公开(公告)号：CN100524581C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200410090325.X

申请日：2004-08-27

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 宋润镐 ,  黄治善 ,  金光福

IPC: H01J3/02 ,  H01J29/48 ,  H01J37/073 ,  H01J1/304 ,  H01J1/46

CPC classification number: H01J3/022

Abstract: 本发明公开了一种场致发射器件，包括：阴极，该阴极包括用于发射电子的电场发射极；用于感应电子发射的场致发射感应栅极；和一个用于接收所发射的电子的阳极。场致发射抑制栅极位于阴极和场致发射感应栅极之间，以用于抑制电子发射，这样可以显著地克服在传统场致发射器件中的例如栅极漏电流、阳极电压引起的电子发射和电子束分散的问题。

公开(公告)号：CN1598999A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410090325.X

申请日：2004-08-27

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 宋润镐 ,  黄治善 ,  金光福

IPC: H01J3/02 ,  H01J29/48 ,  H01J37/073 ,  H01J1/304 ,  H01J1/46

CPC classification number: H01J3/022

Abstract: 本发明公开了一种场致发射器件，包括：阴极，该阴极包括用于发射电子的电场发射极；用于感应电子发射的场致发射感应栅极；和一个用于接收所发射的电子的阳极。场致发射抑制栅极位于阴极和场致发射感应栅极之间，以用于抑制电子发射，这样可以显著地克服在传统场致发射器件中的例如栅极漏电流、阳极电压引起的电子发射和电子束分散的问题。