公开(公告)号：CN101589483A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200780050405.4

申请日：2007-12-19

Applicant: 陶氏康宁公司

Inventor： D·E·凯特索里斯 ,  E·麦克奎斯顿 ,  T·D·巴纳德 ,  N·格里尔 ,  P·沙尔克

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L21/3122 ,  C03C17/30 ,  C03C17/34 ,  C03C17/42 ,  C03C2217/465 ,  C03C2217/475 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L51/5253 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/266 ,  Y10T428/31612 ,  Y10T428/31663

Abstract: 复合制品包括具有表面的基底，含置于基底表面上的阳离子敏感材料的阳离子敏感层，以及置于基底和阳离子敏感层之间的硅氧烷层。阳离子存在于基底表面上，其中基于基底表面上原子的总原子重量，其用量为至少0.1原子wt％。硅氧烷层包括固化的硅氧烷组合物用以防止阳离子从基底迁移到阳离子敏感层上。在阳离子敏感层和基底之间包括硅氧烷层使得能使用过去因该材料内存在过量阳离子导致无法使用的基底材料。

公开(公告)号：CN101522838A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037236.0

申请日：2007-08-16

Applicant: 陶氏康宁公司 ,  陶氏康宁东丽株式会社

Inventor： D·卡佐利斯 ,  E·麦克奎斯顿 ,  M·须藤

IPC: C09D183/04

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08L83/00

Abstract: 一种制备有机硅树脂膜的方法，该方法包括：用填充的硅氧烷组合物涂布第一隔离衬垫，其中填充的硅氧烷组合物包含可氢化硅烷化固化的硅氧烷组合物和阻燃剂填料；施加第二隔离衬垫到涂布的第一隔离衬垫上，形成组件；(iii)压缩该组件；和固化压缩的组件中的有机硅树脂；其中该有机硅树脂膜的厚度为1－500微米；和有机硅树脂膜。

公开(公告)号：CN101636434B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN200880008744.0

申请日：2008-02-04

Applicant: 陶氏康宁公司

Inventor： D·E·凯特索里斯 ,  M·J·罗伯达 ,  E·麦克奎斯顿 ,  L·罗德里格斯

IPC: C08G77/58 ,  C08L83/14 ,  H01L21/312

CPC classification number: C08G77/58 ,  C08G77/12 ,  C08G79/00 ,  C08G79/12 ,  C08L83/14 ,  C08L85/00

Abstract: 公开了杂元素硅氧烷聚合物。该杂元素硅氧烷聚合物可具有线形结构、环状结构、支化结构和三维网络结构、及其组合。使用由热固性有机基硅聚合物衍生的固化化学，固化杂硅氧烷聚合物，和可制备凝胶、涂层、板、部件和其他有用的制品。

公开(公告)号：CN101522838B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780037236.0

申请日：2007-08-16

Applicant: 陶氏康宁公司 ,  陶氏康宁东丽株式会社

Inventor： D·卡佐利斯 ,  E·麦克奎斯顿 ,  M·须藤

IPC: C09D183/04

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08L83/00

Abstract: 一种制备有机硅树脂膜的方法，该方法包括：用填充的硅氧烷组合物涂布第一隔离衬垫，其中填充的硅氧烷组合物包含可氢化硅烷化固化的硅氧烷组合物和阻燃剂填料；施加第二隔离衬垫到涂布的第一隔离衬垫上，形成组件；(iii)压缩该组件；和固化压缩的组件中的有机硅树脂；其中该有机硅树脂膜的厚度为1-500微米；和有机硅树脂膜。

公开(公告)号：CN101589483B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200780050405.4

申请日：2007-12-19

Applicant: 陶氏康宁公司

Inventor： D·E·凯特索里斯 ,  E·麦克奎斯顿 ,  T·D·巴纳德 ,  N·格里尔 ,  P·沙尔克

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L21/3122 ,  C03C17/30 ,  C03C17/34 ,  C03C17/42 ,  C03C2217/465 ,  C03C2217/475 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L51/5253 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/266 ,  Y10T428/31612 ,  Y10T428/31663

Abstract: 复合制品包括具有表面的基底，含置于基底表面上的阳离子敏感材料的阳离子敏感层，以及置于基底和阳离子敏感层之间的硅氧烷层。阳离子存在于基底表面上，其中基于基底表面上原子的总原子重量，其用量为至少0.1原子wt％。硅氧烷层包括固化的硅氧烷组合物用以防止阳离子从基底迁移到阳离子敏感层上。在阳离子敏感层和基底之间包括硅氧烷层使得能使用过去因该材料内存在过量阳离子导致无法使用的基底材料。

公开(公告)号：CN101636434A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880008744.0

申请日：2008-02-04

Applicant: 陶氏康宁公司

Inventor： D·E·凯特索里斯 ,  M·J·罗伯达 ,  E·麦克奎斯顿 ,  L·罗德里格斯

IPC: C08G77/58 ,  C08L83/14 ,  H01L21/312

CPC classification number: C08G77/58 ,  C08G77/12 ,  C08G79/00 ,  C08G79/12 ,  C08L83/14 ,  C08L85/00

Abstract: 公开了杂元素硅氧烷聚合物。该杂元素硅氧烷聚合物可具有线形结构、环状结构、支化结构和三维网络结构、及其组合。使用由热固性有机基硅聚合物衍生的固化化学，固化杂硅氧烷聚合物，和可制备凝胶、涂层、板、部件和其他有用的制品。