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公开(公告)号：CN101356628A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200680036402.0
申请日：2006-08-07
Applicant: 高级技术材料公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/463 , H01L21/461
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , H01L21/3212
Abstract: 化学机械抛光的方法，包括单个步骤I的CMP浆料制剂，用于对其上优选沉积铜的微电子器件结构进行平坦化。该方法包括使用具有氧化剂、钝化剂、磨料和溶剂的第一CMP浆料制剂进行的铜层体相去除，以及使用包括第一CMP浆料制剂和至少一种额外添加剂的制剂进行的微电子器件结构的软抛光和过抛光。本文所述的CMP方法提供了高的铜去除速率、相对低的阻挡材料去除速率、合适的材料选择性范围，从而在开始暴露阻挡材料时最大程度地减少铜凹陷，得到良好的平坦化效率。
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公开(公告)号：CN101688705B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200880021328.4
申请日：2008-06-22
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： J·唐纳德·卡拉瑟斯 , 卡尔·博格斯 , 王录平 , 肖恩·威尔逊 , 乔斯·I·阿尔诺 , 保罗·J·马甘斯基 , 史蒂文·M·比洛迪奥 , 邹鹏 , 布赖恩·博比塔 , 约瑟夫·D·斯威尼 , 道格拉斯·爱德华兹
CPC classification number: B01J20/26 , B01J20/20 , B01J20/28054 , B01J20/28092 , B01J20/30 , B01J20/305 , B01J20/3078 , B01J2220/445 , C09K5/047 , F25B17/08 , F25B27/007 , F25B35/04 , F25B37/00 , F25B2500/01
Abstract: 描述了一种吸附结构，该吸附结构包括由吸附材料形成的至少一个吸附构件和至少一个多孔构件，该多孔构件设置成吸附构件的一部分接触，以允许气体进出吸附构件的所述部分。这种吸附结构有益地用于吸附型制冷系统。还描述了一种用于制造吸附材料的方法，在该方法中提供具有第一密度的第一聚合材料和具有第二密度的第二聚合材料，并且在该方法中第二聚合材料与第一聚合材料接触而形成结构。该结构经热解形成多孔吸附材料，该多孔吸附材料包括对应第一聚合材料的第一区域和对应第二聚合材料的第二区域，其中第一区域与第二区域在微孔尺寸和微孔分布中至少一项上不同。
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公开(公告)号：CN1735671A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200380108506.4
申请日：2003-12-02
Applicant: 高级技术材料公司
CPC classification number: C23F3/06 , C09G1/02 , C23F3/00 , C23F11/141 , H01L21/3212
Abstract: 本发明公开了一种CMP组合物，其含有，例如，与氧化剂，螯合剂，研磨剂和溶剂组合的5－氨基四唑。这种CMP组合物有利地缺乏BTA，并对抛光半导体基材上铜元件的表面是有用的，而不会在抛光的铜中出现下陷或其他不利的平面化缺陷，甚至在CMP加工过程中，在铜/CMP组合物界面，本体CMP组合物有显著水平的铜离子，例如Cu2+存在下。
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公开(公告)号：CN101085901A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710106575.1
申请日：2003-12-02
Applicant: 高级技术材料公司
IPC: C09G1/02 , C09G1/14 , H01L21/304
CPC classification number: C23F3/06 , C09G1/02 , C23F3/00 , C23F11/141 , H01L21/3212
Abstract: 本发明公开了一种CMP组合物，其含有，例如，与氧化剂，螯合剂，研磨剂和溶剂组合的5－氨基四唑。这种CMP组合物有利地缺乏BTA，并对抛光半导体基材上铜元件的表面是有用的，而不会在抛光的铜中出现下陷或其他不利的平面化缺陷，甚至在CMP加工过程中，在铜/CMP组合物界面，本体CMP组合物有显著水平的铜离子，例如Cu2+存在下。
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公开(公告)号：CN1329467C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200380108506.4
申请日：2003-12-02
Applicant: 高级技术材料公司
CPC classification number: C23F3/06 , C09G1/02 , C23F3/00 , C23F11/141 , H01L21/3212
Abstract: 本发明公开了一种CMP组合物，其含有，例如，与氧化剂，螯合剂，研磨剂和溶剂组合的5-氨基四唑。这种CMP组合物有利地缺乏BTA，并对抛光半导体基材上铜元件的表面是有用的，而不会在抛光的铜中出现下陷或其他不利的平面化缺陷，甚至在CMP加工过程中，在铜/CMP组合物界面，本体CMP组合物有显著水平的铜离子，例如Cu2+存在下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103261042A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180059980.7
申请日：2011-12-09
Applicant: 高级技术材料公司
CPC classification number: B65D25/16 , B31B70/00 , B31B2160/00 , B65D25/14 , B65D77/06 , B65D85/70 , B65D85/84 , B67D1/0001 , B67D7/0261 , B67D7/0283 , B67D7/0288 , B67D7/78
Abstract: 一种内衬，该内衬具有管状主体部分、大致圆形的底部部分及大致圆形的顶部部分；该管状主体部分具有顶部圆周边缘及底部圆周边缘，该大致圆形的底部部分沿底部圆周边缘密封至管状主体部分，该大致圆形的顶部部分沿顶部圆周边缘密封至管状主体部分。该顶部部分可包括密封至顶部部分的配件。该管状主体部分可包括从顶部圆周边缘延伸至底部圆周边缘的至少一个焊缝。在特定实施例中，管状主体部分可包括被焊接在一起以形成管状主体的两个板，因此该管状主体部分具有从顶部圆周边缘延伸至底部圆周边缘的两个焊缝。
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公开(公告)号：CN101511607A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200680028191.6
申请日：2006-06-06
Applicant: 高级技术材料公司
IPC: B44C1/22 , C23F1/00 , C23F1/10 , H01L21/302
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , C09K3/1472 , H01L21/3212
Abstract: 本发明公开了用于去除微电子器件基板上的铜和阻挡层材料的化学机械抛光(CMP)组合物和单CMP台板方法。该方法包括在单CMP台板垫上步骤I浆料制剂向步骤II浆料制剂的原位转化，所述步骤I浆料制剂用于选择性地去除铜并使之平坦化，所述步骤II浆料制剂用于选择性地去除阻挡层材料。
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公开(公告)号：CN101371339A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200480012929.0
申请日：2004-05-10
Applicant: 高级技术材料公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/461
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , C23F3/04 , C23F3/06 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明公开了一种用于平坦化具有铜阻挡层部分的半导体晶片表面的CMP组合物和方法，所述组合物包括氧化剂、硼酸组分和研磨剂。
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公开(公告)号：CN1787895A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200480012930.3
申请日：2004-05-10
Applicant: 高级技术材料公司
IPC: B24D3/02 , B24B1/00 , C09C1/68 , C09K3/14 , H01L21/302 , H01L21/461
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , C09K3/1472 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明公开了一种CMP组合物，其包含流变剂以及例如氧化剂、鳌合剂、抑制剂、研磨剂和溶剂。这种CMP组合物有利地增加在CMP方法中的材料选择性，可用于抛光半导体衬底上铜元件的表面，而不会在抛光的铜内产生凹陷或其他不利的平坦化缺陷。
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公开(公告)号：CN101356628B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200680036402.0
申请日：2006-08-07
Applicant: 高级技术材料公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/463 , H01L21/461
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , H01L21/3212
Abstract: 化学机械抛光的方法，包括单个步骤I的CMP浆料制剂，用于对其上优选沉积铜的微电子器件结构进行平坦化。该方法包括使用具有氧化剂、钝化剂、磨料和溶剂的第一CMP浆料制剂进行的铜层体相去除，以及使用包括第一CMP浆料制剂和至少一种额外添加剂的制剂进行的微电子器件结构的软抛光和过抛光。本发明所述的CMP方法提供了高的铜去除速率、相对低的阻挡材料去除速率、合适的材料选择性范围，从而在开始暴露阻挡材料时最大程度地减少铜凹陷，得到良好的平坦化效率。
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