某些方面，一种半导体管芯包括电力轨、第一栅极和第二栅极。该半导体管芯还包括：电耦合到第一栅极的第一栅极接触部，其中第一栅极接触部由第一线中部(MOL)金属层形成；以及电耦合到第二栅极的第二栅极接触部，其中第二栅极接触部由第一MOL金属层形成。该半导体管芯进一步包括由第二MOL金属层形成的互连部，其中互连部电耦合到第一和第二栅极接触部，并且互连部的至少一部分在电力轨下方。