公开(公告)号：CN105366632A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510473172.5

申请日：2015-08-05

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： G.H.罗登 ,  R.苏皮诺

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B7/0048 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00325 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00492 ,  B81C2203/037

Abstract: 本申请涉及微电子机械系统（MEMS）结构中的应力隔离特征的整块式一体化。提供了一种微电子机械（MEMS）结构。在一个实施例中，该MEMS结构包括玻璃基底层，该玻璃基底层包含至少一个嵌入式应力隔离特征。该玻璃基底还包括至少一个隆起结合部位，该隆起结合部位被构造成用于将该MEMS结构联接到封装。该MEMS结构还包括形成在该玻璃基底层上的半导体设备层，该半导体设备层包括MEMS传感器。该MEMS结构还包括设置在该半导体设备层上的顶部玻璃层。

公开(公告)号：CN104555889A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410585578.8

申请日：2014-10-28

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： B.R.约翰逊 ,  R.苏皮诺

IPC: B81B7/02

CPC classification number: H02N1/08 ,  B32B37/02 ,  B32B38/10 ,  B32B2307/202 ,  B32B2310/0418 ,  B32B2457/16 ,  B81B3/0086

Abstract: 玻璃基板上的全硅电极电容换能器。一种全硅电极电容换能器，包括：耦合到玻璃基板的可移动硅微结构，该可移动硅微结构具有可移动硅电极，玻璃基板具有顶表面和至少一个凹进，所述可移动硅电极具有平行于所述玻璃基板的所述顶表面的平面的第一平坦表面，所述可移动硅电极具有第一电子功函数；以及耦合到玻璃基板的固定硅电极，该固定硅电极位于可移动硅电极附近，所述固定硅电极配置成感测或促使所述可移动硅微结构的位移，其中所述固定硅电极具有平行于所述第一平坦表面的第二平坦表面，所述固定硅电极具有与所述第一电子功函数相等的第二电子功函数。

公开(公告)号：CN103626116A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310248896.0

申请日：2013-06-21

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： R.苏皮诺 ,  G.H.罗登

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00523 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/0194

Abstract: 本发明涉及蚀刻嵌在玻璃中的牺牲特征来制造微机电系统结构的方法。在一个实施例中，提供了一种制造微机电系统结构的方法。所述方法包括：在最接近硅基板的第一表面的掺杂层中制造加工结构。所述硅基板的第一表面被结合到第一平面玻璃结构上，一个或更多个第一牺牲特征被嵌入在所述第一平面玻璃结构中。所述方法还包括：进行蚀刻从而移除硅基板的主体，其中所述主体为所述硅基板上面的第一表面的倒像，其中蚀刻移除硅基板的主体并且剩留下了结合在所述第一平面玻璃结构上的加工结构。所述方法还包括：进行蚀刻从而从所述第一平面玻璃结构上面移除一个或更多个第一牺牲特征。