公开(公告)号：CN104555889A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410585578.8

申请日：2014-10-28

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： B.R.约翰逊 ,  R.苏皮诺

IPC: B81B7/02

CPC classification number: H02N1/08 ,  B32B37/02 ,  B32B38/10 ,  B32B2307/202 ,  B32B2310/0418 ,  B32B2457/16 ,  B81B3/0086

Abstract: 玻璃基板上的全硅电极电容换能器。一种全硅电极电容换能器，包括：耦合到玻璃基板的可移动硅微结构，该可移动硅微结构具有可移动硅电极，玻璃基板具有顶表面和至少一个凹进，所述可移动硅电极具有平行于所述玻璃基板的所述顶表面的平面的第一平坦表面，所述可移动硅电极具有第一电子功函数；以及耦合到玻璃基板的固定硅电极，该固定硅电极位于可移动硅电极附近，所述固定硅电极配置成感测或促使所述可移动硅微结构的位移，其中所述固定硅电极具有平行于所述第一平坦表面的第二平坦表面，所述固定硅电极具有与所述第一电子功函数相等的第二电子功函数。