公开(公告)号：CN1428870A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02116140.2

申请日：2002-04-19

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 金海千 ,  朴敏 ,  文载京 ,  邢昌熙 ,  池弘九 ,  安浩均

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7785

Abstract: 本发明提供了一种在双平面搀杂外延生长衬底上形成的、并可用单一电源电压工作的假同晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)功率器件，及其制造方法。该PHEMT功率器件包括：一外延生长的衬底，该衬底包括依次堆叠在半绝缘GaAs衬底上的一GaAs缓冲层、一AlGaAs/GaAs超晶格层、一未搀杂的AlGaAs层、第一搀杂硅层、第一隔离衬、一InGaAs电子输运层、第二隔离衬、具有与第一搀杂硅层不同的搀杂浓度的第二搀杂硅层、一轻度搀杂的AlGaAs层、以及一无搀杂的GaAs封盖层；在该无搀杂的GaAs封盖层上形成、并与其形成欧姆接触的一源电极和一漏电极；以及在该轻度搀杂的AlGaAs层上形成的延伸穿过该无搀杂GaAs封盖层的一栅电极。

公开(公告)号：CN101868913B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN200780100226.7

申请日：2007-12-21

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 朴敏 ,  康太荣 ,  崔炳建 ,  崔鈗皓 ,  金柄助 ,  金永皓 ,  朴耿奂 ,  玄锡奉 ,  严洛雄

IPC: H03F3/20

CPC classification number: H03G3/3042 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/0277 ,  H03F1/32 ,  H03F3/211 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/21103 ,  H03F2203/21139 ,  H03F2203/7233

Abstract: 本发明提供了一种低功率消耗混合模式放大器。该功率放大器包括：低输出放大器电路，用于在最频繁使用的低输出模式中生成具有高效率的功率放大结果；高输出放大器电路，用于在消耗最多功率的区域的高输出模式中生成高线性的放大结果；放大器控制器，用于根据输入信号的功率电平来选择性激活所述低和高输出放大器电路。所述高和低输出放大器电路具有预定增益差。

公开(公告)号：CN101868913A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200780100226.7

申请日：2007-12-21

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 朴敏 ,  康太荣 ,  崔炳建 ,  崔鈗皓 ,  金柄助 ,  金永皓 ,  朴耿奂 ,  玄锡奉 ,  严洛雄

IPC: H03F3/20

CPC classification number: H03G3/3042 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/0277 ,  H03F1/32 ,  H03F3/211 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/21103 ,  H03F2203/21139 ,  H03F2203/7233

Abstract: 提供了一种低功率消耗混合模式放大器。该功率放大器包括：低输出放大器电路，用于在最频繁使用的低输出模式中生成具有高效率的功率放大结果；高输出放大器电路，用于在消耗最多功率的区域的高输出模式中生成高线性的放大结果；放大器控制器，用于根据输入信号的功率电平来选择性激活所述低和高输出放大器电路。所述高和低输出放大器电路具有预定增益差。

公开(公告)号：CN102680963B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201210174707.5

申请日：2012-03-16

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 金千洙 ,  朴泌哉 ,  朴敏 ,  朴景焕 ,  金铜暎 ,  金汀根 ,  具本台 ,  刘贤奎

IPC: G01S13/02

CPC classification number: G01S13/345 ,  G01S13/931 ,  G01S2007/358 ,  G01S2013/0254

Abstract: 公开了一种支持近程和远程雷达操作的雷达装置，其中多个近程传送线性调频信号和多个远程传送线性调频信号通过预定调制方案而生成，并通过至少一个传送阵列天线传送到对象，并且从该对象反射的信号通过至少一个接收阵列天线接收，并且所述多个远程传送线性调频信号具有比所述多个近程传送线性调频信号的传送功率大的传送功率。

公开(公告)号：CN102680963A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210174707.5

申请日：2012-03-16

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 金千洙 ,  朴泌哉 ,  朴敏 ,  朴景焕 ,  金铜暎 ,  金汀根 ,  具本台 ,  刘贤奎

IPC: G01S13/02

CPC classification number: G01S13/345 ,  G01S13/931 ,  G01S2007/358 ,  G01S2013/0254

Abstract: 公开了一种支持近程和远程雷达操作的雷达装置，其中多个近程传送线性调频信号和多个远程传送线性调频信号通过预定调制方案而生成，并通过至少一个传送阵列天线传送到对象，并且从该对象反射的信号通过至少一个接收阵列天线接收，并且所述多个远程传送线性调频信号具有比所述多个近程传送线性调频信号的传送功率大的传送功率。

公开(公告)号：CN1222047C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN02116140.2

申请日：2002-04-19

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 金海千 ,  朴敏 ,  文载京 ,  邢昌熙 ,  池弘九 ,  安浩均

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7785

Abstract: 本发明提供了一种在双平面搀杂外延生长衬底上形成的、并可用单一电源电压工作的假同晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)功率器件，及其制造方法。该PHEMT功率器件包括：一外延生长的衬底，该衬底包括依次堆叠在半绝缘GaAs衬底上的一GaAs缓冲层、一AlGaAs/GaAs超晶格层、一未搀杂的AlGaAs层、第一搀杂硅层、第一隔离衬、一InGaAs电子输运层、第二隔离衬、具有与第一搀杂硅层不同的搀杂浓度的第二搀杂硅层、一轻度搀杂的AlGaAs层、以及一无搀杂的GaAs封盖层；在该无搀杂的GaAs封盖层上形成、并与其形成欧姆接触的一源电极和一漏电极；以及在该轻度搀杂的AlGaAs层上形成的延伸穿过该无搀杂GaAs封盖层的一栅电极。