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公开(公告)号：CN1222047C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN02116140.2
申请日：2002-04-19
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7785
Abstract: 本发明提供了一种在双平面搀杂外延生长衬底上形成的、并可用单一电源电压工作的假同晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)功率器件，及其制造方法。该PHEMT功率器件包括：一外延生长的衬底，该衬底包括依次堆叠在半绝缘GaAs衬底上的一GaAs缓冲层、一AlGaAs/GaAs超晶格层、一未搀杂的AlGaAs层、第一搀杂硅层、第一隔离衬、一InGaAs电子输运层、第二隔离衬、具有与第一搀杂硅层不同的搀杂浓度的第二搀杂硅层、一轻度搀杂的AlGaAs层、以及一无搀杂的GaAs封盖层；在该无搀杂的GaAs封盖层上形成、并与其形成欧姆接触的一源电极和一漏电极；以及在该轻度搀杂的AlGaAs层上形成的延伸穿过该无搀杂GaAs封盖层的一栅电极。
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公开(公告)号：CN100446185C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200610064335.5
申请日：2006-11-29
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种形成精细T或伽玛形栅极电极的方法，包括：在半导体衬底上沉积第一绝缘层；在该第一绝缘层上涂覆具有彼此不同的敏感度的至少两个光致抗蚀剂层，且构图该光致抗蚀剂层以具有不同尺寸的开口；使用该光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模蚀刻该第一绝缘层以形成其中接触衬底的部分比其上面的部分窄的台阶式孔，并移除该光致抗蚀剂层；在该第一绝缘层上形成光致抗蚀剂层，并在该光致抗蚀剂层中形成开口以具有T或伽玛形栅极头图案；关于栅极图案进行栅极凹进工艺；以及沉积栅极金属在该栅极图案上，并移除该光致抗蚀剂层。
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公开(公告)号：CN100511705C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200310125197.3
申请日：2003-11-26
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/42316 , H01L29/8128
Abstract: 本发明提供一种具有T形栅极电极的半导体器件及其制造方法。该半导体器件中，具有非常低介电常数的二氧化硅气凝胶层用作绝缘层，使得具有T形栅极电极的场效应晶体管中栅极电极和源极电极之间的寄生电容降低。该半导体器件包括：半导体衬底；形成于半导体衬底上并与半导体衬底欧姆接触的源极电极和漏极电极；在半导体衬底上形成于源极电极和漏极电极之间的T形栅极电极；以及包括二氧化硅气凝胶层的绝缘层，该二氧化硅气凝胶层被置于栅极电极和源极电极及漏极电极之间。
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公开(公告)号：CN1960002A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610107592.2
申请日：2006-07-26
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: H01L29/772 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/812 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/66856 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种具有T或Γ形状精细栅电极的场效应晶体管，其头部比根部宽，以及一种所述场效应晶体管的制造方法。使用具有不同蚀刻率的多层结构的绝缘层在所述栅电极的头部和半导体基底之间形成空腔。由于通过所述空腔减小了所述栅电极和半导体基底之间的寄生电容，所以所述栅电极的头部可以制得大，从而可以减小栅电阻。另外，由于可以通过调整所述绝缘层的厚度而调整所述栅电极的高度，所以可以改善器件的性能以及工艺的一致性和可重复性。
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公开(公告)号：CN100466466C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200510113816.6
申请日：2005-10-17
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: H03F3/60
Abstract: 本申请提供一种用于无线通信系统的毫米波放大器。该毫米波放大器包括用于放大射频(RF)信号的晶体管、用于匹配经过输入端到晶体管的RF信号的输入匹配电路、为晶体管提供偏置电压的偏压提供单元、用于发送经过晶体管放大的RF信号到输出端的输出匹配电路以及直流(DC)模块和RF匹配器，其中包括排列成具有电容量的第一带线和第二带线，并各自连接在输入端和输入匹配电路之间以及在输出电路和输出端之间。由金属带线构成的DC模块和RF匹配器具有一致的电容量和不受绝缘厚度影响的高稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101005019A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610064335.5
申请日：2006-11-29
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种形成精细T或伽玛形栅极电极的方法，包括：在半导体衬底上沉积第一绝缘层；在该第一绝缘层上涂覆具有彼此不同的敏感度的至少两个光致抗蚀剂层，且构图该光致抗蚀剂层以具有不同尺寸的开口；使用该光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模蚀刻该第一绝缘层以形成其中接触衬底的部分比其上面的部分窄的台阶式孔，并移除该光致抗蚀剂层；在该第一绝缘层上形成光致抗蚀剂层，并在该光致抗蚀剂层中形成开口以具有T或伽玛形栅极头图案；关于栅极图案进行栅极凹进工艺；以及沉积栅极金属在该栅极图案上，并移除该光致抗蚀剂层。
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公开(公告)号：CN100521235C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610107592.2
申请日：2006-07-26
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: H01L29/772 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/812 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/66856 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种具有T或Γ形状精细栅电极的场效应晶体管，其头部比根部宽，以及一种所述场效应晶体管的制造方法。使用具有不同蚀刻率的多层结构的绝缘层在所述栅电极的头部和半导体基底之间形成空腔。由于通过所述空腔减小了所述栅电极和半导体基底之间的寄生电容，所以所述栅电极的头部可以制得大，从而可以减小栅电阻。另外，由于可以通过调整所述绝缘层的厚度而调整所述栅电极的高度，所以可以改善器件的性能以及工艺的一致性和可重复性。
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公开(公告)号：CN1764064A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510113816.6
申请日：2005-10-17
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: H03F3/60
Abstract: 本申请提供一种用于无线通信系统的毫米波放大器。该毫米波放大器包括用于放大射频(RF)信号的晶体管、用于匹配经过输入端到晶体管的RF信号的输入匹配电路、为晶体管提供偏置电压的偏压提供单元、用于发送经过晶体管放大的RF信号到输出端的输出匹配电路以及直流(DC)模块和RF匹配器，其中包括排列成具有电容量的第一带线和第二带线，并各自连接在输入端和输入匹配电路之间以及在输出电路和输出端之间。由金属带线构成的DC模块和RF匹配器具有一致的电容量和不受绝缘厚度影响的高稳定性。
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公开(公告)号：CN1507072A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310125197.3
申请日：2003-11-26
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/42316 , H01L29/8128
Abstract: 本发明提供一种具有T形栅极电极的半导体器件及其制造方法。该半导体器件中，具有非常低介电常数的二氧化硅气凝胶层用作绝缘层，使得具有T形栅极电极的场效应晶体管中栅极电极和源极电极之间的寄生电容降低。该半导体器件包括：半导体衬底；形成于半导体衬底上并与半导体衬底欧姆接触的源极电极和漏极电极；在半导体衬底上形成于源极电极和漏极电极之间的T形栅极电极；以及包括二氧化硅气凝胶层的绝缘层，该二氧化硅气凝胶层被置于栅极电极和源极电极及漏极电极之间。
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公开(公告)号：CN1428870A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02116140.2
申请日：2002-04-19
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7785
Abstract: 本发明提供了一种在双平面搀杂外延生长衬底上形成的、并可用单一电源电压工作的假同晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)功率器件，及其制造方法。该PHEMT功率器件包括：一外延生长的衬底，该衬底包括依次堆叠在半绝缘GaAs衬底上的一GaAs缓冲层、一AlGaAs/GaAs超晶格层、一未搀杂的AlGaAs层、第一搀杂硅层、第一隔离衬、一InGaAs电子输运层、第二隔离衬、具有与第一搀杂硅层不同的搀杂浓度的第二搀杂硅层、一轻度搀杂的AlGaAs层、以及一无搀杂的GaAs封盖层；在该无搀杂的GaAs封盖层上形成、并与其形成欧姆接触的一源电极和一漏电极；以及在该轻度搀杂的AlGaAs层上形成的延伸穿过该无搀杂GaAs封盖层的一栅电极。
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