公开(公告)号：CN101997002A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010262020.8

申请日：2010-08-25

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 尹圣民 ,  卞春元 ,  梁伸赫 ,  朴相姬 ,  郑焞元 ,  姜承烈 ,  黄治善 ,  俞炳坤

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/6684 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  H01L21/28291 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储单元及其制造方法。该非易失性存储单元包括存储晶体管和驱动晶体管。存储晶体管包括设置在基板上的半导体层、缓冲层、有机铁电层以及栅极电极。驱动晶体管包括设置在基板上的半导体层、缓冲层、栅极绝缘层以及栅极电极。存储晶体管和驱动晶体管设置在相同的基板上。该非易失性存储单元在可见光区域内是透明的。