公开(公告)号：CN101322230B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200680045741.5

申请日：2006-12-04

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 白寅福 ,  李诚宰 ,  梁钟宪 ,  安昌根 ,  刘汉泳 ,  林基主

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66439 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/28123 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/7831

Abstract: 提供一种通过光刻工艺改变光致抗蚀剂的性质以形成虚拟结构并且将该结构应用于栅电极形成工艺的半导体器件制造方法。该方法包括步骤：在半导体衬底的顶部上形成缓冲层；在缓冲层上应用无机光致抗蚀剂，并通过光刻工艺形成光致抗蚀剂图案；用预定气体来热处理光致抗蚀剂图案；在热处理后的结构上均匀沉积绝缘层，并将所沉积的层蚀刻所沉积的厚度以露出热处理后的光致抗蚀剂图案；在蚀刻后的结构上沉积绝缘层，并且蚀刻所沉积的绝缘层以露出热处理后的光致抗蚀剂图案；使用蚀刻工艺去除所露出的光致抗蚀剂图案；在光致抗蚀剂图案被去除的部分形成栅极氧化层；以及在栅极氧化层上形成栅电极。因此，在形成用于制造纳米尺寸器件的结构中，通过光刻工艺形成的层的限制通过热处理得到改善，且因此用于制造各种器件的结构可以容易形成。

公开(公告)号：CN101322230A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200680045741.5

申请日：2006-12-04

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 白寅福 ,  李诚宰 ,  梁钟宪 ,  安昌根 ,  刘汉泳 ,  林基主

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66439 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/28123 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/7831

Abstract: 提供一种通过光刻工艺改变光致抗蚀剂的性质以形成虚拟结构并且将该结构应用于栅电极形成工艺的半导体器件制造方法。该方法包括步骤：在半导体衬底的顶部上形成缓冲层；在缓冲层上应用无机光致抗蚀剂，并通过光刻工艺形成光致抗蚀剂图案；用预定气体来热处理光致抗蚀剂图案；在热处理后的结构上均匀沉积绝缘层，并将所沉积的层蚀刻所沉积的厚度以露出热处理后的光致抗蚀剂图案；在蚀刻后的结构上沉积绝缘层，并且蚀刻所沉积的绝缘层以露出热处理后的光致抗蚀剂图案；使用蚀刻工艺去除所露出的光致抗蚀剂图案；在光致抗蚀剂图案被去除的部分形成栅极氧化层；以及在栅极氧化层上形成栅电极。因此，在形成用于制造纳米尺寸器件的结构中，通过光刻工艺形成的层的限制通过热处理得到改善，且因此用于制造各种器件的结构可以容易形成。