基于脑机接口的脑损伤功能训练装置

    公开(公告)号:CN214285770U

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN202022697013.2

    申请日:2020-11-19

    Abstract: 本实用新型涉及一种基于脑机接口的脑损伤功能训练装置,至少包括外骨骼组件,所述外骨骼组件按照能够受到所述支撑控制组件的调控而进行肢体功能训练的方式与支撑控制组件可拆卸地连接,所述外骨骼组件上还设置有能够监测患者肢体训练数据的监测模块,当所述外骨骼组件穿戴在患者肢体上时,所述监测模块可拆卸地贴覆在患者肢体表面;且所述监测模块按照能够捕捉患者肢体关节活动时的动作信号的方式设置在所述外骨骼组件相互枢接的转轴表面。本装置能够帮助卧床患者完成日常功能活动所需的肢体动作的前期分解训练,帮助患者为下一步的离床康复训练和日常活动做好前期准备。

    一种神经电刺激组件
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN118236621B

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410677682.3

    申请日:2024-05-29

    Abstract: 本发明涉及一种神经电刺激组件,包括穿刺针、电片、导线和顶杆,穿刺针内形成穿插通道,所述穿刺针内设有止挡结构,所述止挡结构包括第一止挡块和第二止挡块,在所述穿刺针的径向上,所述第一止挡块与所述第二止挡块相对间隔设置,所述第一止挡块与所述第二止挡块之间留有间隔,在所述穿刺针的轴向上,所述止挡结构将所述穿插通道分为第一通道和第二通道,其中,所述第一通道位于所述第二通道的远端侧,所述第一通道的长度小于所述电片的长度;所述导线的远端连接于所述电片的近端,所述电片为板状,所述电片的厚度小于所述间隔的宽度。通过超声引导局麻穿刺将电片植入到迷走神经处,无需开放手术,避免全麻及较大的手术切口,便于快速后期康复。

    一种混合脑机接口的康复训练方法及系统

    公开(公告)号:CN116173406A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202310044583.7

    申请日:2023-01-30

    Abstract: 本发明公开了一种混合脑机接口的康复训练方法,其特征在于,包括:脑电信号分析单元对采集到的脑电信号进行分析,得到电刺激通道控制信号;足底压力信号分析单元对采集到的足底压力信号进行分析后得到即时电刺激强度,根据即时电刺激强度输出即时电刺激强度调控信号;电刺激器控制单元根据电刺激通道控制信号,确定电刺激器控制单元的第一输出结果,根据即时电刺激强度调控信号,确定电刺激器控制单元的第二输出结果;电刺激器控制单元根据第一输出结果和第二输出结果,确定电刺激器的工作状态。本发明使用脑电信号和足底压力信号共同控制电刺激器的工作状态,可以促进使用者在康复中使用“大脑”尽力控制损伤的脊髓,进而恢复下肢的功能。

    一种病灶的毁损灶生成方法及病灶毁损系统

    公开(公告)号:CN110246222A

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201910380057.1

    申请日:2019-05-08

    Abstract: 本发明实施例涉及一种病灶的毁损灶生成方法及病灶毁损系统,其中,所述毁损灶生成方法包括:建立覆盖病灶的立体交叉毁损网格,其中,所述立体交叉毁损网格包括多个节点和多条边,所述节点为电极的触点,所述边对应的两个电极的触点间距小于或等于毁损距离;对所述电极进行供电控制,以生成所述病灶的毁损灶。本发明实施例中,建立的立体交叉毁损网格中,每条边对应的两个电极的触电之间可形成偶极电场,进而形成毁损灶;并且由于边对应的两个电极的触点间距小于或等于毁损距离,使得毁损灶为连续的毁损灶,进而使得建立的立体交叉毁损网格增大了毁损灶的毁损范围,能够对立体病灶实现完全覆盖。

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