公开(公告)号：CN107039596B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201610905317.9

申请日：2016-10-17

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 朴永森 ,  赵阧熙 ,  李定益 ,  李宗熙 ,  安成德 ,  俞炳坤 ,  赵南盛

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

Abstract: 本文提供了光学装置及其制备方法。制备光学装置的方法可包括提供基底结构，且将包括弯曲结构的阵列沉积在基底结构上。该弯曲结构可包含结晶有机化合物。

公开(公告)号：CN107039596A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610905317.9

申请日：2016-10-17

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 朴永森 ,  赵阧熙 ,  李定益 ,  李宗熙 ,  安成德 ,  俞炳坤 ,  赵南盛

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

Abstract: 本文提供了光学装置及其制备方法。制备光学装置的方法可包括提供基底结构，且将包括弯曲结构的阵列沉积在基底结构上。该弯曲结构可包含结晶有机化合物。

公开(公告)号：CN101997002A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010262020.8

申请日：2010-08-25

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 尹圣民 ,  卞春元 ,  梁伸赫 ,  朴相姬 ,  郑焞元 ,  姜承烈 ,  黄治善 ,  俞炳坤

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/6684 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  H01L21/28291 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储单元及其制造方法。该非易失性存储单元包括存储晶体管和驱动晶体管。存储晶体管包括设置在基板上的半导体层、缓冲层、有机铁电层以及栅极电极。驱动晶体管包括设置在基板上的半导体层、缓冲层、栅极绝缘层以及栅极电极。存储晶体管和驱动晶体管设置在相同的基板上。该非易失性存储单元在可见光区域内是透明的。

公开(公告)号：CN101258598A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200680032890.8

申请日：2006-08-30

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 尹圣民 ,  李南烈 ,  柳相旭 ,  李承胤 ,  朴永森 ,  崔圭政 ,  俞炳坤

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 提供了一种使用具有低熔点和高结晶速度的相变材料的相变存储装置及其制作方法。该相变存储装置包括锑(Sb)－硒(Se)硫族化物SbxSe100－x相变材料层，该SbxSe100－x相变材料层接触通过孔露出的热发生电极层并填充孔。由于在相变材料层内使用SbxSe100－x，可以制造与GST存储装置相比速度更快，功耗更低的相变存储装置。